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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910194453.1有效
发明人：吴小莉;许丹;刘宪周 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上具有栅极；在所述栅极两侧的半导体衬底中具有第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为同型，所述第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和栅极构成第一MOS晶体管；在所述第一离子掺杂区中具有第三离子掺杂区，所述第二离子掺杂区中具有第四离子掺杂区，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区为同型，第三离子掺杂区和第四离子掺杂区，与所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区反型，第三离子掺杂区、第四离子掺杂区和栅极构成第二MOS晶体管，从而实现了双向导通。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]瞬变电压抑制二极管-CN201922445887.6有效
发明人：顾兴冲;贾雪松;高超 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种瞬变电压抑制二极管，包括：衬底；位于所述衬底背面的第一电极；位于所述衬底正面的第一离子掺杂区；位于所述第一离子掺杂区远离所述第一电极一面的多个第二离子掺杂区；所述第二离子掺杂区的离子掺杂浓度，大于所述第一离子掺杂区的离子掺杂浓度；所述第一离子掺杂区掺杂有第一类型离子，所述第二离子掺杂区掺杂有第二类型离子；覆盖所述第二离子掺杂区及所述第一离子掺杂区的第二电极。本实用新型实施例能够实现第一离子掺杂区和第二电极的欧姆接触。
电压抑制二极管

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210620753.7在审
发明人：陆豪俊;洪海涵;张民慧;李涛;丁孟雅 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，所述半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，以定义出有源区，并对有源区进行第一离子掺杂形成第一离子掺杂区；在有源区中形成字线沟槽；进行第二离子掺杂形成第二离子掺杂区，第二离子掺杂的掺杂离子的电负性高于衬底材料的电负性；在形成第二离子掺杂区后的字线沟槽内形成字线结构，部分第二离子掺杂区位于第一离子掺杂区和字线结构之间。在形成字线结构之前，形成第二离子掺杂区，第二离子掺杂区的掺杂离子的电负性较高，从而增大第一离子掺杂区和字线结构之间的电阻，有效解决漏电问题，提高半导体结构的质量和性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211064512.5在审
发明人：魏丹清 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，形成于所述衬底中，所述第一离子掺杂区包围所述第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和所述第二离子掺杂区用于形成光电二极管；至少一个第三离子掺杂区，间隔地形成于所述第一离子掺杂区的拐角外围的衬底中，所述第三离子掺杂区与所述第一离子掺杂区的掺杂类型不同。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种闪存单元及其操作方法-CN03102695.8无效
发明人：洪至伟;宋达;许正源 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2003-02-14 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种闪存单元，包括一基底、一选择栅极、一第一型离子掺杂区、一第二型离子浅掺杂区、一第二型离子深掺杂区以及一源极掺杂区。其中，基底具有一堆叠式栅极(stackedgate)；选择栅极形成于基底上并位于堆叠式栅极的一侧；第一型离子掺杂区位于基底中并与选择栅极邻设，以作为闪存单元的漏极；第二型离子浅掺杂区位于堆叠式栅极下方并与第一型离子掺杂区连接；第二型离子深掺杂区位于第一型离子掺杂区周围，并与第二型离子浅掺杂区连接；而源极掺杂区邻设于第二型离子浅掺杂区一侧以作为闪存单元的源极。
一种闪存单元及其操作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110808697.5在审
发明人：韩清华 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底；位线，位于基底上；半导体通道，位于位线表面，在沿基底指向位线的方向上，半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，第一掺杂区与位线相接触，且第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区中掺杂有第一类型掺杂离子，沟道区中还掺杂有第二类型掺杂离子，使得沟道区中的多数载流子浓度低于第一掺杂区和第二掺杂区中多数载流子的浓度，第一类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的一者，第二类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的另一者。本发明实施例有利于使得多数载流子在沟道区中的浓度小于在第一掺杂区和第二掺杂区中的浓度，以提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211348912.9在审
发明人：魏丹清;罗清威 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有相背的第一表面和第二表面；掺杂类型相反的第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区从所述第一表面延伸至所述衬底中，所述第二离子掺杂区从所述第一离子掺杂区远离所述第一表面的一侧朝向所述第二表面延伸，所述第二离子掺杂区包含至少两层离子注入区，在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上各层所述离子注入区的离子掺杂浓度逐层增大、各层所述离子注入区在平行于所述第一表面的方向上的宽度逐层增大，以使得所述第一离子掺杂区与所述第二离子掺杂区构成缓变结
半导体器件及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910726407.5在审
发明人：阿久津良宏 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成初始光电掺杂区；在初始光电掺杂区内形成相互分立的初始隔离区，所述初始隔离区内掺杂有第一离子和第二离子，第一离子的导电类型和初始光电掺杂区的导电类型相反，第二离子的导电类型和和初始光电掺杂区的导电类型相同，且第二离子的扩散速率大于第一离子的扩散速率；进行热处理，使初始隔离区内的第一离子和第二离子扩散，在初始光电掺杂区内形成主光电掺杂区、相互分立的隔离区以及相互分立的附加光电掺杂区，所述附加光电掺杂区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相同，所述隔离区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相反。
导电类型掺杂区离子图像传感器隔离区分立掺杂衬底半导体隔离热处理扩散离子扩散

