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[发明专利]具有多栅极绝缘层的半导体装置及其制造方法-CN200410001967.8有效
发明人：姜大雄;金泓秀;崔正达;朴奎灿;曹盛纯;任庸植;场成男 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-01-16 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供制造具有多栅极绝缘层的半导体装置的方法以及由此制造的半导体装置。该方法包括在半导体衬底的第一区域和第二区域分别形成垫绝缘层和初始高电压栅极绝缘层。穿过垫绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第一隔离层被形成以定义第一区域中的第一有源区，而穿过初始高电压绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第二隔离层被形成以定义第二区域中的第二有源区。随后垫绝缘层被去除以露出第一有源区。低电压绝缘层形成在露出的第一有源区上。因此，可以使得在去除垫绝缘层以便在邻近第一隔离层的有源区上形成低电压栅极绝缘层的过程中形成在第一隔离层边缘处的凹陷区域(凹槽区域)的深度被最小化，并且它能够防止凹槽区域形成在第二隔离层的边缘处。
具有栅极绝缘半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201880011285.5在审
发明人：山崎舜平;远藤佑太;笹川慎也;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式包括：含有相邻的第一区域和第二区域、其间设置有第一区域及第二区域的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以及隔着第三绝缘体在第二区域上的第二导电体。第三绝缘体的一部分位于第二导电体和第二绝缘体的侧面之间。
绝缘体第二区域导电体氧化物第一区域侧面半导体装置微型化高集成化

[发明专利]制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器-CN201510320636.9在审
发明人：大贯裕介;板桥政次;杮沼伸明;下津佐峰生;藤田雅人;荻野拓海;鸟居庆大 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该方法包括准备晶片，所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜，以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区，以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层
制造固态图像传感器方法

[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法-CN200610029912.7有效
发明人：叶好华;毛刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体隔离结构的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成多孔绝缘层；在多孔绝缘层上形成绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上形成光刻胶掩膜；图案化光刻胶掩膜，从而在半导体衬底上定义有源区和隔离区；刻蚀与有源区对应的绝缘阻挡层和多孔绝缘层形成隔离沟槽；去除光刻胶；在隔离沟槽内填充单晶硅；平坦化所述单晶硅。本发明还提供了一种半导体隔离结构，包括半导体衬底，在半导体衬底上形成的隔离区，以及位于隔离区之间的有源区，其中，所述的隔离区由位于半导体衬底上的多孔绝缘层和位于多孔绝缘层上的绝缘阻挡层组成。
半导体隔离结构及其形成方法

[实用新型]一种绝缘板、断路器及环网柜-CN202022584278.1有效
发明人：谢利标;郭振;王玉庐 -专利权人：南京帝开电气自动化有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01B17/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及环网柜技术领域，公开一种绝缘板、断路器及环网柜。绝缘板安装于断路器的主体上，所述绝缘板包括固定区和连接部，固定区为多个，多个所述固定区之间通过所述连接部连接，所述连接部上设置有至少一个通孔，所述通孔用于增加多个所述固定区之间的爬电距离；所述连接部的壁厚大于所述固定区的壁厚；所述固定区上设置有至少一个螺栓孔，所述绝缘板通过螺栓穿设于所述螺栓孔螺纹连接于所述断路器的主体上。断路器包括主体和上述的绝缘板，绝缘板安装于主体上。环网柜包括上述的断路器。本实用新型公开的绝缘板、断路器及环网柜，增加了绝缘板各个固定区之间的爬电距离，还增加了绝缘板的结构强度。
一种绝缘断路器环网柜

