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[发明专利]半导体处理系统、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法-CN202110214742.4有效
发明人：陈威良;庄字周;黄敬泓;刘彩吉;陈彦秀;叶玉隆;陈永祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：提供一种半导体处理系统以在金属‑绝缘体‑金属电容器中形成电容器介电层。所述半导体处理系统包括：前体槽，被配置成从金属有机固体前体产生前体气体；处理室，被配置成执行等离子体增强化学气相沉积；以及至少一个缓冲槽，位于所述前体槽与所述处理室之间。所述至少一个缓冲槽通过第一管道耦合到所述前体槽，并通过第二管道耦合到所述处理室。
半导体处理系统金属绝缘体电容器及其形成方法

[发明专利]包含外延硅层的半导体装置及其形成方法-CN201811284390.4有效
发明人：郑有宏;江柏融;陈彦秀;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例涉及包含外延硅层的半导体装置和其形成方法。一种制造半导体装置的方法包含：提供衬底，衬底包含第一导电类型的第一半导电区和位于第一半导电区上方的门结构，其中门结构之间的间隙暴露第一半导电区的部分；和从第一半导电区的经暴露部分开始在间隙中形成第二导电类型的第二半导电区。形成第二半导电区包含：在腔中在毗邻于门结构的侧壁周围以第一生长速率生长外延富硅层，第一生长速率大于中心部分处的第二生长速率；和在腔中利用蚀刻剂以第一蚀刻速率在毗邻于门结构的侧壁周围部分地去除外延富硅层，第一蚀刻速率大于中心部分处的第二蚀刻速率。
包含外延半导体装置及其形成方法

[发明专利]金属-绝缘体-金属装置、半导体装置及其制造方法-CN202210037316.2在审
发明人：陈永祥;叶玉隆;陈彦秀;庄字周;黄敬泓;陈威良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置、半导体装置及其制造方法。MIM装置可包括第一金属层。MIM装置可包括在第一金属层上的绝缘体堆叠。绝缘体堆叠可包括在第一金属层上的第一高介电常数层。绝缘体堆叠可包括在第一高介电常数层上的低介电常数层。绝缘体堆叠可包括在低介电常数层上的第二高介电常数层。MIM装置可包括在绝缘体堆叠上的第二金属层。
金属绝缘体装置半导体及其制造方法

[发明专利]像素传感器及制造其的方法-CN202210021378.4在审
发明人：陈政贤;陈永祥;李家豪;叶玉隆;陈彦秀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种像素传感器及制造其的方法，所述方法在衬底上沉积接触刻蚀停止层。接触刻蚀停止层包括小于约12％的氢。沉积接触刻蚀停止层包括在高于约600℃的温度、高于约150Torr的压力和/或在至少高于约70:1的比例的NH3和SiH4下沉积接触刻蚀停止层材料。在接触刻蚀停止层上方沉积硅基层。进行刻蚀操作进入硅基层中直到到达接触刻蚀停止层，以形成沟槽隔离结构。本发明可以减少(或消除)鬼影效果。
像素传感器制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210147462.0在审
发明人：张凯岚;叶玉隆;陈彦秀;戴硕彦;陈永祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开提供一种方法，所述方法包括在半导体结构的微机电系统结构上方和通道上方形成密封结构的第一金属层，所述通道通过半导体结构的MEMS结构至集成电路形成。第一金属层在第一温度下形成。所述方法包括在第一金属层之上形成第二金属层。第二金属层在低于第一温度的第二温度下形成。所述方法包括执行第一冷却工艺以冷却半导体结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成绝缘体上硅结构的方法-CN201911205419.X有效
发明人：郑有宏;陈步芳;吴政达;江柏融;李汝谅;卢一斌;陈彦秀;杜友伦;叶玉隆;林诗杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请的各个实施例涉及一种形成具有杂质竞争层的绝缘体上硅(SOI)器件的方法以及SOI结构，以在退火工艺期间吸收潜在的污染物金属颗粒。在一些实施例中，在伪衬底上形成杂质竞争层。在支撑衬底上方形成绝缘层。将伪晶圆的前侧接合到绝缘层。执行退火工艺，其中杂质竞争层从伪衬底的上部吸收金属。然后，去除包括杂质竞争层的伪衬底的主要部分，在绝缘层上留下伪衬底的器件层。本发明的实施例还涉及形成绝缘体上硅结构的方法。
形成绝缘体结构方法

