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[发明专利]低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件-CN03128623.2无效
发明人：中川秀夫;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。
介电常数绝缘形成用材方法半导体器件

[发明专利]隔离器-CN202110878852.0在审
发明人：大黑达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：实施方式的隔离器具有下部电极、第一绝缘层、第二绝缘层、上部电极和低介电常数部。所述第一绝缘层设置于所述下部电极上，在上部具有突部。所述第二绝缘层设置于所述突部上，从所述突部的正上方区域向侧方延伸。所述第二绝缘层的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数高。所述上部电极与所述第二绝缘层的上表面接触。所述低介电常数部与所述突部的侧面以及所述第二绝缘层的下表面接触。所述低介电常数部的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数低。
隔离器

[发明专利]电缆绝缘层老化程度的测试方法和装置-CN202110957166.2在审
发明人：潘泽华;叶宽;闫春江;郭卫;门业堃;戴润东;周士贻;任志刚;赵建勇;李华春;及洪泉;段大鹏 -专利权人：国网北京市电力公司;国家电网有限公司;中国电力科学研究院有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种电缆绝缘层老化程度的测试方法和装置，该方法包括：测试至少三个直流偏压下待测试电缆绝缘层的介电常数，得到至少三个目标介电常数；根据直流偏压和目标介电常数确定待测试电缆绝缘层的介电常数的变化率，介电常数的变化率用于表征待测试电缆绝缘层的老化程度。由于根据测试研究发现介电常数的变化率与电缆绝缘层的热老化处理时间正相关，该测试方法根据介电常数的变化率可以准确评估待测试电缆绝缘层的老化程度，以解决现有技术中电缆绝缘层的历史数据未知导致老化程度的评估不准确的问题
电缆绝缘老化程度测试方法装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610135633.9无效
发明人：平濑顺司;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄;濑部绍夫;相田和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体装置，在使用高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，不会恶化高介电常数栅极绝缘膜，提高MISFET的特性。在基板(1)的活性区域上通过高介电常数栅极绝缘膜(4A)形成栅电极(5)。在栅电极(5)的侧面上形成具有高介电常数的绝缘性侧壁(7)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610093872.2有效
发明人：平濑顺司;濑部绍夫;粉谷直树;冈崎玄;相田和彦;竹冈慎治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：目的在于：在使用了高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，在不使高介电常数栅极绝缘膜劣化的情况下，提高MISFET的特性。夹着高介电常数栅极绝缘膜4A在衬底1的活性区域上形成有栅极电极5。在栅极电极5的侧面形成有绝缘性侧壁7。高介电常数栅极绝缘膜4A从栅极电极5的下侧连续形成到侧壁7的下侧。高介电常数栅极绝缘膜4A中的侧壁7的下侧区域的厚度小于高介电常数栅极绝缘膜4A中的栅极电极5的下侧区域的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]柔性扁平电缆-CN201180019528.8有效
发明人：依田直人;坂口英二;林重雄 -专利权人：东京特殊电线株式会社
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：柔性扁平电缆配备有：泡沫聚酯树脂绝缘层（1a，1b）；分层于泡沫聚酯树脂绝缘层（1a，1b）之间的聚烯烃粘合剂层（2）；以及嵌入聚烯烃粘合剂层（2）中的多条导电线（3a-3d）。聚烯烃粘合剂层（2）的介电常数比泡沫聚酯树脂绝缘层（1a，1b）的介电常数低。为了降低介电常数，首先降低聚烯烃粘合剂层（2）的介电常数，并且导致泡沫聚酯树脂绝缘层（1a，1b）的介电常数大于聚烯烃粘合剂层（2）的介电常数。由于可以降低电缆的介电常数，而不需要通过提高发泡率以降低泡沫聚酯树脂绝缘层的介电常数，可以避免柔性扁平电缆变得易受脆性断裂影响。
柔性扁平电缆

[实用新型]FFC高频传输线结构-CN202123248377.3有效
发明人：叶时堃 -专利权人：叶时堃
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01B7/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FFC高频传输线结构，是由第一低介电常数绝缘层和第二低介电常数绝缘层通过黏着剂压合铜线层而成，因此藉由第一低介电常数绝缘层和第二低介电常数绝缘层的绝缘介电常数低，而不容易储存电子与电洞
ffc 高频传输线结构

[发明专利]半导体器件-CN201910225554.4在审
发明人：李炳训;金完敦;朴钟昊;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底上的多沟道有源图案；在多沟道有源图案上沿多沟道有源图案形成的高介电常数绝缘层，其中高介电常数绝缘层包含金属；在高介电常数绝缘层上沿高介电常数绝缘层形成的氮化硅层；以及氮化硅层上的栅电极
高介电常数绝缘层源图案沟道半导体器件氮化硅层栅电极衬底金属

[发明专利]低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法-CN201180011792.7无效
发明人：清水秀治;永野修次;大桥芳;加田武史;菅原久胜 -专利权人：大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，作为所述绝缘膜材料不使用烃，在形成的低介电常数层间绝缘膜中，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为
介电常数绝缘方法