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN201910599923.6有效
发明人：姜何;米田公太郎 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述显示面板包括显示区、非显示区和隔离所述显示区和非显示区的沟道。所述非显示区包括：第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第三绝缘层。所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层，所述第二绝缘层的表面具有连续分布的多个凸起部和多个凹陷部，所述多个凸起部和凹陷部交替设置。所述第一导电层覆盖所述第二绝缘层，所述第一导电层具有均匀的厚度。所述第三绝缘层包括在所述第一导电层上间隔分布的多个绝缘条，所述多个绝缘条与所述多个凹陷部对应设置。
显示面板及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510009401.4无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;福永健司;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1993-12-04 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：半导体膜；形成在半导体膜中的一对第一杂质区；形成在一对第一杂质区之间的第一沟道区；形成在半导体膜中的一对第二杂质区；形成在一对第二杂质区之间的第二沟道区；形成在半导体膜上的栅绝缘膜；第一栅电极，形成为与第一沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；第二栅电极，形成为与第二沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；形成在第一栅电极和第二栅电极上的绝缘膜；形成在绝缘膜中的接触孔；以及形成在绝缘膜上的连线，其中一对第一杂质区中的一个第一杂质区与一对第二杂质区中的一个第二杂质区接触；其中连线电连接到一对第一杂质区中的一个第一杂质区和一对第二杂质区中的一个第二杂质区。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]绝缘结构和二次电池-CN202223593081.X有效
发明人：车佩佩;曹生荣;钱佳;张杰 -专利权人：远景动力技术（江苏）有限公司;远景睿泰动力技术（上海）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M50/188 文献下载
摘要：本实用新型提供一种绝缘结构和二次电池，包括第一绝缘件，第一绝缘件包括底面覆盖区以及侧面覆盖区，侧面覆盖区位于底面覆盖区的同一侧以形成容纳空间；侧面覆盖区包括两个相对设置的第一侧面覆盖区和第二侧面覆盖区；第一侧面覆盖区中的至少一个包括三个重叠区(中部重叠区、第一侧重叠区和第二侧重叠区)。该绝缘结构和二次电池通过三个重叠区折叠包覆，实现了第一侧面覆盖区在三个折叠边的绝缘包覆，通过三个重叠区的两个不重叠，另一个至少覆盖该两个不重叠之间的区域，使得另一个重叠区能够包覆不重叠翻折所形成的边缘间隙，提高在三个折叠边上包覆的绝缘效果，同时不增加第一侧面覆盖区被包覆的厚度。
绝缘结构二次电池

[发明专利]端绝缘板、电池装置及电池装置的装配方法-CN202310153609.1在审
发明人：赵冬 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01M50/593 文献下载
摘要：本申请涉及电池技术领域，公开一种端绝缘板、电池装置及电池装置的装配方法。端绝缘板用于设置在电池装置中，端绝缘板背离电池组的一侧设有溢胶槽，溢胶槽包括进胶区和存胶区，进胶区朝向端绝缘板底面一侧设置有进胶口；存胶区与进胶区连通，且存胶区靠近端绝缘板底面的一侧设有用于阻挡胶的围挡结构；溢胶槽被配置为允许胶从进胶口进入进胶区，并从进胶区进入存胶区。综上，本发明提供的端绝缘板，可以保证端绝缘板和梁之间最终的胶粘量和粘接面积，提高粘接牢固性，进而可以使得电池装置的电池组与梁的连接效果较好，电池装置的装配良率较高，有利于工业生产。
绝缘电池装置装配方法

[实用新型]带输入装置的图像显示装置及图像显示终端-CN201822240312.6有效
发明人：吴高翔;张志华;李维国;朱盛祖;季朋飞;陆炜杰;夏鹏 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：包括：基板，基板包括第一换线区及弯折区；第一换线区，包括位于基板上方的第一绝缘层，且第一绝缘层上具有若干过孔，位于第一绝缘层中间且被第一绝缘层包裹的第一金属层，位于第一绝缘层上方的输入装置引线，输入装置引线通过所述过孔与所述第一金属层电性连接；弯折区，与第一换线区连接，包括设置在第一绝缘层中间的第一金属层，弯折区的第一金属层与第一换线区的第一金属层电性连接。以此将弯折区的输入装置引线设置在第一绝缘层之间，以达到弯折区输入装置引线不易断裂且便于弯折的目的。
绝缘层输入装置第一金属层弯折区换线基板图像显示终端图像显示装置电性连接本实用新型绝缘层包裹弯折的断裂

