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[发明专利]一种硅基OLED微显示屏的定制Gamma校正方法-CN202111484013.7有效
发明人：高红佳;殷照;张雨程;朱鹏;秦昌兵;杨建兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基OLED微显示屏的定制Gamma校正方法，属于微电子及显示技术领域。通过建立定制的Gamma曲线参考函数，并对整个Gamma曲线分析后进行分段，提取每段中特定绑点参数信息作为校正绑点目标值，校正每段特定绑点的亮度值和色坐标值，使每个绑点都达到目标校正绑点的误差范围内，最终得到各个灰阶绑点RGB三路Gamma寄存器的值，并烧录到可编程逻辑存储器中。本发明通过对较少特定绑点的调试，能够快速对微显示屏的亮度和色坐标一致性进行校正，使其符合特殊应用环境下定制Gamma曲线显示效果；能有效地降低校正过程的复杂性，大大缩短校正时间，并且亮度和白平衡可以达到较高的一致性。
一种 oled 显示屏定制 gamma 校正方法

[发明专利]一种显示驱动电路-CN202211519446.6有效
发明人：陈啟宏;秦昌兵;张白雪;张叶明;周海涛;杨建兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示驱动电路，包括斜坡信号输出缓冲器、数据电平生成单元、电压选择开关、清零开关、列输出缓冲器和列选择开关。其中数据电平生成单元包括移位寄存器、锁存器、比较器和采样保持电路。本发明的显示驱动电路可以在不显著增加芯片功耗与面积的条件下，应用在高分辨率的微显示驱动芯片中。
一种显示驱动电路

[发明专利]一种双基色像素排布结构及显示装置-CN202311030051.4在审
发明人：陶最;张阳;王新军;杨建兵;秦昌兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双基色像素排布结构及显示装置，多个阵列排布的母像素，每个母像素包含两个子像素：子像素I和子像素II。子像素I为X、Y方向均轴对称且中心对称的多边形，多边形的边数量≤8条，子像素II为X、Y方向均轴对称且中心对称的四边形，各个子像素的边与相邻子像素边重合。将所述子像素I与相邻子像素I重合的边设定“边A”、子像素I与相邻子像素II重合的边设定为“边B”，将子像素I的宽设定为C、子像素I的高设定为D。保持子像素I的宽C和高D不变，通过改变所述边A和边B的长度，可使得子像素I和子像素II的面积比例在1：0至1：1之间任意改变。该像素排布结构能在保持较高开口率情况下，灵活改变子像素面积比例。
一种基色像素排布结构显示装置

[发明专利]一种图像显示装置及其显示方法-CN202111504071.1有效
发明人：陈啟宏;秦昌兵;张白雪;张叶明;周海涛;杨建兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像显示装置及其显示方法，装置包括依次连接的像素电路、切换开关和偏置电压产生电路；所述偏置电压产生电路用于生成偏置电压VB，所述切换开关输入端分别与GND、偏置电压VB连接，输出端与像素电路连接，用于切换GND和偏置电压VB，所述像素电路输入分别为数据信号VDATA、栅极接行扫描信号SELN和切换开关输出端，像素电路输出与OLED器件阳极连接，用于控制OLED器件发光，所述偏置电压VB用于提升OLED器件的亮度。本发明无需在像素中增加额外的晶体管，可以在不改变电源电压的条件下，提高OLED器件的最大亮度。
一种图像显示装置及其显示方法

[实用新型]一种通用型微显示屏的测试工装-CN202223501222.0有效
发明人：高红佳;殷照;张雨程;秦昌兵;杨建兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通用型微显示屏的测试工装，属于微电子及显示技术领域。通过选取对应接口的转接板对插到控制主板上，并结合一系列可调设置，就可以顺利点亮不同类型的微显示屏，并且可以对微显示屏的寄存器进行任意操作，使微显示屏改变状态，完成其他测试项目。本实用新型的核心控制模块为通用型，针对不同型号的微显示屏只需设计转接板就可以实现整个测试系统的升级，可大大减少硬件开发成本，缩短研发周期，降低布局布线等操作带来的设计风险。此外，通常微显示屏的用户接口较脆弱，接口插拔寿命短，通过更换损坏的转接板就轻易修复测试系统，进一步降低了整个测试系统硬件浪费。
一种通用型显示屏测试工装

