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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]像素阵列基板与面板-CN201410512848.2有效
发明人：陈奎岳;杜佳勋;林博扬;黄震铄;苏韦任 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素阵列基板，包括一基板、多个像素单元以及一无机绝缘层。基板具有一有源区以及位于有源区周围的一周边区。有源区包括多个像素单元区以及位于像素单元区的至少一侧的一可弯折区。无机绝缘层包括一第一无机绝缘图案以及一第二无机绝缘图案，分别配置于像素单元区以及可弯折区中。第一无机绝缘图案的厚度大于第二无机绝缘图案的厚度。本发明的像素阵列基板具有较佳的可挠曲特性。
像素阵列面板

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200510058915.9有效
发明人：海东拓生;大植荣司;贺茂尚广;木村泰一;丝贺敏彦 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。
显示装置及其制造方法

[发明专利]一种绝缘栅场效应管-CN201310053332.1无效
发明人：张传科 -专利权人：张传科
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型P区（3）和第一导电类型相反的第二导电类型N区（4），其特征在于：还包括绝缘层（2）和栅极（1），所述P区（3）与所述N区（4）彼此相邻，所述绝缘层（2）覆盖在所述P区（3）和N区（4）上方，所述栅极（1）设置在所述绝缘层（2）上方。本发明由于只存在一个PN结就可以实现绝缘栅场效应管的相应功能，从而制造简单，降低了成本。
一种绝缘场效应

[实用新型]电池正极片及锂离子电池-CN202222052005.1有效
发明人：姚煜;张海波;靳勇;张竣博;朱伟杰 -专利权人：微宏动力系统(湖州)有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电池正极片，包括集流体，所述集流体包括活性材料区、绝缘材料区和留白区，所述集流体对应于所述活性材料区的表面设有活性物质层，所述集流体对应于所述绝缘材料区的表面设有绝缘层；所述留白区位于所述活性材料区和所述绝缘材料区之间，所述活性物质层与所述绝缘层通过所述留白区隔开。
电池正极锂离子电池

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201510691514.0有效
发明人：李东奂;具旼奎;许炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，具有存储阵列区和外围区；隔离层，形成在外围区中以限定有源区；偏移绝缘层，彼此分开且形成在有源区中；以及栅电极，具有与偏移绝缘层叠置的边沿，且被布置在偏移绝缘层之间的有源区中。
半导体器件制造方法

[发明专利]显示面板和包括其的显示装置-CN202110356104.6在审
发明人：郑光哲;金永来;苏栋润;朴庆珉;林三镐;赵龙遵 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：显示装置包括基础衬底、信号焊盘、绝缘层和第一开口，基础衬底包括包含有像素的显示区以及限定基础衬底的离显示区最远并且暴露在显示面板外部的端面的焊盘区，信号焊盘在基础衬底上位于焊盘区中并且电连接到像素和虚设焊盘，绝缘层在基础衬底上位于显示区和焊盘区中，绝缘层在焊盘区中覆盖信号焊盘和虚设焊盘并且在焊盘区中限定绝缘层的离显示区最远并且暴露在显示面板外部的端面，并且第一开口位于绝缘层中，第一开口将信号焊盘暴露在绝缘层外部以及暴露在显示面板外部在焊盘区中，基础衬底和绝缘层的端面一起限定显示面板的倾斜边缘。
显示面板包括显示装置

[发明专利]高频低功耗功率结型场效应晶体管-CN200510132111.9无效
发明人：亢宝位;吴郁;田波;单建安 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，是由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有相互有一定间距的局域绝缘区，绝缘区的绝缘材料可以是氧化硅，氮化硅或其他绝缘材料由于局域绝缘区改变了电场分布，特别是局域绝缘区与栅区部分重叠切除了一部分栅沟间PN结的面积，因而减小了栅沟PN结电容，减小了开关损耗。可以比沟槽栅MOSFET和无隐埋局域绝缘区的沟槽栅JFET具有更低的高频功率损耗，更适合于需要高频低功耗的应用领域。
高频功耗功率场效应晶体管

