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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]用于制造半导体器件的晶圆和在晶圆中制造的半导体器件-CN202320457505.5有效
发明人：贾雪松 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：公开了一种用于制造半导体器件的晶圆和在晶圆中制造的半导体器件。提供了一种晶圆，其中半导体器件的制造在已经执行初始制造工艺之后将经由后续制造工艺来完成。晶圆包括在晶圆中将半导体器件彼此横向地隔离的隔离结构。晶圆还包括在初始制造工艺中用于晶圆‑光掩模对准的初始对准键。初始对准键被设置在隔离结构之上。在隔离结构之上形成用于在后续制造工艺中使用的后续对准键。在晶圆上执行后续制造工艺。后续制造工艺包括光刻操作，其中后续对准键被用于晶圆‑光掩模对准。
用于制造半导体器件晶圆中

[实用新型]用于制造半导体器件的晶圆和在晶圆中制造的半导体器件-CN202320152867.3有效
发明人：顾兴冲;周继峰 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：公开了用于制造半导体器件的晶圆和在晶圆中制造的半导体器件。提供有衬底层。提供隔离结构以将半导体器件与晶圆中的其它半导体器件横向地隔离。衬底层中形成盆状结构。提供基极层，使得基极层被设置在衬底层之下。基极层包括具有相关联的有源区的阳极，该相关联的有源区包括衬底层中的漂移区。盆状结构被设置在有源区内部，使得盆状结构的存在减小了漂移区的厚度。
用于制造半导体器件晶圆中

[实用新型]交流电三极管半导体-CN202223564023.4有效
发明人：周继峰;张环;何磊 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：公开了一种交流电三极管半导体。交流电三极管半导体包括N‑区、多个N+区和沟槽。N‑区被夹在两个P区之间。第一P区被连接到MT2端子，以及第二P区被连接至两个MT1端子。多个N+区位于第一P区内。沟槽位于两个栅极端子之间。
交流电三极管半导体

[实用新型]台面型器件-CN202223389095.X有效
发明人：周继峰;张环;何磊 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及台面型器件。该器件包括基底硅层、耦接到基底硅层的下部硅层、耦接到基底硅层的上部硅层、多个玻璃钝化层中的被配置为耦接到基底硅层和下部硅层的至少一个玻璃钝化层、以及多个玻璃钝化层中的被配置为耦接到基底硅层和上部硅层的至少另一玻璃钝化层。该器件还包括台面层，该台面层被配置为耦接到下部硅层，并且还被配置为向外延伸到至少另一玻璃钝化层。
台面器件

[实用新型]瞬态电压抑制器装置和双向瞬态电压抑制器件-CN202223562537.6有效
发明人：高超;周继峰;顾兴冲 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种瞬态电压抑制器装置和双向瞬态电压抑制器件。该双向瞬态电压抑制器装置包括衬底硅层、第一硅基极层和第二硅基极层，衬底硅层被耦合到第一硅基极层，并且被耦合到第二硅基极层。该装置还包括第一外层，其被耦合到第一硅基极层；第二外层，其被耦合到第二硅基极层；第一导电层，其被耦合到第一外层；第二导电层，其被耦合到第二外层；在衬底硅层中形成的一个或多个区；以及一个或多个氧化物层，其被耦合到一个或多个区、衬底硅层的一个或多个部分以及第一硅基极层和第二硅基极层的一个或多个部分。
瞬态电压抑制器装置双向抑制器件

[实用新型]可控硅整流器装置-CN202223202076.1有效
发明人：周继峰;张环;何磊 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅整流器装置。可控硅整流器装置包括第一硅外层、第二硅外层、第一硅中间层和第二硅中间层。第一硅外层被耦合到第一硅中间层。第一硅中间层被耦合到第二硅中间层。第二硅中间层被耦合到第二硅外层。可控硅整流器装置还包括被耦合到第一硅外层的阴极端子和被耦合到第一硅中间层的栅极端子。一个或多个第三硅层被耦合到第二硅外层。阳极端子被耦合到一个或多个第三硅层和第二硅外层。
可控硅整流器装置

[实用新型]高功率密度整流器装置-CN202223226190.8有效
发明人：周继峰;张环;何磊 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：公开了高功率密度整流器装置，特别是公开了一种高功率密度整流二极管装置、结构及其相关联的方法。该装置包括基板硅层、耦合到基板层的中间硅层、耦合到中间硅层的上部硅层、耦合到基板硅层的阴极端子、耦合到上部硅层的阳极端子、以及形成在基板硅层和中间硅层的至少一部分中的一个或多个沟槽终止层。沟槽终止层被配置为形成在基板硅层的至少一侧和中间硅层的至少一部分上。基板硅层是以下中的至少一种：n型层、p型层及其任何组合。
功率密度整流器装置

