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[发明专利]一种十字棱台图形化衬底、制备方法及其应用-CN201710972485.4有效
发明人：杨为家;刘俊杰;唐秀凤;刘铭全;赵志诚;刘均炎;何鑫 -专利权人：五邑大学
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种十字棱台图形化衬底，包括由下往上依次层叠的衬底底部和十字棱台图案，所述十字棱台图案的直径为500‑950nm，高度为150‑500nm。本发明的十字棱台图形化衬底制备方法简单易操作，有利于降低生产成本；纳米微球可以多次重复使用，且通过更换直径不同的微球，即可获得规格不同的十字棱台图案，有利于降低生产成本；制备的十字棱台图形化蓝宝石衬底，能够促进薄膜的横向生长，有利于后续生长高质量低缺陷的薄膜，可大幅度提高LED的发光效率；制备的十字棱台图形化衬底能够增加光的反射从而提高LED、LD器件的出光效率。
一种十字图形衬底制备方法及其应用

[发明专利]一种十字锥形量子点及其制备方法、应用-CN201710972249.2有效
发明人：杨为家;刘铭全;刘俊杰;刘均炎;何鑫;唐秀凤;曾庆光 -专利权人：五邑大学
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C09K11/87 文献下载
摘要：本发明公开了十字锥形量子点，包括由下至上依次排列的衬底和十字锥形量子点。本发明还公开了上述十字锥形量子点的制备方法及应用。本发明的制备的十字锥形量子点具有尺寸可控、分布均匀性好等特点，制备方法具有生长工艺简单，成本低廉的优点。
一种十字锥形量子及其制备方法应用

[发明专利]一种新型雪崩二极管光电探测器及其制备方法-CN201710971045.7有效
发明人：杨为家;刘均炎;刘铭全;刘俊杰;沈耿哲;何鑫;曾庆光 -专利权人：五邑大学
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型雪崩二极管光电探测器，包括由下往上依次层叠的N型电极、N型重掺杂层、单晶衬底、金属多功能层、InGaAs吸收层、P型重掺杂InGaAs层和P型电极。本发明适用范围广，可以在多种衬底上实现新型雪崩二极管光电探测器(APD)的可控生长，衬底可以采用多种材料，通过更换不同的衬底可实现可见光APD和红外APD，有利于降低生产成本；单晶衬底具有非常好的晶格完整性，更容易产生晶格碰撞，激发出更多的雪崩电子，提高APD的效率；新型APD的结构更加简单，金属多功能层可以同时起到外延缓冲层、电荷控制层、反射层和降低电子进入倍增层势垒的作用，其中反射层可将吸收层没有吸收完全的光再次反射到吸收层中，提高吸收效率。
一种新型雪崩二极管光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种微流控芯片管道与微流控芯片-CN202111670916.4在审
发明人： 刘铭全 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种微流控芯片管道与微流控芯片，属于微流控芯片技术领域，其包括管道主体，管道主体的内壁划分有相对设置的第一区域与第二区域，第一区域沿管道主体的延伸方向划分为依次交替排列的若干第一表面能区与若干第二表面能区，第二区域沿管道主体的延伸方向划分为依次交替排列的若干第三表面能区与若干第四表面能区，且第一表面能区与第四表面能区相对设置，第二表面能区与第三表面能区相对设置，相对设置的两个表面能区的表面能不相等。本申请既能提高液体的混合程度，又能避免材料本身及反应生成的副产物在管道内壁沉积。
一种微流控芯片管道

[发明专利]电致发光器件及显示装置-CN202111340838.1在审
发明人： 刘铭全 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：本申请公开了一种电致发光器件及显示装置，电致发光器件包括底电极、与所述底电极相对设置的顶电极以及设置于底电极与顶电极之间的发光层，底电极包括一第一电极和至少一个第二电极，第一电极靠近所述发光层的一侧设有至少一个凹槽，第二电极设置于所述凹槽，第一电极与所述第二电极的功函数不相同，促进电流均匀分布于发光区域，将所述电致发光器件应用于显示装置中，能够改善电流压降的问题，促进显示装置的屏幕电流密度分布，有效避免因电流密度分布不均匀而导致的驱动电压升高、像素局部产热量高等现象，有利于屏幕电致发光的亮度均匀性和稳定性，从而提高显示装置的显示效果。
电致发光器件显示装置

