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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]像素结构及像素结构的制造方法-CN201410408580.8有效
发明人：林冠峄;舒芳安;余宗玮;吴纪良 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触窗结构、像素结构及像素结构的制造方法。该接触窗结构包含第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层及第三金属层。第一绝缘层设置于第一金属层上，且第一绝缘层具有第一开口，第一开口暴露部分第一金属层。第二金属层覆盖第一开口，且通过第一开口接触第一金属层。第二绝缘层设置于第一绝缘层上，且第二绝缘层具有第二开口，第二开口暴露第二金属层及部分第一绝缘层，其中第二开口在第一金属层上的投影区域涵盖第一开口在第一金属层上的投影区域。第三金属层覆盖第二绝缘层及第二开口，且通过第二开口接触第二金属层。本发明提供的接触窗结构可提升光刻工艺的分辨率。
接触结构像素制造方法

[发明专利]线路板及其制作方法-CN201210259801.0有效
发明人：余丞博;黄瀚霈;黄培彰 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开一种线路板的制作方法：通过胶层粘合第一与第二金属箔层；将第一介电层与第三金属箔层分别压合于第一金属箔层与第二金属箔层上；在这些第一介电层中分别形成第一导通孔，其中这些第一导通孔分别连接第一金属箔层与第二金属箔层；进行半加成制作工艺，以在这些第一介电层上分别形成第一线路层，其中第一线路层与第一导通孔连接；将第二介电层与第四金属箔层分别压合于这些第一介电层上；在这些第二介电层与第四金属箔层中分别形成第二，其中第二导通孔连接第一线路层；分离第一与第二金属箔层；图案化第一金属箔层、第二金属箔层与第四金属箔层。
线路板及其制作方法

[发明专利]用合金的超导结构和器件表面终止-CN202180059054.3在审
发明人： B·威莫尔;C·劳吴艾;M·布林克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N60/80 文献下载
摘要：一种制造超导体器件的方法，包括在所述衬底的顶部上提供第一金属层。拒绝所述第一金属层的顶表面的氧化。在所述第一金属层的顶部上沉积第二金属层。在所述第一金属层与所述第二金属层之间产生了所述第一金属层与所述第二金属层的超导合金。在所述超导合金与该第一金属层之间没有氧化物层。
合金超导结构器件表面终止

[发明专利]金属－绝缘层－金属电容器的制造方法-CN200610067991.0有效
发明人：林平伟;巫金佳;姜兆声 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-27 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种金属－绝缘层－金属电容器的制造方法，首先于衬底上形成一层第一金属层，然后，对第一金属层表面进行等离子体处理工艺。接着，于第一金属层上依序形成一层第一氧化层、氮化层及第二氧化层。之后，于第二氧化层上形成一层第二金属层。然后，定义第二金属层、第二氧化层、氮化层、第一氧化层及第一金属层，以形成金属－绝缘层－金属电容器。
金属绝缘电容器制造方法

[实用新型]芯片保护环及芯片-CN201520593103.3有效
发明人：赵耀斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片保护环及芯片，芯片保护环包括至少一列呈间隔层叠分布的多层第一金属层及连接相邻第一金属层的金属插塞；第一金属层及金属插塞位于芯片的介质层内；相邻两第一金属层分别自金属插塞延伸至金属插塞的两侧；且至少位于金属插塞一侧的第一金属层上设有自第一金属层表面延伸至介质层内的第一梳齿部。第一金属层上设有自第一金属层表面延伸至介质层内的第一梳齿部，所述第一梳齿部可以有效地切断裂痕的延伸路径，进而有效地避免裂痕在介质层内部向芯片功能器件区域的延伸。
芯片保护环

[发明专利]金属－绝缘体－金属电容结构及其制法-CN200310117088.7有效
发明人：高境鸿 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供一种金属－绝缘体－金属(MIM)电容，包含有一第一金属层；一第一电容介电层，设于该第一金属层上；一第二金属层，叠设于该第一电容介电层上，其中该第一金属层、该第一电容介电层及该第二金属层构成一下电容结构；一第二电容介电层，设于该第二金属层上；以及一第三金属层，叠设于该第二电容介电层上，其中该第二金属层、该第二电容介电层及该第三金属层构成一上电容结构；其中该第一金属层及该第三金属层电连接该MIM电容的第一电容端点，而该第二金属层则电连接该MIM电容的第二电容端点。
金属绝缘体电容结构及其制法

[发明专利]基于FPC的金属线路结构及其加工方法-CN202110494445.X在审
发明人：陈正能;蔡水河;王允男;王乔晖 -专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPC的金属线路结构及其加工方法，包括：基材膜；第一金属层，第一金属层附着于基材膜的表面；第二金属层，第二金属层位于第一金属层的上方；中间层，中间层设于第一金属层和第二金属层之间，中间层的上下表面分别与第一金属层和第二金属层相连，中间层为不易与第二金属层发生反应的材料。本发明通过在第一金属层和第二金属层之间设置中间层，阻断了第一金属层和第二金属层之间进行扩散，保证了第二金属层维持一定的厚度，使得线路高度不会过高，避免了线路从基材膜上剥离。
基于 fpc 金属线路结构及其加工方法

[实用新型]基于FPC的金属线路结构-CN202120957466.6有效
发明人：陈正能;蔡水河;王允男;王乔晖 -专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPC的金属线路结构，包括：基材膜；第一金属层，第一金属层附着于基材膜的表面；第二金属层，第二金属层位于第一金属层的上方；中间层，中间层设于第一金属层和第二金属层之间，中间层的上下表面分别与第一金属层和第二金属层相连，中间层为不易与第二金属层发生反应的材料。本发明通过在第一金属层和第二金属层之间设置中间层，阻断了第一金属层和第二金属层之间进行扩散，保证了第二金属层维持一定的厚度，使得线路高度不会过高，避免了线路从基材膜上剥离。
基于 fpc 金属线路结构