[实用新型]一种使用安全的电磁炉-CN202221657843.5有效
发明人：杨国芳 -专利权人：中山市翰林电器有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： F24C7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种使用安全的电磁炉，包括壳体，壳体的上表面设置有加热区，壳体的内部设置有用于为加热区上放置的锅具进行加热的加热线圈，加热线圈与加热区之间设置有绝缘层，绝缘层位于加热区的正下方且绝缘层上设置有感温探头，感温探头的端部与加热区的底部抵接。本实用新型通过在加热区的正下方设置绝缘层，由此当加热区出现破裂时，也可通过绝缘层使用户不会误触碰到壳体内部的带电元件，从而避免发生触电事故，有效提高产品的安全性；进一步的，绝缘层上设置有感温探头，感温探头的端部与加热区的底部抵接，由此改变了以往需要隔着绝缘层对加热区进行测温而造成感温不准的问题。
一种使用安全电磁炉

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及装备有该薄膜晶体管的图像显示装置-CN201180047023.2有效
发明人：今村千裕;原田由香里;小山浩晃 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和栅电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与栅极绝缘层和绝缘保护层中的至少一层邻接。与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的一部分中含有的氢原子浓度设定在1X1020/cm3至5X1022/cm3的范围内，包括端点值。不与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的另一部分中含有的氢原子浓度设定为低于1X1020/cm3。
薄膜晶体管制造方法以及装备图像显示装置

[发明专利]显示装置-CN201710337655.1有效
发明人：金炳善;权善子;金阳完;朴贤爱;李受珍;李在容 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：所述显示装置包括具有像素区和外围区的基底、设置在像素区中的基底上的多个像素、向像素提供多个数据信号的多条数据线、向像素提供多个扫描信号的多条扫描线、向像素提供第一电压的多条电源线以及第一绝缘层至第三绝缘层第一绝缘层设置在基底上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上，第三绝缘层设置在第二绝缘层上。扫描线在像素区中设置在基底上并在第三绝缘层下方，并且在外围区中设置在第三绝缘层上。
显示装置

[实用新型]电连接器及其插座-CN201120170193.7无效
发明人：王敬顺;张嘉和;唐远彬 -专利权人：长盛科技股份有限公司
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01R12/77 文献下载
摘要：一种电连接器，包含：插头及软排线，插头包含：基座；置放区，位于基座并供软排线连接定位；及转折区，相邻于置放区一侧。软排线包含：第一绝缘层；第二绝缘层，用以结合该第一绝缘层，第二绝缘层包含承载部，承载部露出于第一绝缘层；导电层，位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，具有位于承载部外露的传输导电组，导电层与第一绝缘层与第二绝缘层定位于置放区；及弯折部，位于传输导电组与承载部，弯折部并在转折区形成弯折而定位传输导电组。
连接器及其插座

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202210820070.6在审
发明人：赵晟原;吕伦钟;丁有光;朱在焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：所述显示装置包括基底、半导体层、第一导电层和第一栅极绝缘层。所述半导体层设置在所述基底上并且包括第一区域和第二区域。所述第一导电层设置在所述半导体层上，并且包括与所述第一区域重叠第一栅极图案和与所述第二区域重叠的第二栅极图案。所述第一栅极绝缘层设置在所述半导体层与所述第一导电层之间，并且包括与所述第一区域和所述第二区域重叠的第一绝缘层、与所述第一区域和所述第二区域重叠的第二绝缘层、以及不与所述第一区域重叠而与所述第二区域重叠的第三绝缘层所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间，并且具有比所述第三绝缘层的介电常数大的介电常数。
显示装置制造方法