[发明专利]一种发光二极管及显示设备-CN202111024508.1在审
发明人： 刘铭全 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本申请中提供一种发光二极管，包括：电极层，所述电极层包括间隔设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别用于连接交流电电源的正负极；第一发光单元，所述第一发光单元设置于所述电极层的一侧；第二发光单元，所述第二发光单元设置于所述电极层远离所述第一发光单元的一侧。本申请通过在电极层的两侧分别设置第一发光单元和第二发光单元，在发光二极管被施加交流电进行驱动时，电极层的两侧均会产生电场。第一发光单元和第二发光单元可以在电极层两侧电场的作用下同时发光，从而提高发光效率。
一种发光二极管显示设备

[发明专利]发光器件及其制备方法-CN202110888664.6在审
发明人： 刘铭全 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层以及阴极，所述空穴传输层包括第一子空穴传输本体层、空穴传输掺杂层和第二子空穴传输本体层，所述空穴传输掺杂层和所述第二子空穴传输本体层同层设置于所述第一子空穴传输本体层靠近所述发光层的一侧，所述空穴传输掺杂层掺杂有磷光分子，所述磷光分子的掺杂质量百分比为15％‑80％。本申请提高了发光器件整体的发光效率。
发光器件及其制备方法

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202110759139.4在审
发明人： 刘铭全 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10K50/852 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括阳极、阴极、设置于阳极和阴极之间的量子点发光层，还包括设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括具有周期性缺陷的光子晶体结构，所述阳极为出光侧。具有周期性缺陷的光子晶体结构中的一个缺陷等效于一个光学谐振腔，在光子晶体的光栅衍射效应与光学谐振腔的束流准直效应的作用下，避免了出射光全发射的发生，提高了量子点发光二极管的光提取率。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]量子点发光器件及其制备方法、显示面板-CN202110624052.6在审
发明人： 刘铭全 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板，量子点发光器件包括间隔设于衬底上的第一电极和第二电极、第一绝缘层、设置于第一绝缘层上的空穴功能层和电子功能层、设置于空穴功能层和电子功能层上的量子点发光层、设置于量子点发光层上的第三电极和第四电极，第三电极与第一电极对应，第四电极与第二电极对应；通过调节第一电极对应的偏转电压的大小及正负、第二电极对应的偏转电压的大小及正负，可以不同程度地增强或抑制空穴和电子的注入能力，以达到量子点发光器件所需的最佳载流子注入状态。
量子发光器件及其制备方法显示面板

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202011640284.2在审
发明人： 刘铭全 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括：在第一电极上形成具有镂空区域的限定涂层，所述限定涂层远离第一电极的表面具有第一微纳结构；在镂空区域形成量子点层；在量子点层和限定涂层上形成第二电极，得到量子点发光二极管。由于限定涂层的表面具有第一微纳结构，该结构使限定涂层覆盖区域具有超疏水性，限定涂层未覆盖的镂空区域与待沉积的量子点具有相似的亲水性，利用不同区域之间亲疏水性能的差异，使量子点溶液会选择性地附着于镂空区域，提高量子点在镂空区域的附着性，从而获得规则、高精度的图案化量子点。本发明方法无需量子点与光刻胶等化学成分混合，从而避免了量子点受光刻胶化学成分的影响，确保了器件的稳定性。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法-CN201810415270.7有效
发明人：杨为家;何鑫;刘铭全;刘俊杰;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，所述Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线。本发明的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中包裹金属纳米线来增强器件的性能，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸；通过在ZnO层中包裹金属纳米线，可以提高ZnO阻变存贮器的相应速率，赋予阻变存贮器良好的稳定性。
一种 ag 纳米增强 zno 存贮器及其制备方法