[发明专利]金属-绝缘体-金属装置、半导体装置及其制造方法-CN202210037316.2在审
发明人：陈永祥;叶玉隆;陈彦秀;庄字周;黄敬泓;陈威良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置、半导体装置及其制造方法。MIM装置可包括第一金属层。MIM装置可包括在第一金属层上的绝缘体堆叠。绝缘体堆叠可包括在第一金属层上的第一高介电常数层。绝缘体堆叠可包括在第一高介电常数层上的低介电常数层。绝缘体堆叠可包括在低介电常数层上的第二高介电常数层。MIM装置可包括在绝缘体堆叠上的第二金属层。
金属绝缘体装置半导体及其制造方法

[发明专利]一种梯度绝缘子的设计方法、系统及装置-CN202310887133.4在审
发明人：孙鹏;李文栋;张宇程;王超;陈俊鸿;李金殊;刘子豪;邓军波;张冠军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本申请适用于高电压电力设备制备技术领域，提供了一种梯度绝缘子的设计方法、系统及装置，包括：获取第一介电常数，第一介电常数用于表征采用点阵材料的梯度绝缘子的介电常数；对第一介电常数进行优化处理，得到第二介电常数；将第二介电常数输入第一预测模型，获得第一半径，第一预测模型是基于梯度绝缘子的桁架半径样本数据和梯度绝缘子的介电常数样本数据训练得到的；基于第一半径，生成梯度绝缘子的三维结构模型。通过上述方式，不仅能够在不改变绝缘子的几何结构的基础上，有效优化梯度绝缘子的沿面电场分布和缓解局部电场集中现象，从而大幅提升绝缘子的绝缘性能，有效减少梯度绝缘子沿面闪络的发生，还能够有力促进电力设备小型化发展
一种梯度绝缘子设计方法系统装置

[实用新型]一种带有高介电常数薄膜的绝缘子及气体绝缘开关-CN201820817463.0有效
发明人：张逸凡;傅明利;王邸博;侯帅;卓然;惠宝军;罗颜;景一;黄之明 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01B17/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力设备绝缘部件技术领域，公开了一种带有高介电常数薄膜的绝缘子及气体绝缘开关，带有高介电常数薄膜的绝缘子包括绝缘子本体以及连接在绝缘子本体上的中央导体，绝缘子本体上具有用于填充绝缘气体的腔体，中央导体的一端穿过腔体；腔体的内表面、中央导体以及绝缘气体的交界处上涂覆有高介电常数薄膜。通过在腔体的内表面与中央导体和绝缘气体的交界处上涂覆高介电常数薄膜，有效地降低腔体的内表面与中央导体和绝缘气体的交界处上的电场法向分量，从而避免带有高介电常数薄膜的绝缘子在腔体的内表面与中央导体和绝缘气体的交界处的电场强度存在局部集中，进而避免带有高介电常数薄膜的绝缘子发生闪络击穿的绝缘故障。
高介电常数薄膜中央导体腔体绝缘子绝缘气体交界处内表面绝缘子本体气体绝缘开关涂覆绝缘子发生闪络填充绝缘气体本实用新型电力设备局部集中绝缘部件绝缘故障电场法有效地击穿穿过

[实用新型]导体引出装置-CN200920009000.2有效
发明人：榎靖弘 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01B17/58 文献下载
摘要：本实用新型提供一种导体引出装置，支持跨介电常数有差别的绝缘区域引出的导体用的绝缘支持体中，使介电常数低的绝缘区域侧的绝缘支持体的电场通过简单的构成缓和。将绝缘支持体的突出部，从其表里面夹入的上部法兰和下部法兰中，使介电常数小的绝缘区域侧的法兰内面和绝缘支持体间的距离，比介电常数大的绝缘区域侧的法兰内面和绝缘支持体间的距离大。
导体引出装置

[发明专利]FFC高频传输线结构-CN202111580182.0在审
发明人：叶时堃 -专利权人：叶时堃
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01B7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种FFC高频传输线结构，是由第一低介电常数绝缘层、第二低介电常数绝缘层、第一高熔点耐热层和第二高熔点耐热层通过黏着胶压合铜线层而成，因此藉由各低介电常数绝缘层的绝缘介电常数低，而不容易储存电子与电洞，使得电子可以在铜线自由流动而不会被吸引(储存)，进而达到信息传导效率高，高频传导中损耗低的目的，另外，藉由熔点高于各低介电常数绝缘层的高熔点耐热层，得以避免该FFC高频传输线结构在黏着胶压合的过程中，熔点较低的各低介电常数绝缘层受到损坏。
ffc 高频传输线结构

[实用新型]FFC高频传输线结构-CN202123244518.4有效
发明人：叶时堃 -专利权人：叶时堃
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01B7/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FFC高频传输线结构，是由第一低介电常数绝缘层、第二低介电常数绝缘层、第一高熔点耐热层和第二高熔点耐热层通过黏着胶压合铜线层而成，因此借由各低介电常数绝缘层的绝缘介电常数低，而不容易储存电子与电洞，使得电子可以在铜线自由流动而不会被吸引(储存)，进而达到信息传导效率高，高频传导中损耗低的目的，另外，借由熔点高于各低介电常数绝缘层的高熔点耐热层，得以避免该FFC高频传输线结构在黏着胶压合的过程中，熔点较低的各低介电常数绝缘层受到损坏。
ffc 高频传输线结构

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