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[发明专利]改善粘附性的方法-CN201611191831.7有效
发明人：凯瑟琳·克鲁克;斯蒂芬·R·伯吉斯;安德鲁·普赖斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种改善半导体衬底与介电层之间的粘附性的方法，包括以下步骤：通过第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体衬底上沉积二氧化硅粘附层；和通过第二PECVD工艺将所述介电层沉积到所述粘附层上；其中，在没有O2或者以250sccm或更低的流速将O2引入所述工艺的情况下，在包含原硅酸四乙酯(TEOS)的气体气氛中进行所述第一PECVD工艺。
改善粘附方法

[发明专利]等离子体生成设备-CN202111092308.X在审
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比;C·L·威迪克斯;I·蒙克里夫;P·登斯利 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种等离子体生成设备。该等离子体生成设备用于对衬底进行等离子体处理，其包括腔室、等离子体产生装置、衬底支撑件和法拉第屏障，腔室具有内表面，等离子体产生装置用于在腔室内产生感应耦合等离子体，衬底支撑件用于在等离子体处理期间支撑衬底，法拉第屏障布置在所述腔室内以用于对内表面的至少一部分进行屏蔽以免受由等离子体处理从衬底移除的材料的影响，其中，等离子体产生装置包括天线和RF电源，RF电源用于将RF电能供应至具有极性的天线，该极性在小于或等于1000Hz的频率下进行交替变化。
等离子体生成设备

[发明专利]沉积方法、含添加物的氮化铝膜及包括该膜的压电器件-CN201610884531.0有效
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;R·辛德曼;阿米特·拉斯托吉;斯科特·海莫尔;康斯坦尼·弗拉戈斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过脉冲DC反应溅射沉积含添加物的氮化铝膜的方法，该氮化铝膜含有选自Sc、Y、Ti、Cr、Mg和Hf中的至少一种添加元素，该方法包括以下步骤：利用施加至膜基底的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述膜基底上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第一层；以及未对所述膜基底施加电偏压功率或利用施加至所述膜基底的比在溅射沉积所述第一层期间所施加的电偏压功率低的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述第一层上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第二层，所述第二层与所述第一层具有相同的组成。
沉积方法添加物氮化包括压电器件

[发明专利]脱气方法-CN201510845590.2有效
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体衬底的脱气方法，所述方法包括：依次将多个半导体衬底装载至脱气装置中；对半导体衬底以并行的方式进行脱气，每个半导体衬底在不同的、与半导体衬底被装载至脱气装置的时间相关的时间开始脱气；以及，当半导体衬底完成脱气后，将所述半导体衬底从所述脱气装置中卸载，而装载顺序靠后的半导体衬底仍然进行脱气；其中，半导体衬底的脱气是在小于10‑4托的压强中进行的，并且在半导体衬底的脱气期间，所述脱气装置是被连续泵送的。
脱气方法

[发明专利]沉积材料的方法和设备-CN201610201666.2有效
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;R·辛德曼;阿米特·拉斯托吉;保罗·埃杜拉多·利马;C·L·威迪克斯;保罗·理查;斯科特·海莫尔;丹尼尔·库克 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及沉积材料的方法和设备。本发明提供一种在腔室内用脉冲DC磁控装置通过脉冲DC磁控溅射将介电材料沉积到衬底上的方法，所述脉冲DC磁控装置产生一个或多个初级磁场；其中，溅射材料从靶材中溅射出，其中，所述靶材和所述衬底隔开2.5～10cm的间隙，并且在所述腔室内产生次级磁场，所述次级磁场引起由所述脉冲DC磁控装置产生的等离子体向所述腔室的一个或多个壁扩展。
沉积材料方法设备

[发明专利]一种对衬底进行处理的方法-CN201510065284.7有效
发明人：安东尼·P·威尔比;斯蒂芬·R·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种使用物理气相沉积(PVD)对衬底进行处理的方法，其中，向衬底提供冷却气体，以使得衬底在PVD工艺过程中被从衬底支承件上升起。
一种衬底进行处理方法

[发明专利]等离子刻蚀装置-CN201510825494.1有效
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种用于刻蚀衬底的等离子刻蚀装置，包括：至少一个处理室；衬底支承件，其位于所述至少一个处理室内；以及等离子体产生设备，其用于产生在刻蚀所述衬底中使用的等离子体，其中，所述等离子体产生设备包括导电线圈，所述导电线圈位于所述至少一个处理室内，并且所述导电线圈由能够被溅镀到所述至少一个处理室的内表面上的金属材料制成。
等离子刻蚀装置

