“绝缘区”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1251865个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种FPC、显示模组、显示装置以及电子设备-CN202122799018.0有效
发明人：杨磊 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种FPC，包括：元器件区，元器件区还设有绝缘防护装置，绝缘防护装置包括绝缘绿油保护膜。本实用新型实施例还提供了一种显示模组，一种显示装置以及一种电子设备，通过在元器件区镀绝缘绿油保护膜，避免了现有贴附绝缘防护膜对元器件区空间的挤占，同时绝缘防护效果更加的可靠。
一种 fpc 显示模组显示装置以及电子设备

[发明专利]存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法-CN201910594978.8在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数
存储装置凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法

[实用新型]存储装置、凹陷沟道阵列晶体管-CN201921025393.6有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数
栅极绝缘层凹槽通道源区凹陷沟道晶体管介电常数栅极结构槽口存储技术领域存储装置阈值电压均一性源漏区填充阱区隔离

[发明专利]一种结合耐高压晶体管的电荷捕获型非易失存储器制作方法-CN201710272223.7有效
发明人：李妍;辻直樹;陈广龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种结合耐高压晶体管的电荷捕获型非易失存储器制作方法，包括：在硅基衬底之有源区和浅沟槽隔离区沉积ONO层；在ONO层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上沉积至少含氮化硅层的第一绝缘层；通过刻蚀形成控制栅，并去除存储区和外围区的多晶硅；在存储区之非控制区和外围区形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上沉积多晶硅；在多晶硅表面沉积包含氮化硅层的第二绝缘层；干法刻蚀第二绝缘层和多晶硅层以形成外围区栅极和存储区侧墙型栅极；透过第二绝缘层进行外围区离子注入；同步去除控制栅顶部之第一绝缘层的氮化硅层和外围区栅极顶部之第二绝缘层的氮化硅层。
一种结合高压晶体管电荷捕获型非易失存储器制作方法

[实用新型]一种绝缘片及电池-CN202223154518.X有效
发明人：张俊川;魏恒谦;李文成 -专利权人：蜂巢能源科技股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01M50/593 文献下载
摘要：本实用新型提供一种绝缘片及电池，绝缘片包括第一绝缘片，电池包括绝缘片。其中，第一绝缘片包括五个一体连接的第一保护片，第一保护片适于分别包裹电芯的五个面以形成顶部开口的结构；相邻所述第一保护片之间设有衔接区，并且所述衔接区的厚度小于所述第一保护片的厚度。此结构的绝缘片，衔接区厚度小于第一保护片，便于沿衔接区折叠第一绝缘片，提高电芯包裹效率；并可通过衔接区对电芯的棱边起到绝缘保护作用。
一种绝缘电池

[实用新型]一种更稳定的氧化物薄膜晶体管阵列基板-CN202221883803.2有效
发明人：陈宇怀 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种更稳定的氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；第一金属层；第一绝缘层；有源层；第二金属层；第二绝缘层；第三绝缘层；第一ITO层；第四绝缘层；第三金属层；第五绝缘层，设于所述第三金属层上，所述第五绝缘层在TFT上方的无效区还开设有凹槽区；所述第五绝缘层在TFT与TFT之间开设有隔断区；第二ITO层。在第四绝缘层和第五绝缘层中的无效区开设凹槽区与隔断区，降低了绝缘层大面积成膜的残余应力问题，可以有效提高器件的阈值电压均匀性和面板机械测试可靠性，从而提高阵列基本的稳定性。
一种稳定氧化物薄膜晶体管阵列

[发明专利]半导体存储装置-CN202210229784.X在审
发明人：张钦福;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体存储装置，包括阵列区以及围绕着阵列区的周围区。阵列区包括多个有源区以及位于有源区之间的第一绝缘层。周围区包括周围结构、围绕着周围结构的第二绝缘层，以及围绕着第二绝缘层的第三绝缘层。至少一埋入式字线，延伸穿过阵列区及周围区，其中埋入式字线切过第二绝缘层的部分包括颈部轮廓，为埋入式字线沿线的最高电阻值处。
半导体存储装置

[实用新型]硅通孔结构-CN201120454618.7有效
发明人：汪学方;徐春林;王宇哲;徐明海;胡畅;刘胜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命
硅通孔结构

