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[发明专利]铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置-CN200810169642.9无效
发明人：佐藤雅重;梅原慎二郎;指宿隆弘 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置。铁磁隧道结元件为电阻随施加的磁场而变化的磁阻效应元件。该铁磁隧道结元件包括：钉扎层，其中保持至少部分磁化方向；以及形成在该钉扎层上的绝缘层，该绝缘层创建电子能够通过隧道效应流过的能量势垒。在该绝缘层上形成有由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由层。在该第一自由层中，磁化方向在外部磁场的影响下转换。在该第一自由层上形成有由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二自由层。该第二自由层的磁化方向在该外部磁场的影响下转换，且与该第一自由层交换并耦合。
隧道元件记录装置以及磁存储器

[发明专利]磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法-CN200810086892.6有效
发明人： 指宿隆弘;佐藤雅重;梅原慎二郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由NiFeN制成的底层(2)设置于衬底的主表面之上。由包含Ir和Mn的反铁磁材料制成的钉扎层(3)设置于底层上。由铁磁材料制成的基准层(4c)设置于钉扎层之上，其中该铁磁材料的磁化方向通过直接或经由另一铁磁材料层与钉扎层交换耦合而固定。由非磁性材料制成的非磁性层(7)设置于基准层之上。由铁磁材料制成的自由层(8)设置于非磁性层之上，其中该铁磁材料的磁化方向根据外部磁场而改变。本发明能够防止器件性能因钉扎层的表面光滑度恶化而退化。
磁阻效应器件层叠结构制造方法

[发明专利]隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器-CN200710152798.1有效
发明人：佐藤雅重;梅原慎二郎;指宿隆弘 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或细晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。
隧道磁阻器件制造方法磁头磁存储器

[发明专利]隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器-CN200710153185.X无效
发明人： 指宿隆弘;佐藤雅重;梅原慎二郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有大MR比的隧道磁阻(TMR)元件。这种TMR元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由MgO膜形成。磁化自由层由CoFeB膜形成。覆盖层通过紧接在CoFeB膜上面形成Ti膜而形成，使得Ti膜与CoFeB膜相接触。这样可以大大提高TMR元件的MR比。此外，将这种TMR元件应用于磁头和磁存储器(MRAM)，可以改善磁头和MRAM的性能。
隧道磁阻元件磁头以及磁存储器

[发明专利]磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置-CN200610080850.2无效
发明人：城后新;大岛弘敬;指宿隆弘;清水丰;涡卷拓也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。CPP型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含CoMnAl。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层。CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接点A(44，23，33)、点B(48，25，27)、点C(60，20，20)、点D(65，15，20)、点E(65，10，25)、点F(60，10，30)以及点A构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且Co含量、Mn含量、Al含量均以原子百分比来表示。
磁阻元件磁头存储装置以及内存