[实用新型]导电膜-CN201820240115.1有效
发明人：杨广舟;洪莘;张晟;刘立冬 -专利权人：昇印光电（昆山）股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种导电膜，其包括透明承载层、设置于所述透明承载层一侧面的若干导电区及位于所述导电区之间并保持导电区之间电气绝缘性的绝缘配色区，所述导电区中分布有相互导通的导电网格，所述绝缘配色区中分布有具有复数断点的配色网格绝缘配色区的透光率接近导电区的透光率，提高了导电膜的透光率分布的均匀性，如此在保证导电区和绝缘配色区之间及绝缘配色区内电气绝缘性的前提下，有效改善了导电膜的透光均匀性，从而有效改善导电膜外观上的视觉效果
配色导电区导电膜绝缘透光率电气绝缘性透明承载层导电网格面积比网格线网格本实用新型透光均匀性视觉效果均匀性投影面导通断点复数平行侧面保证

[发明专利]有机发光显示设备-CN201410547430.5有效
发明人：高在庆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机发光显示设备，具有能够在形成绝缘层(例如，像素限定层)期间减少缺陷的结构。有机发光显示设备包括：基板，具有显示区和围绕显示区的外围区；位于基板的外围区上的台阶形成层；位于基板上横跨显示区和外围区的绝缘层，其中绝缘层的通过覆盖台阶形成层而对应于台阶形成层的部分的顶面高于绝缘层的剩余部分的顶面；以及位于绝缘层上的第一导电层，第一导电层的端部接近于绝缘层的对应于台阶形成层的部分。
有机发光显示设备

[发明专利]有机发光显示设备-CN201910720885.5有效
发明人：高在庆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：一种有机发光显示设备，具有能够在形成绝缘层(例如，像素限定层)期间减少缺陷的结构。有机发光显示设备包括：基板，具有显示区和围绕显示区的外围区；位于基板的外围区上的台阶形成层；位于基板上横跨显示区和外围区的绝缘层，其中绝缘层的通过覆盖台阶形成层而对应于台阶形成层的部分的顶面高于绝缘层的剩余部分的顶面；以及位于绝缘层上的第一导电层，第一导电层的端部接近于绝缘层的对应于台阶形成层的部分。
有机发光显示设备

[发明专利]制造三维半导体器件的方法-CN201710864922.0有效
发明人：金基雄;金孝亭;徐基银;张气薰;权炳昊;尹普彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：该方法包括：提供具有外围电路区和单元阵列区的基板；在基板的外围电路区上形成外围结构；以及在单元阵列区上形成电极结构。电极结构包括下电极、在下电极上的下绝缘平坦化层、以及竖直地且交替地堆叠在下绝缘平坦化层上的上电极和上绝缘层，下绝缘平坦化层可以延伸以覆盖外围电路区上的外围结构。上绝缘平坦化层被形成为覆盖电极结构和外围电路区上的下绝缘平坦化层。
制造三维半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN94116346.6无效
发明人：小沼利光;菅原彰;上原由起子;张宏勇;铃木敦则;大沼英人;山口直明;须泽英臣;鱼地秀贵;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-09-20 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种在绝缘衬底上形成的ＴＦＴ，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN98108911.9无效
发明人：小沼利光;张宏勇;菅原彰;铃木敦则;上原由起子;大沼英人;山口直明;须泽英臣;鱼地秀贵;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-09-20 - 公布日： 1999-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在绝缘衬底上形成的TFT,具有源、漏和沟道区,至少在沟道区上形成栅绝缘膜,并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区,以降低截止电流。形成这种结构的方法包括阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜;用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜,使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后,进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202111128911.9在审
发明人：刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：绝缘结构隐埋在半导体衬底与半导体层之间。绝缘结构具有第一区及第二区。绝缘结构在绝缘结构的第一区中具有第一厚度，且绝缘结构在绝缘结构的第二区中具有与第一厚度不同的第二厚度。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法-CN200810210681.9无效
发明人：赵崇斌 -专利权人：新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，此方法是先在绝缘层上覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区；然后，在绝缘层上覆硅基板上形成绝缘材料，并填满沟渠；之后，进行第一蚀刻制程，移除部分绝缘材料，直到暴露出主动区的顶面，以及直到主动区之间的绝缘材料的顶面低于主动区的顶面。
绝缘层上覆硅基板中形成对准标记方法

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