[发明专利]等离子体蚀刻装置-CN201610482830.1有效
发明人：安东尼·P·威尔比;斯蒂芬·R·伯吉斯;I·蒙克里夫;保罗·登斯利;C·L·威迪克斯;保罗·理查;阿德里安·托马斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种用于蚀刻基板的ICP等离子体蚀刻装置，包括：至少一个腔室；放置在所述腔室内的基板支架；等离子体产生器件，产生用于蚀刻所述基板的等离子体；以及保护结构，所述保护结构环绕所述基板支架，从而在使用中保护所述基板的外周部分免受不需要的材料沉积；其中，所述保护结构布置为被电偏压并且由金属材料形成，从而所述金属材料能够从所述保护结构溅射到所述腔室的内表面以使颗粒材料附着至所述内表面。
等离子体蚀刻装置

[发明专利]PE-CVD设备及方法-CN201610136744.5有效
发明人：丹尼尔·T·阿查德;斯蒂芬·R·伯吉斯;马克·I·卡拉瑟斯;安德鲁·普赖斯;基思·E·布查恩;凯瑟琳·克鲁克 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：根据本发明，提供了等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)设备和方法，所述设备包括：包括周向泵送通道的腔室；设置在所述腔室内的基板支撑件；将气体引入到所述腔室中的一个或多个气体入口；在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置；和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件,其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙，并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁，并且，所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙，该第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口，其中，所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽。
pe cvd 设备方法

[发明专利]基板-CN201510315901.4有效
发明人：凯瑟琳·克鲁克;斯蒂芬·R·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：在其上具有介电膜的基板，其中，该介电膜包括介电材料的至少四个堆叠的层；该堆叠的层包括经受压缩应力的压缩性层，以及经受拉伸应力的拉伸性层；并且存在至少两个间隔开的拉伸性层，该至少两个间隔开的拉伸性层中的每一个均与一个或多个压缩性层相邻。
基板

[发明专利]等离子体生成设备-CN201610086116.0在审
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比;C·L·威迪克斯;I·蒙克里夫;P·登斯利 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的等离子体生成设备，包括腔室、等离子体产生装置、衬底支撑件和法拉第屏障，腔室具有内表面，等离子体产生装置用于在腔室内产生感应耦合等离子体，衬底支撑件用于在等离子体处理期间支撑衬底，法拉第屏障布置在所述腔室内以用于对内表面的至少一部分进行屏蔽以免受由等离子体处理从衬底移除的材料的影响，其中，等离子体产生装置包括天线和RF电源，RF电源用于将RF电能供应至具有极性的天线，该极性在小于或等于1000Hz的频率下进行交替变化。
等离子体生成设备

[发明专利]用于处理半导体工件的方法和装置-CN201310351599.9在审
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供了用于处理半导体工件的方法和装置，半导体工件具有正面和背面。该方法包括：将工件的背面放置在沉积室中的工件支架上，以使得工件的正面面朝沉积室以进行处理，沉积室具有相关的沉积室气体压强，并且背面与具有相关背部气体压强的背部区域流体流通；在第一沉积室压强P_c1和第一背压P_b1下执行工件处理步骤，其中，P_c1和P_b1引起压强差P_b1-P_c1，压强差P_b1-P_c1被维持以避免工件与工件支架之间因压强致失去接触；以及，在第二沉积室压强P_c2和第二背压P_b2下执行工件冷却步骤，其中，P_c2和P_b2分别高于P_c1和P_b1，至少P_b2高至足以增强工件的冷却，并且其中，P_c2和P_b2引起压强差P_b2-P_c2，维持压强差P_b2-P_c2以避免工件与工件支架之间因压强致失去接触。
用于处理半导体工件方法装置

[发明专利]蚀刻方法-CN201310277467.6在审
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯;亚历克斯·西奥多西尓 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种在电感耦合等离子体腔内的台板上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在该腔内产生碳质沉积物，该方法包括：(a)中断基片的蚀刻加工；(b)在该腔内运行氧气等离子体或含氧等离子体，并去除气态副产物；以及(c)重新开始基片的蚀刻加工，其特征在于，该方法进一步包括步骤：(d)在步骤(b)之后，在对台板施加偏压的状态下在该腔中运行氩气等离子体。
蚀刻方法

[发明专利]在物理气相沉积期间支撑工件的方法-CN201210193482.8在审
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及在物理气相沉积期间支撑工件的方法以及相关的设备。设置涂有吸热涂层(15)的支撑平面的铝支座(11)。冷却该支座至100℃左右，进行PVD过程以使得在冷却作用下工件的温度在350℃～450℃之间。涂层为惰性和/或超高电压兼容。
物理沉积期间支撑工件方法

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