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310745719.3在审
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，所述衬底内具有掺杂区；对所述掺杂区进行激光离子注入工艺，所述激光离子注入工艺包括对所述掺杂区进行离子注入，使所述掺杂区内具有掺杂离子；对所述掺杂区进行激光处理，以加热所述掺杂区，消除离子注入损伤。
半导体结构形成方法

[发明专利]存储器及其工作方法和形成方法-CN201810007935.0有效
发明人：廖淼;潘梓诚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种存储器及其工作方法和形成方法，其中，所述存储器包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；位于所述第二阱区表面的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的第二阱区中的掺杂区，所述掺杂区中具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反。
存储器及其工作方法形成

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910097564.4有效
发明人：李茂;郑大燮;陈德艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底内具有邻接的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区内具有第一掺杂离子，第二掺杂区内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与第一掺杂离子导电类型相反；在第二掺杂区内形成若干个相互分立的第一隔离结构；在相邻第一隔离结构之间以及第一隔离结构底部的第二掺杂区内形成第三掺杂区，第三掺杂区内具有第三掺杂离子，第三掺杂离子与第二掺杂离子导电类型相反；在部分第一掺杂区、第二掺杂区和第一隔离结构表面形成栅极结构；在栅极结构一侧的第一掺杂区内形成源区；在栅极结构另一侧的第二掺杂区内形成漏区，部分所第一隔离结构位于栅极结构与漏区之间。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]P型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法-CN201410357335.9有效
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了P型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括P型阱、N型轻掺杂离子阱、栅极、介质层，以及对应于N型轻掺杂离子阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区和光阻区分别注入P型轻掺杂离子和N型轻掺杂离子；在正电势电子束扫描模式，根据发生亮度变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而产生漏电现象。
掺杂离子注入对准监控结构方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710160284.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底中形成轻掺杂区；形成轻掺杂区之后，在位于所述栅极结构两侧的基底中形成源漏重掺杂区，所述源漏重掺杂区的掺杂离子浓度大于所述轻掺杂区的掺杂离子浓度；形成所述源漏重掺杂区之后，在部分所述轻掺杂区中形成反型掺杂区，且所述反型掺杂区位于所述源漏重掺杂区与剩余轻掺杂区之间，所述反型掺杂区的掺杂离子类型与所述源漏重掺杂区的掺杂离子类型不同
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、工作方法-CN201710073605.7有效
发明人：王锴 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法、工作方法，其中结构包括：衬底，衬底包括器件区和测试区；位于器件区和测试区衬底中的第一阱区，第一阱区中具有第一阱离子；位于器件区和测试区衬底中的第二阱区，第二阱区中具有第二阱离子，第二阱离子与所述第一阱离子的导电类型相反；位于器件区和测试区的第一阱区中的第一掺杂区，第一掺杂区中具有第一掺杂离子，第一掺杂离子与所述第一阱离子的导电类型相反；位于所述器件区和测试区的第二阱区中的第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第二掺杂离子。所述半导体结构能够在晶圆上对器件区形成的器件的闩锁效应进行检测。
半导体结构及其形成方法工作

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置-CN201710382452.4有效
发明人：文亮 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括有源层，有源层包括：沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区；第二掺杂区位于第一掺杂区远离沟道区的一侧，且第二掺杂区的掺杂离子浓度大于第一掺杂区的掺杂离子浓度；有源层还包括第三掺杂区，第三掺杂区位于沟道区与第二掺杂区之间，其中，第三掺杂区的掺杂离子浓度小于第一掺杂区的掺杂离子浓度。
一种薄膜晶体管及其制造方法阵列显示装置

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