专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法-CN201610140129.1有效
  • 张利斌;董立松;苏晓菁;韦亚一 - 中国科学院微电子研究所
  • 2016-03-11 - 2017-10-24 - G03F9/00
  • 本发明公开了一种五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法。在该五级衍射光栅结构包括晶圆以及形成于晶圆上的光栅图形结构。光栅图形结构由光栅精细结构单元组成,光栅精细结构单元的宽度为一个光栅周期,所述光栅精细结构单元在宽度方向上等分为20个区域,每个区域上设置有第一图形结构1st或第二图形结构2nd;1st和2nd在光栅图形结构的宽度方向上按照不同顺序排列形成不同的光栅精细结构单元,所述光栅精细结构单元为第一光栅精细结构单元、第二光栅精细结构单元或第三光栅精细结构单元。该光栅结构能够有效提高光栅的衍射光强,增大光刻时在对准光栅之上涂覆材料及其厚度的可选择范围,降低对准不确定性范围,提高精确对准精度。
  • 衍射光栅结构及其制备方法圆光对准
  • [发明专利]七级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法-CN201610140991.2有效
  • 张利斌;董立松;苏晓菁;韦亚一 - 中国科学院微电子研究所
  • 2016-03-11 - 2017-10-24 - G02B5/18
  • 本发明公开了一种七级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法。在该七级衍射光栅结构包括晶圆以及形成于晶圆上的光栅图形结构。光栅图形结构由光栅精细结构单元组成,光栅精细结构单元的宽度为一个光栅周期,所述光栅精细结构单元在宽度方向上等分为28个区域,每个区域上设置有第一图形结构1st或第二图形结构2nd;1st和2nd在光栅图形结构的宽度方向上按照不同顺序排列形成不同的光栅精细结构单元,所述光栅精细结构单元为第一至第七光栅精细结构单元的任一种。该光栅结构能够有效提高光栅的衍射光强,增大光刻时在对准光栅之上涂覆材料及其厚度的可选择范围,降低对准不确定性范围,提高精确对准精度。
  • 衍射光栅结构及其制备方法圆光对准
  • [发明专利]半导体测量装置及半导体测量方法-CN200680050908.7无效
  • 山田惠三;高荣旭 - 株式会社拓普康
  • 2006-01-31 - 2009-01-28 - H01L21/66
  • 本发明的课题在于提供一种半导体测量装置,用电子束对形成有精细结构的半导体衬底的表面进行二维扫描,测量此时的衬底电流,从而能够评价复杂的精细结构。本发明的半导体测量装置的构成为,对半导体衬底照射电子束,根据由该电子束在所述半导体衬底感应出的衬底电流得到形成于所述半导体衬底的精细结构的评价值,其特征在于,该半导体测量装置包括评价单元,该评价单元根据将所述衬底电流的波形视为微分波形时的该衬底电流的波形,得到所述精细结构的评价值。
  • 半导体测量装置测量方法

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