[发明专利]一种通用型真空灭弧装置-CN202011529418.3有效
发明人：赵昕;张宽;矫姝姝;王海霞;司士交;张立达;陈彦秀;张维清;王云鹏 -专利权人：东方电子股份有限公司;烟台东方科技环保节能有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01H33/664 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用型真空灭弧装置，包括安装管，所述安装管的两端开口，所述安装管中设置有活塞连接柱与活塞驱动杆，所述活塞连接柱为柱状结构并滑动连接至所述安装管中与所述安装管间隙配合；所述活塞驱动杆滑动连接至所述安装管中，所述活塞驱动杆的一端伸出所述安装管一端；贯穿所述安装管的内壁径向设置有第一触头，所述第一触头设置于所述安装管的近中部并与所述安装管的内壁齐平；所述活塞连接柱上镶嵌设置有第二触头，所述第二触头能够随所述活塞连接柱的滑动与所述第一触头接触，所述活塞连接柱与所述活塞驱动杆的位于所述安装管的位置均设置有至少一条密封环，所述活塞连接柱与所述活塞驱动杆均为陶瓷材料制成。
一种通用型真空装置

[发明专利]二极管的表面损坏控制-CN202210041511.2在审
发明人：吴亭莹;陈永祥;叶玉隆;陈彦秀;陈威良;何盈苍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开总体涉及二极管的表面损坏控制。公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底内的第一阱区域、设置为与第一阱区域相邻并且在衬底内的第二阱区域、以及设置在第一阱区域内的阱区域阵列。第一阱区域包括第一类型掺杂剂，第二阱区域包括不同于第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂，并且阱区域阵列包括第二类型掺杂剂。该半导体器件还包括设置在阱区域阵列上并且在衬底内的金属硅化物层、设置在金属硅化物层上并且在衬底内的金属硅化物氮化物层、以及设置在金属硅化物氮化物层上的接触件结构。
二极管表面损坏控制

[发明专利]一种变电站周期性维护的管理方法及系统-CN202111582933.2在审
发明人：瞿旭;伍艺佳;陈彦秀;李海燕;邓燚;于艺盛 -专利权人：国网湖南省电力有限公司;国网湖南省电力有限公司检修公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本发明涉及变电站运维检修技术领域，公开了一种变电站周期性维护的管理方法及系统，该方法包括根据预设维护计划生成维护信息库，预设维护信息库包括预设维护周期和预设维护时长；基于维护信息库提醒维护人员执行维护工作；获取实际的维护工作中的实际维护信息；采用预设维护分析模型对维护信息库和实际维护信息进行比对，在比对结果包括维护异常信息时，基于维护异常信息生成提示信息以提醒维护人员执行维护工作。可以对维护人员的维护工作进行智能管控分析，在维护异常时，及时提醒工作人员展开维护工作，提升维护的监管力度，便于推展维护工作。
一种变电站周期性维护管理方法系统

[发明专利]一种变电站周期性巡视的管理方法及系统-CN202111580533.8在审
发明人：伍艺佳;邓燚;瞿旭;陈彦秀;李国栋;李海燕;董凯;漆展;章健军;于艺盛;杨帅雄;夏建勋 -专利权人：国网湖南省电力有限公司;国网湖南省电力有限公司检修公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本发明涉及变电站检修技术领域，公开了一种变电站周期性巡视的管理方法及系统，该方法包括形成预设巡视计划，预设巡视计划包括巡视时间节点、预设巡视时长、巡视类型信息以及预设巡视周期；基于预设巡视计划提醒巡视人员执行巡视工作；获取巡视工作对应的实际巡视信息，将实际巡视信息和预设巡视计划进行比对生成巡视结果，通过将实际巡视信息和预设巡视计划进行比对生成巡视结果。这样，基于预设巡视计划可以提醒巡视人员对变电站进行周期性巡视工作，并实时监督巡视人员的巡视信息，可以提高巡视监管力度，提升巡视质量。
一种变电站周期性巡视管理方法系统