[发明专利]一种用于MIPI协议层验证的硬件平台及其验证方法-CN202310603739.0在审
发明人：徐亭亭;秦昌兵;张白雪;裘天慧;杨建兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H04L43/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于MIPI协议层验证的硬件平台及其验证方法，旨在降低测试成本，提高测试灵活性、丰富测试场景和提高测试效率。该硬件平台包括视频源、SoC开发板、电平转换芯片A、电平转换芯片B、FPGA开发板和显示器。验证方法包括MIPI命令模式验证方法和MIPI视频模式验证方法，MIPI命令模式验证方法包括正向验证方法和反向验证方法。本发明在MIPI协议层功能实物验证领域具有创新性和实用性，可以广泛应用于各类嵌入式系统以及移动设备的开发和测试。
一种用于 mipi 协议验证硬件平台及其方法

[发明专利]一种OLED显示器件的像素定义层结构及其制备方法-CN202310533754.2在审
发明人：陶最;张阳;汪世豪;王新军;杨建兵;秦昌兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种OLED显示器件的像素定义层结构及其制备方法，包括：包括驱动基板，位于驱动基板上的作为OLED器件阳极的像素图形化电极；在所述驱动基板和像素图形化电极上依次形成第一PDL层和第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层；第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层上存在两个开口，开口1位于第一PDL层开口上，开口2位于子像素之间的沟道区域。实现了阻断OLED器件底部功能层的情况下，保持阴极不断裂，横向电学传输性能完好，从而在不牺牲亮度情况下提升色域；同时实现了将大视角出射光汇聚为正视角出射光，提高正视角光取出率。
一种 oled 显示器件像素定义结构及其制备方法

[发明专利]一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构-CN202211713104.8在审
发明人：刘腾飞;杨建兵;秦昌兵;张阳;唐宇;王玉珠 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构，包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层组成的复合空穴传输层结构，空穴注入层结构由空穴传输主体材料以及P型掺杂材料组成，空穴传输层由空穴传输主体材料与空穴传输次主体材料组成，电子阻挡层由空穴传输次主体材料与电子阻挡材料组成，且构成空穴传输主体材料的HOMO能级与空穴传输次主体材料的HOMO能级不同。空穴传输次主体材料的HOMO能级大于电子阻挡材料的HOMO能级。本发明通过材料设计产生两个空穴传输通道，从而分别提升两个发光单元的空穴注入传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应。通过降低空穴传输势垒来降低热效应，从而实现OLED器件的高寿命表现。
一种空穴传输搭配 oled 器件结构

[发明专利]一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构-CN202211713127.9在审
发明人：刘腾飞;杨建兵;秦昌兵;张阳;李威利;张放 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10K50/18 文献下载
摘要：一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，电子阻挡层由空穴传输主体材料与多种电子阻挡材料共掺组成，电子阻挡材料的HOMO能级介于空穴传输主体材料与发光材料之间。发光层A由电子阻挡层材料与空穴型发光主体材料共掺构成，不含发光客体材料，发光层B的客体发光材料采用两种共掺发光材料结构，其中两种掺杂发光材料的HOMO能级分别与电子阻挡材料和空穴型主体材料的能级接近，形成独立的空穴通道。本发明通过器件结构设计产生两个空穴传输通道，利用发光层的共空穴传输效果，从而提升两个发光单元的空穴传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应，从而实现OLED器件的高寿命表现，具有低工作电压的特点，可适配单色与全彩发光器件。
一种电子阻挡发光搭配 oled 器件结构

[发明专利]一种OLED器件像素定义层结构及制备方法-CN202211692363.7在审
发明人：陶最;张阳;陈龙军;王璇;杨建兵;秦昌兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED器件像素定义层结构，其特征在于，包括：驱动基板、驱动电路引线结构、像素图形化的电极、第一PDL层、第二PDL层；驱动电路引线结构设置在驱动基板上，像素图形化的电极位于驱动基板上，为OLED器件阳极，与驱动电路引线结构接触连接；在所述驱动基板和像素电极上依次设置第一PDL层和第二PDL层；对第一PDL层和第二PDL层进行刻蚀，刻蚀后的第一PDL层、第二PDL层开口位于图形化电极上，其开口宽度小于电极宽度；刻蚀后第二PDL层开口宽度小于刻蚀后的第一PDL层开口宽度。本发明可以实现阻断OLED器件底部功能层的情况下，保持阴极不断裂，横向电学传输性能完好，从而在不牺牲亮度情况下提升色域。
一种 oled 器件像素定义结构制备方法

