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[发明专利]一种半导体发光元件-CN201980003929.0有效
发明人：李慧文;张东炎;潘冠甫;黄少华;王笃祥 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极与第一类型导电性半导体层形成接触的欧姆接触层。通过第一导电类型的半导体层侧的第一电极侧选择铝镓铟磷作为欧姆接触层和窗口层，替代传统的吸光性欧姆接触材料，可以有效改善透光性。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种半导体发光元件及其制作方法-CN202180001606.5有效
发明人：张东炎;刘文;李慧文;金超;汤国梁;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和所述活性层的边缘；第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域；其特征在于：所述侧壁延伸与所述第一台面相连接形成连接部，所述连接部位于所述第一台面的一侧具有粗化结构。本发明公开所述半导体发光元件及其制备方法，在所述第一导电型半导体层和第一台面的上表面具有粗化结构，可解决侧壁粗化引起的漏电问题，同时提升半导体发光元件的发光亮度。
一种半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制作方法-CN202310088293.2在审
发明人：张东炎;刘文;李慧文;金超;汤国梁;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和所述活性层的边缘；第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域；其特征在于：所述侧壁延伸与所述第一台面相连接形成连接部，所述连接部位于所述第一台面的一侧具有粗化结构。本发明公开所述半导体发光元件及其制备方法，在所述第一导电型半导体层和第一台面的上表面具有粗化结构，可解决侧壁粗化引起的漏电问题，同时提升半导体发光元件的发光亮度。
一种半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及LED芯片的制备方法-CN202011533294.6有效
发明人：沈午祺;张阳阳;张君逸;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；阻挡层，位于外延层的上方且完全覆盖外延层的上表面。由此，本发明能够在芯片粗化过程中对芯片的正面进行保护，同时避免在现有技术中为了保护芯片正面在芯片表面沉积氮化硅，采用化学液去除氮化硅时残留的一些化学键对芯片焊线效果产生的不良影响。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN202210643784.4在审
发明人：郑宏;张东炎;汤国梁;李慧文;金超;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，包括半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度大于活性层侧壁的粗糙度。本发明通过两步蚀刻法对所述半导体外延叠层的侧壁进行分段蚀刻，可有效改善侧壁粗化引起的漏电问题。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN202010717794.9有效
发明人：郑宏;张东炎;汤国梁;李慧文;金超;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，包括半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度大于活性层侧壁的粗糙度。本发明通过两步蚀刻法对所述半导体外延叠层的侧壁进行分段蚀刻，可有效改善侧壁粗化引起的漏电问题。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201910209946.1有效
发明人：李慧文;潘冠甫;林仕尉;金超;杨毅;王笃祥 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与之电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。通过正面电极焊盘下方的金属块可有效防止打线时电介质层脱落。
一种半导体发光元件

[实用新型]一种半导体发光元件、封装体和发光装置-CN201920651244.4有效
发明人：李慧文;潘冠甫;林仕尉;张东炎;界晓菲;白潇;陈艳玲 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的第一电极，第一电极包括用于外部打线的主焊盘电极，主焊盘电极包括与第一导电类型半导体层接触的欧姆接触层和打线层；第一导电类型半导体层下侧的发光层和第二导电类型半导体层；主焊盘电极垂直下方的第二导电类型半导体层下侧具有电流阻挡层；电流阻挡层下侧具有第二电极，所述的打线层的表面形成有规则的高低差，所述的欧姆接触层与第一导电类型半导体层之间的面为平整面。打线层表面侧的台阶设计或多个图形的设计可促进打线力在打线层中横向的分散，减弱打线力垂直向下传输至半导体发光序列下侧的绝缘层上，从而避免位于第一电极的主焊盘电极下方的绝缘层脱落。
第一导电类型半导体层电极打线层主焊盘第一电极打线绝缘层导电类型半导体层半导体发光元件电流阻挡层欧姆接触层表面形成垂直下方垂直向下第二电极发光序列发光装置发光层封装体高低差平整面半导体传输外部