[实用新型]高电压晶闸管器件-CN202222864493.6有效
发明人：顾兴冲;周继峰;贾雪松 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高电压晶闸管器件。高电压晶闸管包括两步式隔离结构，该两步式隔离结构将电场峰值定位在远离隔离结构的绝缘层的位置，在高电压处提供更好的操作。
电压晶闸管器件

[实用新型]单向高电压穿通瞬态电压抑制器件-CN202222782041.3有效
发明人：鲍里斯·罗森萨夫特;周继峰;乌利齐·凯伯劳 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单向高电压穿通瞬态电压抑制器件。该单向高电压穿通瞬态电压抑制器件可以包括被形成在基板的第一主表面的第一部分上的第一层(包括N+材料)和由N‑材料形成的第二层。第二层可以从第一主表面的围绕第一层的第二部分延伸，并且可以延伸到第一层下方。单向高电压穿通瞬态电压抑制器件可以包括第三层，其包括P+材料，其中，第二层被设置在第一层和第三层之间。单向高电压穿通瞬态电压抑制器件还可以包括隔离区，其从第一主表面延伸，并且围绕第二层设置。
单向电压瞬态抑制器件

[实用新型]半导体器件和半导体芯片组件-CN202222898259.5有效
发明人：张锋;高超;周继峰 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：公开了半导体器件和半导体芯片组件。半导体器件包括：介电壳体；设置在介电壳体内的半导体芯片，该半导体芯片具有设置在其相对表面上的第一和第二金属电极，第一和第二金属电极中的至少一个具有形成在其边缘中的槽口；第一引线框架，其具有延伸出介电壳体的第一端部并具有终止于半导体芯片安装在其上的晶粒焊盘的第二端部，其中第一金属电极电连接到晶粒焊盘；第二引线框架，其具有延伸出介电壳体的第一端部并具有邻近半导体芯片设置的第二端部；以及夹片，其具有连接到引线框架的第二端部的第一端部和在半导体芯片上延伸并电连接到第二金属电极的第二端部。
半导体器件半导体芯片组件

[实用新型]半导体晶圆-CN202223200065.X有效
发明人：顾兴冲;何磊;高超 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体晶圆包括N衬底、第一P基底、第二P基底、氧化物层和原硅酸四乙酯层。该第一P基底位于N衬底的第一侧上。第二P基底位于N衬底的第二侧上，该第二侧与第一侧相对。氧化物层位于邻近第一P基底。原硅酸四乙酯层位于邻近氧化物层。
半导体

[实用新型]半导体二极管片材-CN202223226953.9有效
发明人：张环;何磊;周继峰 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体二极管片材，包括具有第一导电类型的基板、形成在基板上并排列成阵列的多个台面、具有与第一导电类型相反的第二导电类型的台面、形成在基板中的多个沟槽、该多个沟槽界定和分隔多个台面，以及覆盖除了将多个沟槽中的每个一分为二并暴露底层基板的通道之外的沟槽的玻璃钝化层。
半导体二极管片

[实用新型]不对称双向浪涌保护器件-CN202223562051.2有效
发明人：周继峰;牟宗文 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了不对称双向浪涌保护器件。在一个实施例中，提供了一种不对称双向浪涌保护器件，其包括撬棒器件和钳位器件，其中，撬棒器件形成在半导体晶粒的第一区域中，并且其中，钳位器件形成在半导体晶粒的第二区域中，其中，第二区域围绕第一区域。
不对称双向浪涌保护器

[实用新型]单片多通道保护设备-CN202222711528.2有效
发明人：张环;石磊;高超 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种单片多通道保护设备。该设备包括具有第一芯片附接部分和第二芯片附接部分的第一引线，具有第三芯片附接部分的第二引线，以及具有第四芯片附接部分的第三引线。第一半导体芯片被配置为被导电地耦合到第一芯片附接部分和第三芯片附接部分。第二半导体芯片被配置为被导电地耦合到第二芯片附接部分和第四芯片附接部分。
单片通道保护设备

[实用新型]用于不对称瞬态电压抑制器的封装结构-CN202222455813.2有效
发明人：张锋;高超;何磊 -专利权人： 力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于不对称瞬态电压抑制器的封装结构。包括外壳、至少部分地被外壳封装的引线框架。引线框架包括具有芯片安装垫的芯片安装表面和设置在芯片安装表面外部的一个或多个第一应力消除特征件。该装置还包括至少部分地被外壳封装的另一个引线框架。另一引线框架包括一个或多个第二应力消除特征件。
用于不对称瞬态电压抑制器封装结构

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