专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种Rugate滤光片的制备方法-CN202210706712.X有效
  • 章瑛;张东平;于永芹;阮双琛 - 深圳技术大学
  • 2022-06-21 - 2023-08-22 - G02B5/20
  • 本发明实施例公开了一种Rugate滤光片的制备方法,包括:获取待响应的目标响应,利用分离剥层重构算法(Discrete Layer Peeling,DLP)重构出所述目标响应对应的Rugate薄膜的结构参数;利用预设的采样函数对所述Rugate薄膜的结构参数进行设计得到采样架构的结构参数;按照所述采样架构的结构参数在石英或玻璃基底表面进行镀膜得到Rugate滤光片。本发明将采样技术应用于Rugate薄膜滤光片的设计,由于采样周期大小通常数倍于Rugate单个周期,因此该方法只需要亚微米量级的控制精度就能等效实现传统纳米量级的复杂精细结构,从而大大简化了制作工艺,降低了制作成本
  • 一种rugate滤光制备方法
  • [发明专利]形成半导体器件的金属线的方法-CN01135597.2有效
  • 表成奎 - 海力士半导体股份有限公司
  • 2001-10-25 - 2002-05-29 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种形成半导体器件的金属线的方法,其中经过化学增强剂和等离子体处理之后,在扩散隔膜层上沉积一层Cu薄膜,凭此提高具有超精细结构的接触孔的掩埋特性。该方法包括以下步骤在具有预定低级结构的半导体衬底上形成中间绝缘膜层;在所述中间绝缘膜层中形成镶嵌模型;在具有镶嵌模型的整个结构上形成扩散隔膜层;在所述扩散隔膜层上用化学增强剂处理,以在扩散隔膜层上形成化学增强剂薄膜;进行等离子体处理;在整个结构上形成Cu薄膜,以掩埋所述镶嵌模型;和进行抛光处理,以露出中间绝缘膜层的上表面,致使Cu薄膜留在镶嵌模型中。
  • 形成半导体器件金属线方法
  • [发明专利]曲面复合超分辨载流管-CN200810023714.9无效
  • 曹勇;王沛;鲁拥华;明海 - 中国科学技术大学
  • 2008-04-18 - 2008-12-24 - G01N13/10
  • 曲面复合超分辨载流管,其特征是采用中空的曲面载流体,曲面载流体是由至少一层金属层和一层电介质层相间设置构成复合结构,被测样品置于其中空腔内。本发明通过构造金属和电介质的曲面复合结构,使之法线和切线方向介电常数符号相反,使得在普通透镜中无法传播的携带有精细结构信息的高频量在曲面复合超分辨载流管壁内可以传播,且不会发生相互干涉,从载流管外壁曲面出射时点距大于瑞利分辨极限,实现在远场观察到超衍射分辨率极限的纳米级的样品结构,其分辨率高,可避免近场探测的误差,远场成像更便于操作和应用。
  • 曲面复合分辨流管

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