[发明专利]一种显示器件像素电极结构的制备方法-CN202211712428.X在审
发明人：陶最;张阳;王新军;汪兵;杨建兵;秦昌兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了显示器件像素电极结构的制备方法，包括：形成反射金属层；形成第一透明微腔层；形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区；生长第二透明微腔层，再去除第一牺牲层，形成图形化的第二透明微腔层；并以相同方法形成图形化的第三透明微腔层；在各个像素区形成阻挡层，其尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。本发明的制备方法能够使各像素区具备不同腔长微腔结构，实现通过微腔独立调节子像素颜色，从而减少彩色滤光片带来的光损失，提高硅基OLED显示屏亮度。
一种显示器件像素电极结构制备方法

[实用新型]一种量子点材料像素图形化结构-CN202222717767.9有效
发明人：彭劲松;杨建兵;秦昌兵;殷照;汪曾峰 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种量子点材料像素图形化结构，包括衬底，衬底上方设有若干蓝色发光区，各蓝色发光区之间通过介质层填充，在介质层对应2/3的蓝色发光区制备深孔，深孔中分别填充绿色量子点材料和红色量子点材料构成量子点发光区；量子点发光区和介质层的上方设有无机封装层，绿色量子点材料和红色量子点材料对应的无机封装层处上方分别设有绿色过滤层和红色过滤层，无机封装层上方设有红绿蓝三像素之间阻隔的光学阻挡层。本实用新型在介质层制作深孔，使得平面厚度较薄的量子点材料能实现足够厚度的量子点发光层，保持较高的图形化分辨率和较高的量子点色转换率，通过无机封装层保护量子点材料，稳定制备色彩过滤层，降低漏光对色纯度的影响。
一种量子材料像素图形结构

[发明专利]一种用于RGB-Delta排列的子像素渲染方法-CN202111539264.0有效
发明人：徐亭亭;秦昌兵;张白雪;朱会成;杨建兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于RGB‑Delta排列的子像素渲染方法，属于微电子及显示技术领域，方法包括：读取RGB图像中每个像素的RGB子像素数据；将子像素数据分别与对应子像素的设定阈值进行比较，得到每个子像素下的明暗状态图形；根据每个子像素下的明暗状态图形，得到对应该子像素的数据渲染权值系数；根据当前像素的行坐标与列坐标，以及当前像素及其上下左右相邻像素的在每个子像素下的明暗状态图形，通过子像素数据及其对应的数据渲染权值系数计算当前像素的像素输出数据值。本发明在实现相同分辨率的情况下，子像素数量可以比传统条纹式RGB排列显示器减少1/2。
一种用于 rgb delta 排列像素渲染方法

[发明专利]用于RGBW-Pentile排列的子像素渲染方法-CN202111536592.5有效
发明人：徐亭亭;秦昌兵;张白雪;朱会成;杨建兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于RGBW‑Pentile排列的子像素渲染方法，包括：获取RGBW图像的RGBW子像素数据并根据RGBW‑Pentile显示面板的像素排列方式将子像素分成两组，每组子像素仅包含两个子像素；将每个像素的子像素数据分别与对应设定阈值进行比较，判断当前像素及其上下左右相邻像素组成的图形是否为特殊图形；根据是否为特殊图形选择数据渲染算法，并结合当前像素的位置计算当前像素显示的子像素数据。应用本发明的RGBW‑Pentile排列显示器在显示条纹、斜线、点阵等特殊图形时仍能较好地保持其亮度和色彩特征，不会因为子像素数量减少及渲染算法而模糊一片。
用于 rgbw pentile 排列像素渲染方法

[发明专利]一种应用于MicroLED的键合及像素图形化制备方法-CN202211264190.9在审
发明人：彭劲松;汪曾峰;杨建兵;刘书异;吴焱;秦昌兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于MicroLED的键合及像素图形化制备方法，包括步骤：制备有图形化键合金属层的第一基板和制备有未图形化键合金属层的第二基板，第一基板和第二基板进行晶圆级金属键合实现MicroLED的键合，键合完成后对第二基板上的未图形化键合金属层进行像素图形化，实现MicroLED的像素图形化制备。本发明在键合金属制备时形成单面图形化，降低晶圆级键合时的对准要求和像素图形化时的金属刻蚀难度，消除侧壁围栏，减少金属飞溅和颗粒残留，大幅度提升器件的整体性能和良率。
一种应用于 microled 像素图形制备方法

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