[实用新型]半导体存储装置-CN202220517452.7有效
发明人：张钦福;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体存储装置，包括阵列区以及围绕着阵列区的周围区。阵列区包括多个有源区以及位于有源区之间的第一绝缘层。周围区包括周围结构、围绕着周围结构的第二绝缘层，以及围绕着第二绝缘层的第三绝缘层。至少一埋入式字线，延伸穿过阵列区及周围区，其中埋入式字线切过第二绝缘层的部分包括颈部轮廓，为埋入式字线沿线的最高电阻值处。
半导体存储装置

[发明专利]半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体存储器-CN202210966053.3在审
发明人：唐怡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体存储器，该半导体结构包括：沟道掺杂区；形成在沟道掺杂区两侧的漏极掺杂区和源极掺杂区；绝缘隔离层，包括第一绝缘隔离部分和第二绝缘隔离部分，第一绝缘隔离部分形成在沟道掺杂区的表面，第二绝缘隔离部分形成在漏极掺杂区的部分表面；第一金属层，形成在第一绝缘隔离部分的表面；第二金属层，形成在第二绝缘隔离部分的表面。
半导体结构制备方法存储器

[实用新型]半导体装置-CN202122906026.0有效
发明人：童宇诚;张钦福 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体装置，包括衬底、有源区、以及绝缘结构。有源区相互平行且相互分隔地定义在衬底内，各有源区包括有源鳍片以及设置于有源鳍片两侧的有源端部，有源鳍片以及有源端部分别包括不同的材质。绝缘结构设置在衬底内，环绕有源区，绝缘结构包括第一绝缘层以及多个第二绝缘层，其中，第二绝缘层系分别设置于相邻的有源区之间并且被第一绝缘层环绕。在此设置下，可改善有源区的延伸范围，确保后续形成的存储接触插塞结构可与有源区直接且稳定的接触。
半导体装置

[发明专利]横向绝缘栅双极PMOS器件-CN03823271.5无效
发明人： T·勒塔维克;J·佩特鲁泽尔洛 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种横向绝缘栅双极PMOS器件(20b)，包括：半导体衬底(22)；掩埋绝缘层(24)；以及在掩埋绝缘层上的SOI层内、具有p型导电类型的横向PMOS晶体管器件。提供了与体区(30)相邻的、n型导电类型的横向漂移区(32)，并提供了p型导电类型的漏区，漂移区把该漏区横向地与体区隔离开。插在p型反转缓冲区内的浅n型接触表面区形成了n型导电类型的漏区(34b)。在体区(30)的一部分上形成栅电极(36)，工作时在该部分内形成沟道区，且该部分在与体区(30)相邻的横向漂移区(32)的一部分上扩展，绝缘区(38)把栅电极(36)与体区(32)及漂移区(32)绝缘。
横向绝缘栅双极 pmos 器件

[实用新型]一种开关-CN201721208611.0有效
发明人：秦军;周文 -专利权人：微宏动力系统（湖州）有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01H9/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种开关，包括数个导电簧片和隔离装置，所述导电簧片一端与电路导通，另一端与隔离装置接触，所述隔离装置包括导电区、电阻区和绝缘区，所述电阻区一端连接所述导电区，另一端连接所述绝缘区；数个导电簧片同步地与单个所述隔离装置的导电区、电阻区或绝缘区接触，通过所述导电簧片与所述隔离装置的相对移动，以使所述导电簧片在导电区、电阻区和绝缘区之间进行切换。
一种开关

[发明专利]金属加热体及金属加热装置-CN202010830332.8在审
发明人：胡如国 -专利权人：芜湖艾尔达科技有限责任公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属加热体及金属加热装置，包括金属基材和电热层，所述电热层具有加热区和绝缘区，所述绝缘区隔离所述加热区和所述金属基材，所述金属加热体具有至少两个电极层，所述至少两个电极层至少部分设置于所述加热区或者位于所述加热区两端金属加热体的电热层具有加热区和绝缘区，由于绝缘区、加热区形成一层结构，结构稳定，使其可以在高低温冲击下，不容易脱落、龟裂，性能稳定。
金属加热装置

[实用新型]金属加热体及金属加热装置-CN202021722746.0有效
发明人：胡如国 -专利权人：芜湖艾尔达科技有限责任公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属加热体及金属加热装置，包括金属基材和电热层，所述电热层具有加热区和绝缘区，所述绝缘区隔离所述加热区和所述金属基材，所述金属加热体具有至少两个电极层，所述至少两个电极层至少部分设置于所述加热区或者位于所述加热区两端金属加热体的电热层具有加热区和绝缘区，由于绝缘区、加热区形成一层结构，结构稳定，使其可以在高低温冲击下，不容易脱落、龟裂，性能稳定。
金属加热装置

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top