[发明专利]一种利用生活污泥制备污泥陶粒的方法-CN202210055886.4在审
发明人：李刚;陈彦秀;张仲皓;杨宇航;莫言鑫 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及城市污泥处理领域，具体涉及一种利用污水厂生活污泥制备污泥陶粒的方法。所述方法如下步骤：(1)将生活污泥中投加高岭土进行混凝脱水，得到脱水后的生活污泥和高岭土混合物；(2)将步骤(1)得到的混合物、高岭土、粘结剂捣制混匀；(3)将步骤(2)得到的混合物进行造粒制成陶粒胚体，随后烘干；(4)将步骤(3)得到的烘干后陶粒胚体进行烧结，得到污泥陶粒。本发明工艺简单，在造粒原料配比前投加高岭土，使其参与污泥混凝脱水阶段，利用高岭土的干燥性、吸附性降低污泥含水率，而且有助于造粒成分需要，减少了造粒原料配比投加量，节省了成本、有利于环境各方面的性能都较好。
一种利用生活污泥制备陶粒方法

[发明专利]一种鳞片状超细氢氧化镁的制备方法和应用-CN202111328458.6在审
发明人：李刚;张仲浩;陈彦秀;王娜;严钰红 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C01F5/14 文献下载
摘要：本发明涉及氢氧化镁制备技术领域，具体涉及到一种鳞片状超细氢氧化镁的制备方法和应用。所述方法包括以下步骤：步骤一：将阳离子交换树脂与镁盐溶液混匀，获得镁型树脂；步骤二：配制六次甲基四胺溶液，将六次甲基四胺溶液与步骤一得到的镁型树脂加入反应容器中，加热搅拌，随后过滤，得到超细氢氧化镁浑浊液；步骤三：将步骤二得到的超细氢氧化镁浑浊液分离、干燥，随后研磨得到鳞片状超细氢氧化镁。通过本发明制备的超细氢氧化镁，产品的形貌规整统一，呈鳞片状，分散性更好，减少产品之间的团聚性，能够更易于分散在材料中；将其应用于阻燃剂中，阻燃性能更稳定。
一种鳞片状氢氧化镁制备方法应用

[实用新型]一种高浓度酸洗废液的处理回收装置-CN202120471216.1有效
发明人：李刚;王娜;陈彦秀;王晓昱 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C02F1/469 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高浓度酸洗废液的处理回收装置，属于酸洗废液处理技术领域。所述装置包括：扩散渗析室、酸洗废液池和电化学反应室。通过扩散渗析室与电化学反应室相连，将扩散渗析与电化学技术相结合处理酸洗废液，回收酸洗废液中的酸和铁等金属离子，操作简单，成本低廉，可实现酸洗废液中的酸、金属离子和重金属等有用资源循环利用。
一种浓度酸洗废液处理回收装置

[实用新型]一种环网柜用空气干燥装置-CN202023144797.2有效
发明人： 陈彦秀;张宽;徐志鹏;司士交;王海霞;张立达;赵家鑫;孟俊宇;闫龙华 -专利权人：东方电子股份有限公司;烟台东方科技环保节能有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H02B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种环网柜用空气干燥装置，包括安装壳与制冷器，所述安装壳固定至环网柜的柜体上，所述制冷器安装至所述安装壳中，所述安装壳的顶部设置有进风口，所述安装壳的底部设置有接水槽，所述接水槽底部设置有排水管，所述排水管的出水口连通至环网柜外；所述制冷器设置于所述进风口与接水槽之间。实用新型的一个用途是，利用制冷器将环网柜中的潮湿空气进行冷凝，从而将空气中的水分冷凝成水滴并存储至接水槽中，积水通过排水管排出环网柜，从而保持了环网柜中的空气干燥，且无需人工操作，操作更方便，能够进行长期干燥。
一种环网柜用空气干燥装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110558088.9在审
发明人：陈永祥;叶玉隆;陈彦秀;苏柏菖;陈政贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了半导体器件。半导体器件包括位于衬底内的第一深沟槽隔离(DTI)结构。第一DTI结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构。介电结构位于阻挡结构和铜结构之间。阻挡结构位于衬底和介电结构之间。本申请的实施例还提供了用于形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

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