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[发明专利]掺杂类金刚石涂层的多离子束溅射沉积技术-CN201010132905.6无效
发明人：付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种制备掺杂类金刚石(DLC)涂层的多离子束溅射沉积方法，特征是首先利用超声波清洗去除工件表面污染层，利用离子源产生的氩离子束对工件表面进行离子束轰击清洗，获得原子级的清洁表面；然后利用离子束辅助溅射沉积方法制备梯度过渡层；最后在梯度过渡层上利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层。利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层的过程中，在溅射离子源轰击石墨靶和金属靶产生的碳粒子和金属粒子沉积到工件表面的同时，辅助沉积离子源产生的气体离子持续轰击生长的膜层表面，调控膜层微观结构和实现多元素掺杂
掺杂金刚石涂层离子束溅射沉积技术

[发明专利]离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用-CN202110633029.3在审
发明人：吴护林;解志文;向林;高旭;公平;宁海青;陈永君;郭锋;苏艳;高诗情;邢志辉;刘鹏 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所;辽宁科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供了离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用，所述金属涂层为沉积在金属基体上的单一涂层或复合涂层，所述离子束辅助沉积是在涂层沉积过程中进行离子束轰击。本发明方案属于离子束辅助沉积新应用的基础研究，能够使得金属基体与涂层、涂层与涂层之间的元素界面扩散在一定程度上被较好地抑制，为离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用提供了更多地可能。
离子束辅助沉积抑制金属涂层元素界面扩散中的应用

[发明专利]可防止浪费蒸发材料的离子镀膜装置-CN97121761.0无效
发明人：酒见俊之;田中胜 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 1997-12-17 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：当在基片上形成薄膜期间，等离子束是指向坩埚，等离子束的电流流经坩埚的。而当在基片上完全形成薄膜之后，到在后续的基片上开始形成薄膜之前的一段时期内，使等离子束指向辅助阳极，以使等离子束电流通过辅助阳极而流动。
可防止浪费蒸发材料离子镀膜装置

[发明专利]具有梯度结构的固体自润滑膜及其制备方法-CN201911265781.6有效
发明人：金杰;陈丹丹;刘元富;李荣华 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：开启磁控溅射镀膜和离子束辅助源，对金属基板表面进行磁控溅射辅助沉积，关闭磁控溅射，开启离子束轰击源，对靶材进行离子束轰击，形成一层功能层；经多次辅助沉积和离子轰击交替后，以磁控辅助沉积结束，形成固体自润滑膜；在交替过程中，离子束辅助源的能量均相同，离子束轰击源的离子束能量均不相同。本发明通过调整负压、溅射电压、溅射电流、离子束源能量等参数控制膜生长，优化薄膜结构，沉积速率高，制备时间短，表面不存在大颗粒，膜层致密，耐磨，摩擦系数低，耐腐蚀、抗潮解。
具有梯度结构固体润滑及其制备方法

[发明专利]综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法-CN201810140027.9有效
发明人：朱美萍;曾婷婷;邵建达;易葵;孙建;李静平;王建国;张伟丽 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：一种电子束蒸发、离子束辅助与离子束溅射综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法，设备包括由左电子枪坩埚、右电子枪坩埚、离子源辅源、离子源主源、溅射靶材和夹具盘组成的综合沉积系统。本发明结合了电子束蒸发沉积技术、离子束辅助沉积技术及离子束溅射沉积技术的优点，不但能够提高膜层质量，而且能够提高镀膜效率、降低镀膜成本。
综合沉积镀膜设备方法

[发明专利]离子束辅助溅射装置及离子束辅助溅射方法-CN201080039830.5无效
发明人：羽生智;饭岛康裕 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2010-10-07 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供一种离子束辅助溅射装置，其具有：靶材；向该靶材照射溅射离子、轰击出靶材构成粒子一部分的溅射离子源；设置用于堆积从靶材上轰击出的粒子的基材的成膜区域；相对于设置在该成膜区域的基材的成膜面的法线方向，从斜向照射辅助离子束的辅助离子束照射装置；所述溅射离子源具有多个离子枪，它们排列成可从所述靶材的一侧端部到另一侧端部照射溅射离子束，所述多个离子枪的用于产生溅射离子束的电流值分别设定。
离子束辅助溅射装置方法

[发明专利]聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法-CN200910067643.7有效
发明人：房丰洲;徐宗伟;胡小唐 -专利权人：天津大学
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于聚焦离子束注入和辅助气体刻蚀的微纳加工方法，包括下列步骤：将待加工基底置于聚焦离子束样品室；通过离子束成像系统对其进行形貌观测；利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工；在所述的聚焦离子束样品室内，原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。
聚焦离子束注入结合氟化氙气辅助刻蚀加工方法

[发明专利]抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法-CN202110791204.1有效
发明人：何佳龙;董攀;刘飞翔;李杰;王韬;赵伟;张晓宁;杨洁;陈欣;刘平;石金水 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额
抑制绝缘介质材料二次电子发射离子束注入装置方法