[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN202210872263.6在审
发明人：郑大伟;陆磊;张盛东;王云萍;严建花;蔡泽宇 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]薄膜金属层接线结构及其制造方法和阵列基板-CN201010201391.5有效
发明人：秦纬;彭志龙 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜金属层接线结构及其制造方法和阵列基板。该薄膜金属层接线结构包括第一金属层图形；第二金属层图形；外部绝缘层，位于第一金属层图形和第二金属层图形之上；多个第一过孔，位于第一金属层图形之上；多个第二过孔，位于第二金属层图形之上，所述第一过孔与所述第二过孔相对设置；多个第三金属层图形，通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述第一金属层图形和第二金属层图形，每个所述第三金属层图形位于相对设置的第一过孔和第二过孔之上。本发明避免了第一过孔和第二过孔之间的第三金属层图形过热熔断。
薄膜金属接线结构及其制造方法阵列

[发明专利]一种显示面板、制作方法和显示装置-CN201811338861.5在审
发明人：杨春辉 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、制作方法和显示装置。显示面板包括：第一衬底；第一金属层、第一绝缘层和半导体层，分别堆叠设置在所述第一衬底上，所述第一金属层、第一绝缘层以及半导体层的形状一致；第二金属层；以及第二绝缘层，覆盖所述堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层、且形成于所述第一金属层和第二金属层之间。本方案通过第二绝缘层对第一金属层和第二金属层进行隔离绝缘，第二绝缘层覆盖堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层，这样确保了显示面板的正常显示。
绝缘层第一金属层半导体层显示面板第二金属层堆叠设置显示装置衬底绝缘层覆盖隔离绝缘形状一致正常显示制作覆盖

[发明专利]一种显示面板、制造方法和显示装置-CN201811338823.X有效
发明人：杨春辉 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、制造方法和显示装置。所述显示面板包括：第一衬底；形成于第一衬底上的第一金属层；第二金属层；以及形成于所述第一金属层和第二金属层之间的黑色色阻层。本方案在第一金属层和第二金属层之间增加了一层黑色色阻层，由于黑色色阻层是具有一定厚度的，这样使得了第一金属和第二金属层之间的相距距离增大，可以使得第一金属层和第二金属层之间的耦合电容减小，进而减小第一金属层和第二金属层电路负载
一种显示面板制造方法显示装置

[实用新型]一种显示装置的连接过孔结构-CN202321137402.7有效
发明人：张东琪;王新志;马鑫兰;伍小丰 -专利权人：信利（仁寿）高端显示科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显示装置的连接过孔结构，包含ITO层，所述的ITO层的下方设有第一连接金属层和第二连接金属层，所述的第一连接金属层与所述的ITO层之间设有第一辅助连接金属层和第一桥接柱，所述的第一辅助连接金属层位于所述的第一桥接柱的上方，所述的第二连接金属层与所述的ITO层之间设有第二桥接柱。在第一桥接柱完成后，再增加一层第一辅助连接金属层，即第一连接金属层和第一辅助连接金属层先连接，第一辅助连接金属层再和ITO层连接。同时，第二连接金属层和ITO层直接连接。这样就实现了第一连接金属层到第二连接金属层的桥接效果。通过增加了第一辅助连接金属层，有效避免了ITO层和第一桥接柱接触不良的现象。
一种显示装置接过结构

[发明专利]电路板的抗硫化结构及其制造方法-CN201811584142.1有效
发明人：简惠贞;吴信鸿 -专利权人：环鸿电子（昆山）有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明提供电路板的抗硫化结构及其制造方法，该抗硫化结构包含有基板、第一抗硫层、第二金属层以及第二抗硫层；其中，基板的表面上设有第一金属层作为导电线路；第一抗硫层局部地形成于第一金属层上，第二金属层覆盖于第一抗硫层上，并在第一抗硫层的周围与第一金属层电性连接；第二抗硫层局部地包覆第二金属层和未被第二金属层覆盖的第一金属层的部分表面，并使第二金属层和第一金属层的部分表面裸露在外，从而通过裸露的第二金属层和第一金属层的表面共同形成可焊区域，使电子组件的针脚能通过焊锡而焊接于上述可焊区域；通过上述抗硫化结构，可有效地防止第一金属层被硫化。
电路板硫化结构及其制造方法

[发明专利]金属复合件及其制备方法-CN202010185531.8有效
发明人：朱文成;徐波玲;付晓青;王潇健;侯康生;王伟 -专利权人：富联裕展科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本申请提供一种金属复合件，包括：第一金属层；及第二金属层，设置于所述第一金属层的表面；第一金属层包括膜层，所述膜层包括第一金属氧化物，所述膜层具有第一孔；第一孔的形状为不规则形状，为多层互通孔；所述第一金属层包括第一金属，第一金属选自铝和铝合金中的一种；第二金属层包括第二金属，第二金属选自不锈钢。本申请还提供了一种金属复合件的制备方法，包括步骤：将金属复合件的前体和第一导电材料分别作为第一电极和第二电极置于第一电解液中；在第一电极与第二电极之间通入交流电以使第一金属形成带第一孔的膜层，以制得第一金属层，形成金属复合件，第一金属选自铝和铝合金中的一种，第二金属选自不锈钢。
金属复合及其制备方法

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