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN201610287708.9有效
发明人：申利莹;张君逸;谢创宇;林仕尉;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，其中所述发光二极管从下至上依次包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层及沟道结构，所述沟道结构位于所述发光层和第二类型半导体层的至少一部分区域，并至少贯穿所述第二类型半导体层，其内填充第一光转换层，所述发光层发射第一波长的光，所述第一光转换层将所述发光层发出的部分第一波长的光转换为第二波长的光。本发明在发光层及其上的半导体层设置沟道结构，于其内填充光转换层，可以增加发光层发出的光的利用率。
发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种半导体晶片切割机-CN201721366020.6有效
发明人： 潘冠甫;陈子天;韩盈 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体晶片切割机，包括切割机构和控制系统，切割机构包括切割装置和位置调整装置，所述切割装置包括用于切割半导体晶片的刀片，所述位置调整装置与所述切割装置连接，用于调整所述刀片的位置；控制系统与所述切割机构连接，用于控制所述切割装置进行切割，并控制所述位置调整装置调整所述刀片的位置；还包括图像采集装置，其与所述控制系统连接，用于收集所述刀片切割晶片后留下的刀痕图像并上传至所述控制系统。本实用新型的半导体晶片切割机，具有以下有益效果：提高刀片高度的检查效率和调节效率，从而大大增加半导体晶片的切割效率；结构简单，成本低，便于操作。
一种半导体晶片切割机

[发明专利]AlGaInP系发光二极管器件-CN201510013690.9有效
发明人：申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaInP系发光二极管器件，依次包括依次包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、窗口层，所述发光层和P型AlGaInP层之间插入GaP层，进一步地所述P型半导体层中至少插入一GaP层。所述GaP层的插入，能带结构上可以有效阻挡电子向P型层泄漏的同时，增加P型层空穴的浓度，因此，可以有效增加发光层中电子和空穴的复合几率，进而，提高发光二极管器件的发光效率。
algainp 发光二极管器件

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201510343269.4有效
发明人：申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开发光二极管的制备方法，具有显著增加光的反射，增强发光二极管发光效率的有益效果，是通过以下步骤实现的（1）提供一生长衬底；（2）在生长衬底上依次沉积缓冲层、N型层、发光层和P型层；（3）分别在N型层和P型层上制备N电极和P电极；（4）对生长衬底背面研磨减薄；（5）提供一与生长衬底直径相同的Si衬底；（6）将Si衬底与生长衬底背面进行对位；（7）通过键合工艺将Si衬底键合在生长衬底背面，然后研磨减薄，形成薄层Si；（8）对生长衬底背面上薄层Si进行热氧化反应，形成Si/SiO2结构；（9）循环步骤（5）~（8），形成n对Si/SiO2组成的DBR结构。
发光二极管制备方法

[发明专利]一种多结太阳能电池-CN201510098572.2有效
发明人：申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结太阳能电池，至少包括一衬底、一位于衬底之上的第一子电池和一位于第一子电池之上的第二子电池；所述第一子电池之上与第二子电池间隙具有DBR结构，所述 DBR结构将第二子电池所需要的太阳光谱反射至第二子电池，并且透过第一子电池所需要的太阳光谱，不仅可以显著提高太阳光的利用率，并且可以根据第一/二子电池对不同太阳光波段吸收的要求设计DBR结构，使所入射光谱与第一/二子太阳能电池所吸收光谱相匹配，同时进一步增加第一/二子电池的光电转换效率，进而提高整体多结太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201610773503.1在审
发明人：申利莹;谢创宇;林仕尉;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池依次包括：导电基板、光阳极、量子点敏化剂、电解液、对电极、透明导电玻璃；所述量子点敏化剂为由CdS量子点层/CuxS壳层组成的量子点结构、或由CdSe量子点层/CuxSe壳层组成的量子点结构、或由CdTe量子点层/CuxTe壳层组成的量子点结构、或为以上量子点结构的任意组合；所述光阳极可以为TiO2纳米层、ZnO纳米层。本发明所设计制备的太阳能电池，壳层具有比光阳极和量子点层更窄的带隙，可以提高空穴的传输效率，使电子和空穴可以快速地分离，降低电池内部的电荷复合，提高电子收集效率，并且相对于传统CdS量子点层结构具有更宽的吸收光谱及更高的光吸收率，因此，可以有效提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种LED晶圆片测试系统-CN201620273270.4有效
发明人：申利莹;张君逸;谢创宇;林仕蔚;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED晶圆片测试系统，包括载片盘、探针盘、控制系统和积分球采集系统；所述探针盘上具有矩阵排列的控制电路和矩阵排列且可伸缩的探针；所述控制电路用于控制探针的伸缩，同时使探针按测试间隔排列并向其输入设置的电流或电压；所述控制系统用于控制矩阵排列的控制电路、设置LED晶圆片的测试间隔及测试电流或电压。采用本测试系统，不必移动载片盘或探针或采集系统，可以快速完成LED晶圆片的抽测或全测，同时测试间隔可根据需要任意调节，由此可以显著缩短LED晶圆片的抽测时间、以及全测时间，提高LED测试系统的测试效率和产能。尤其适用于抽测，在快速完成抽测后可以及时判定LED晶圆片的光电等级后进入后道制程，缩短LED生产周期。
一种 led 晶圆片测试系统

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