[发明专利]一种耐弱酸腐蚀的多孔氧化物薄膜的制备方法-CN201811487086.X有效
发明人：杨为家;王诺媛;刘艳怡;刘俊杰;刘铭全;何鑫;陈梅 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜技术领域，尤其是一种耐弱酸腐蚀的多孔氧化物薄膜的制备方法，本发明以醋酸盐为原料，以氯化锌、聚乙二醇为造孔剂，乙二醇为溶剂，通过高温烧结，以及采用弱酸腐蚀进一步造孔，最终得到耐弱酸腐蚀的多孔氧化物薄膜；本发明制备设备成熟，工艺简单，制备成本低；在烧结过程中，醋酸盐分解成耐弱酸的金属氧化物、水和二氧化碳，ZnCl2与醋酸根或者聚乙二醇一起反应，分解成ZnO、氯化氢、水、二氧化碳，氯化氢、水、二氧化碳挥发出来形成孔洞；由于ZnCl2速率较快，因而形成了长度较短的纳米柱；本发明制备晶须增强多孔ZnO薄膜，晶须是单晶ZnO纳米柱，具有优异的性能，可广泛应用于气敏探测器和光催化降解等领域。
一种弱酸腐蚀多孔氧化物薄膜制备方法

[发明专利]一种晶须增强多孔ZnO薄膜的制备方法-CN201811487077.0有效
发明人：杨为家;沈耿哲;刘志豪;陈柏桦;刘俊杰;刘铭全;何鑫 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明提供一种晶须增强多孔ZnO薄膜的制备方法，本发明以以醋酸锌为原料，以氯化锌和聚乙二醇为造孔剂，乙醇为溶剂，通过制备前驱体溶液和前驱体薄膜、以及高温烧结制备得到晶须增强多孔ZnO薄膜，该薄膜表面布满了各式各样的孔洞，且分布有很多凸起的晶须，具有良好的光催化降解性能；并且适用范围广，可以硅片、金属、导电玻璃等多种衬底上制备晶须增强多孔ZnO薄膜；制备设备成熟，工艺简单，成本有望降低5％；本发明制备晶须增强多孔ZnO薄膜，晶须是单晶ZnO纳米柱，具有优异的性能，适用范围广，有望在气敏探测器和光催化降解等领域发挥积极作用。
一种增强多孔 zno 薄膜制备方法

[发明专利]具有三级孔结构的SnO2-CN201810840046.2有效
发明人：杨为家;陈柏桦;何鑫;陈梅;刘俊杰;刘铭全;王诺媛;徐维;赵丽特 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B05D1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三级孔结构的SnO2多孔薄膜，其一级孔的直径为1‑5μm，二级孔的直径为500‑800nm，三级孔的直径为1‑8nm。其制备方法包括以下步骤：(1)将造孔剂溶解于乙醇中，然后加入多通孔SnO2纳米颗粒，超声震荡，得到SnO2‑有机物混合溶液；(2)使用印刷技术将SnO2‑有机物混合溶液均匀涂覆到基板上，并在加热电板上烘烤，得到多孔SnO2‑有机物混合薄膜；(3)将得到的多孔SnO2‑有机物混合薄膜依次进行第一升温、第一保温、第二升温、第二保温过程，得到所述具有三级孔结构的SnO2多孔薄膜。所述具有三级孔结构的SnO2多孔薄膜可用于光电传感器、气敏传感器等领域，其具有尺寸可控、分布均匀性好等优点。
具有三级结构 sno base sub

[发明专利]一种网格状纳米线及其制备方法-CN201810521042.8有效
发明人：杨为家;何鑫;梁萍;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;陈廷宇 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种网格状纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)设计网格图案，并按照网格图案制成掩膜板；(2)采用PECVD或者磁控溅射法在衬底上制备一层厚度为20‑300nm的SiO2薄膜；(3)在SiO2薄膜上旋涂光刻胶，使用步骤(1)中制备好的掩膜板进行曝光处理，在SiO2薄膜上获得生长网格状纳米线所需的网格图案，得到曝光处理后的SiO2薄膜；(4)采用RIE或者ICP刻蚀所述曝光处理后的SiO2薄膜，刻蚀直至衬底，得到刻蚀后的衬底，从而在衬底上获得生长网格状纳米线所需的网格图案；(5)在刻蚀后的衬底的网格状模板上利用水热法生长网格状纳米线；(6)将网格状纳米线从衬底上剥离出来，从而获得网格状纳米线。
一种网格纳米及其制备方法

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