专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1251865个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种显示面板及显示装置-CN201911372962.9在审
  • 周思思 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-12-27 - 2020-04-28 - H01L27/32
  • 本申请提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括显示、周边区以及透光,周边区围绕透光设置,显示围绕周边区设置;显示面板对应透光的部分切割后形成第一通孔用以设置屏下摄像头;显示面板上包括无机绝缘层,设于无机绝缘层上的有机绝缘层,以及设于有机绝缘层上的薄膜封装层,薄膜封装层在对应透光以及周边区与无机绝缘层直接接触;本申请通过在显示面板周边区的无机绝缘层上形成凹槽,使得薄膜封装层中的无机层通过凹槽的侧壁以及底部与无机绝缘层紧密接触并形成连续薄膜,在切割时位于凹槽爬坡处的无机绝缘层能够挡住裂纹继续往内延伸。
  • 一种显示面板显示装置
  • [发明专利]显示设备-CN202210661322.5在审
  • 崔洛初;李宅根;印闰京 - 三星显示有限公司
  • 2022-06-13 - 2022-12-30 - H01L27/32
  • 该显示设备包括基底、第一有机绝缘层、第二有机绝缘层和像素限定层。基底包括第一域和第二域,第一域包括显示区域、线区域和透射区域,第二域与第一域相邻。第一有机绝缘层布置在第一域的基底之上,并且包括与透射区域对应的第一孔。第二有机绝缘层布置在第一域的第一有机绝缘层之上,并且包括与透射区域对应的第二孔。像素限定层布置在第一域的第二有机绝缘层之上,并且包括与透射区域对应的第三孔。
  • 显示设备
  • [发明专利]集成电路器件-CN201910103246.4有效
  • 李敏成;金一龙;吕京奂;郑在烨 - 三星电子株式会社
  • 2019-02-01 - 2023-10-03 - H01L27/088
  • 一种集成电路器件包括:衬底,包括第一器件和第二器件;在第一器件上的第一鳍状物分隔绝缘部分;成对的第一鳍型有源,在第一器件中彼此隔开且其间具有第一鳍状物分隔绝缘部分,并沿第一水平方向共线地延伸;第二鳍状物分隔绝缘部分,在第一器件和第二器件上沿第二水平方向延伸;以及成对的第二鳍型有源,彼此隔开且其间具有第二鳍状物分隔绝缘部分,并沿第一水平方向共线地延伸,其中第一鳍状物分隔绝缘部分和第二鳍状物分隔绝缘部分彼此竖直地重叠
  • 集成电路器件
  • [发明专利]主动元件-CN201610553295.4在审
  • 陈培铭 - 友达光电股份有限公司
  • 2016-07-14 - 2016-10-26 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种主动元件,适于设置于基板上,其包括多晶硅半导体层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第一接触窗、氧化物半导体层、第一电极及一第二电极。多晶硅半导体层设置于基板上,具有第一掺杂、通道及第二掺杂,通道设置于第一掺杂及第二掺杂之间。第一绝缘层覆盖多晶硅半导体层及基板。栅极对应通道设置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖栅极及第一绝缘层,第一绝缘层及第二绝缘层具有一第一接触窗。氧化物半导体层对应栅极设置于第二绝缘层上。第一电极及一第二电极分别相对设置于氧化物半导体层上,氧化物半导体层电性连接第二电极,并经第一接触窗与第二掺杂电性连接。
  • 主动元件
  • [实用新型]一种双线串联灯串-CN201320713057.7有效
  • 许有谋 - 许有谋
  • 2013-11-05 - 2014-08-13 - F21S4/00
  • 本实用新型公开了一种双线串联灯串,至少包括第一绝缘导线、第二绝缘导线及表面粘着型发光元件;第一绝缘导线上设有第一导电部;第一导电部外设有第一绝缘层;第一绝缘导线上设有第一接触;第二绝缘导线上设有第二导电部;第二导电部外设有第二绝缘层;第二绝缘导线上设有第二接触;第一接触包括第一接触前和第一接触后区;第二接触包括第二接触前和第二接触后区;表面粘着型发光元件通过导电材料跨接于第一接触前和第二接触前与第一接触后区和第二接触后区之间本实用新型使用两条绝缘导线一起生产,增加了产品承拉力,使整体串联产品承受的拉力增加很大,且在生产过程中就没有断线的不良品。
  • 一种双线串联
  • [发明专利]阵列基板及显示面板-CN202211051193.4在审
  • 罗传宝 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-12-30 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种阵列基板及显示面板,阵列基板包括基板、氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏极金属层,氧化物半导体层包括沟道和导体化,沟道包括第一沟道和第二沟道,第一沟道区位于第二沟道和导体化之间;栅极绝缘层包括第一子部和第二子部,第一子部对应第一沟道,第二子部对应第二沟道,第一子部的厚度小于第二子部的厚度。通过将栅极绝缘层进行厚度差异化设计,有利于降低栅极绝缘层向氧化物半导体层中的导体化与沟道之间的搭接区域(第一沟道)内的氢扩散,增大了有效沟道的长度,有利于实现窄沟道。
  • 阵列显示面板
  • [发明专利]垂直式快闪存储器的结构及其制造方法-CN03151284.4有效
  • 三重野文健 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2003-09-28 - 2005-03-30 - H01L21/8239
  • 一种垂直式快闪存储器结构及制造方法,利用蚀刻掩膜蚀刻底材形成凹陷,并布植离子至凹陷特定深度深度而形成漏极与源极。回填第一绝缘材料全覆盖凹陷,去除部分第一绝缘材料至底材表面,再蚀刻第一绝缘材料曝露部分凹陷,残留部分第一绝缘材料于漏极与源极。在曝露的凹陷壁面形成氧化层,在该氧化层垂直表面形成硅颗粒作为浮置栅极,且在其上沉积第二绝缘层。并在其垂直表面形成控制极导电层作为控制极。在该凹陷形成第三绝缘层,以CMP去除部分第三绝缘层至底材表面,以选择性蚀刻去除部分硅颗粒及控制极导电层,定义出通道长度。以第四绝缘层材料填入被蚀刻部分,再以CMP在其上形成导电层图案作为漏极
  • 垂直闪存结构及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top