[实用新型]一种离子束辅助沉积系统-CN201721129367.9有效
发明人：卢世通;张向平;方晓华;李君华 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜材料制备领域，一种离子束辅助沉积系统为基于伪火花放电的等离子体阴极电子枪，区别于典型的离子束辅助沉积装置，其具有多个电极间隙，能有效产生空心阴极电离过程和后续的传导电离过程的电子束；空心阴极相的电子束的能量和束流密度通过不同的击穿方法来控制，离子质量分辨率足够高，可以分离氢原子的离子和氢分子的离子；离子能量较低，在几eV到几百eV能量范围内；离子束流足够高，保证离子辅助沉积过程能进行；较宽的离子束流，束流直径10mm，氢离子电流密度在1微安/平方厘米，能在较大区域衬底上进行沉积实验；对离子的质量选择只依赖于电场，无磁场，结构紧凑，能对原子束流或活跃气体分子离子束流有效控制。
离子束流电子束离子束辅助沉积系统空心阴极离子束流电离氢离子离子束辅助沉积等离子体阴极离子辅助沉积气体分子离子本实用新型质量分辨率电场薄膜材料电极间隙火花放电离子能量平方厘米有效控制原子束流质量选择大区域电子枪分离氢氢分子击穿衬底沉积传导磁场制备保证

[发明专利]一种超宽光谱分色镜的制备方法-CN200710304640.1无效
发明人：陈焘;熊玉卿;刘宏开;马勉军;王多书 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽光谱分色镜的制备方法，它包括清洁真空室、超声波清洗基底、加热基底、离子束清洗基底、离子束辅助多层薄膜沉积和基底降温六个步骤；离子束辅助沉积是将离子轰击与镀膜结合在一起，即在镀膜的同时，使具有一定能量的轰击离子不断地射到膜与基材的界面，借助于级联碰撞导致界面原子混合，在初始界面附近形成原子混合区，再在离子束参与下继续生长出所要求厚度和特性的薄膜。离子束辅助沉积技术可以增加薄膜的附着力，提高薄膜的堆积密度和在外界环境下的稳定性。
一种光谱分色镜制备方法

[发明专利]成膜装置-CN201410160234.2有效
发明人：酒见俊之 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，其能够轻松调整对作为蒸发源的成膜材料导入等离子束的位置。本发明的成膜装置，在真空腔室（10）内通过等离子束（P）对成膜材料（Ma）进行加热而使其蒸发，并且使成膜材料的蒸发粒子（Mb）附着于成膜对象物（11）上，其构成为具备以下等离子源，在腔室内生成等离子束；作为主阳极的主炉缸，被填充成为蒸发源的成膜材料，并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束；作为辅助阳极的环炉缸，配置于主炉缸的周围，并且引导等离子束；一对辅助线圈，隔着蒸发源配置于两侧；及辅助线圈电源部，以使一对辅助线圈的极性相互不同的方式供给直流电流。
装置

[发明专利]一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法-CN201010569692.3无效
发明人：王荣明;罗浒;崔益民;姚骏恩 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法，该方法有四大步骤：一、对刻蚀加工的样品进行清洗、烘干，然后装入双束系统的样品台上，并抽取真空；二、移动样品台到该双束系统的工作距离，调节该双束系统电压、束流等参数，调节好电子束与离子束象散，最终使该系统中的电子束与离子束的焦点汇聚于样品表面。三、在聚焦离子束曝光软件-图形发生器上设计好需要加工的图形；同时打开聚焦离子束和电子束辅助聚焦离子束刻蚀加工，根据聚焦离子束束流大小选择好合适的电子束束流范围；四、关闭该双束系统中电子束与离子束的高压，
一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度方法

[发明专利]一种基于聚焦离子束辅助沉积的增材制造方法-CN202110716649.3在审
发明人：王作斌;曹亮;刘日;张文晓;姜晓琳;翁占坤;宋正勋;许红梅 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B29C64/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用聚焦离子束辅助沉积产生微纳复合三维结构的增材制造方法。该方法是将聚焦离子束辅助沉积的应用扩展到3D增材制造中，通过气体注入系统将气相反应前驱物喷射到待加工结构基底表面，在离子束进行扫描过程中，气相前驱物受到离子束辐射发生反应，从而将所需材料沉积到基底表面。本发明利用离子束沉积的方法，实现自下而上的多层微纳米结构的加工。通过控制离子束的扫描图形和剂量，能够加工各种复杂图形的三维结构。
一种基于聚焦离子束辅助沉积制造方法

[发明专利]降低立方氮化硼薄膜应力的方法-CN200810119797.1无效
发明人：范亚明;张兴旺;谭海仁;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3：将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar⁺离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar⁺及N₂⁺的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。
降低立方氮化薄膜应力方法

[实用新型]磁控溅射和离子束集成式镀膜设备-CN202020947870.0有效
发明人：钱政羽;钱涛;陈骞 -专利权人：星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型揭示了磁控溅射和离子束集成式镀膜设备，包括真空室、工件台、偏压电源，所述真空室上设置有分布于工件台四周的磁控溅射靶及离子束源，所述离子束源均成对设置，每对离子束源分布于工件台相对的两侧。本方案将磁控溅射与离子束整合在一套设备中，相对布置的离子束源可以从工件的两侧提供离子源，从而可以有效避免离子束分布不均匀造成的不同距离的工件沉积质量不一的问题，保证了薄膜的一致性，改善沉积的稳定性。同时，使用离子束辅助磁控溅射，改变了非平衡磁控溅射工作压力范围，解决了溅射靶不能在较低的气压下稳定工作的弊端，使得其能在更高的真空度下稳定工作。
磁控溅射离子束集成镀膜设备

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