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[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器-CN201780095969.3在审
发明人：佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：TMR元件具备：参照层；隧道势垒层；垂直磁化感应层；以及在层叠方向上层叠于隧道势垒层和垂直磁化感应层之间的磁化自由层，垂直磁化感应层对磁化自由层赋予沿着层叠方向的方向的磁各向异性，磁化自由层具有比隧道势垒层的宽度和垂直磁化感应层的宽度的任一者都小的宽度。
隧道磁阻效应元件磁存储器内置存储器

[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器-CN202310765444.3在审
发明人：佐佐木智生;田中美知 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。
隧道磁阻效应元件磁存储器内置存储器

[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器-CN201780015599.8有效
发明人：唐振尧;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种TMR元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于侧壁部内的微粒子区域，侧壁部包含绝缘材料，微粒子区域包含上述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，微粒子区域与磁隧道接合部并联地电连接。
隧道磁阻效应元件磁存储器内置存储器

[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器-CN201780014410.3有效
发明人：佐佐木智生;田中美知 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。
隧道磁阻效应元件磁存储器内置存储器

[发明专利]一种磁存储器件及其写入方法、逻辑器件-CN202010583721.5有效
发明人：石以诺;迟克群;李州;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器件及其写入方法、逻辑器件，该磁存储器件包括重金属层以及磁隧道结，磁隧道结包括层叠在重金属层上的自由层、层叠在自由层上的磁道阻挡层、以及层叠在磁道阻挡层上的参考层，且自由层与参考层通过磁道阻挡层相隔开
一种磁存储器及其写入方法逻辑器件

[发明专利]磁阻效应元件和具有该磁阻效应元件的磁存储器-CN03108271.8无效
发明人：西山勝哉;斉藤好昭;天野実 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-27 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：能取得即使减小尺寸，也能实现MR比大、热稳定性优异、开关磁场小的磁阻效应元件和使用该磁阻效应元件的磁存储器。包含隔着非磁性层层叠多个铁磁性层的存储层、具有至少一层铁磁性层的磁性膜、设置在所述存储层和所述磁性膜之间的隧道势垒层；所述存储层的铁磁性层由Ni－Fe－Co三元合金构成；所述存储层和所述隧道势垒层的界面以及所述磁性膜和所述隧道势垒层的界面的最大粗糙度为
磁阻效应元件具有磁存储器

[发明专利]隧道结层叠膜、磁存储元件和磁存储器-CN202080077649.7在审
发明人：远藤哲郎;斋藤好昭;池田正二;佐藤英夫 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了热稳定性高的隧道结层叠膜和使用该隧道结层叠膜的磁存储元件及磁存储器。
隧道层叠存储元件磁存储器

[发明专利]具有垂直磁隧道结构的磁存储器装置-CN201410659744.4有效
发明人：金相溶;金晥均;吴世忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。
具有垂直隧道结构磁存储器装置

[发明专利]非易失性存储器-CN201710158433.3有效
发明人：井口智明;下村尚治;鸿井克彦;上口裕三;白鸟聪志;池上一隆;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3
非易失性存储器

[发明专利]用于减小磁存储器元件接触部的尺寸和中心定位的方法-CN201180075558.0有效
发明人： B·S·多伊尔;Y·J·李;C·C·郭;D·L·肯克;K·奥乌兹;R·G·莫亚拉德;U·沙阿 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种在磁存储器件的层上使接触部居中的方法。在一个实施例中，在包围上层的开口中形成间隔物，并在间隔物内形成接触部。间隔物由各向异性蚀刻的共形层形成，所述共形层沉积在上表面上并沉积到开口中。
用于减小磁存储器元件接触尺寸中心定位方法

[发明专利]无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法-CN202210930415.3在审
发明人：祝智峰;徐正德;任杰;袁正平 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法，包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层，反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的，控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向，可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态，所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。利用直流电流调控一种反铁磁装置的Néel矢量，实现数据写入，提高存储单元阵列排列密度，节约能耗。该垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，具有更高的磁矩翻转速度，并具有更好的存储稳定性，同时具有结构简单、速度快、抗杂散场扰动、非易失性的优点，本存储单元尤其在读写速度上更快。
无需外场辅助垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法

[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁存储器-CN201810997206.4有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的所涉及的自旋流磁化反转元件(100)具备：第1铁磁性金属层(101)，其能够改变磁化的方向；自旋轨道转矩配线层(102)，其接合于第1铁磁性金属层(101)并且在相对于第1铁磁性金属层(101)的法线方向交叉的方向上延伸，自旋轨道转矩配线层(102)包含B、C、Si、P中的至少一种轻元素L、以及Ar、Kr、Xe中的至少一种稀有气体元素。
自旋磁化反转元件磁存储器

[发明专利]数据的写入方法及磁存储器-CN201880000891.7有效
发明人：佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，其中，在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下的电压，其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层。
数据写入方法磁存储器

[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器以及磁头-CN200310118331.7无效
发明人：齐藤好昭;西山胜哉;高桥茂树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：提供能获得功耗小、热稳定性好的磁阻效应元件、磁存储器以及磁头。
磁阻效应元件磁存储器以及磁头

[发明专利]隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器-CN200710153185.X无效
发明人：指宿隆弘;佐藤雅重;梅原慎二郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：此外，将这种TMR元件应用于磁头和磁存储器(MRAM)，可以改善磁头和MRAM的性能。
隧道磁阻元件磁头以及磁存储器