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[发明专利]包括氮化层的半导体器件-CN03123129.2无效
发明人：井上真雄;寺本章伸;土本淳一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：n型半导体衬底(1)，其主表面上含有源极区(20)和漏极区(21)；高介电系数绝缘膜(2)，含有高介电系数材料而形成，覆盖夹在源极区(20)和漏极区(21)之间的区域的上部；掺硼栅极电极(6)，形成在高介电系数绝缘膜(2)的上部；以及高介电系数氮化层(4)，形成在高介电系数绝缘膜(2)和掺硼栅极电极(6)之间。
包括氮化半导体器件

[发明专利]制备含硅膜的方法-CN201310291966.0有效
发明人：杨柳;萧满超;韩冰;K·S·卡瑟尔;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供了制备含硅膜的方法。本文描述了形成介电膜的方法，该膜包含硅、氧及任选的氮、碳、氢和硼。本文还公开了在待加工的物体，如半导体晶片，上形成介电膜或涂层的方法。
制备含硅膜方法

[发明专利]制备含硅膜的方法-CN201110036115.2有效
发明人：杨柳;萧满超;韩冰;K·S·卡瑟尔;M·L·奥尼尔 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供了制备含硅膜的方法。本文描述了形成介电膜的方法，该膜包含硅、氧及任选的氮、碳、氢和硼。本文还公开了在待加工的物体，如半导体晶片，上形成介电膜或涂层的方法。
制备含硅膜方法

[发明专利]一种交联纳米纤维素/六方氮化硼纳米片复合膜的制备方法-CN201711121803.2有效
发明人：杨全岭;詹阳;陈浩;杨俊伟;石竹群;熊传溪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种交联纳米纤维素/六方氮化硼纳米片复合膜的制备方法。所述复合膜由直径为2～20nm、长度为100nm～5μm的纳米纤维素与具有优异介电性能的六方氮化硼纳米片复合，再经多价金属盐溶液浸泡后制得。本发明提供的复合膜具有较低的介电损耗，较高的击穿强度、储能密度和储能效率，另外，复合膜还具有良好的层状结构，并且经交联后热稳定性能也有了显著的提高。该复合膜将在介电储能应用方面具有广阔且极具潜力的应用前景。
一种交联纳米纤维素氮化复合制备方法

[发明专利]在电子器件中使用的富碳的碳氮化硼介电膜-CN201280043509.3无效
发明人：桑·范·恩古叶恩;A·格瑞尔;T·J海格;S·麦合塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01B3/18 文献下载
摘要：提供一种介电常数等于或小于3.6的富碳的碳氮化硼介电膜，它可被用作各种电子器件中的组件。富碳的碳氮化硼介电膜具有式子C_xB_yN_z，其中，x为35原子百分比或更大，y为6原子百分比到32原子百分比，以及z为8原子百分比到33原子百分比
电子器件使用氮化硼介电膜

[发明专利]一种聚酰亚胺高温介电复合膜及其制备方法-CN201810989532.0有效
发明人：胡国华;吴丙钊;王珊;熊传溪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种聚酰亚胺高温介电复合膜材料及其制备方法，该复合膜由六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片中的至少一种与聚酰亚胺共混而成，其中六方氮化硼纳米片的质量分数为6％‑12％，二硫化钼纳米片的质量分数为纳米片填料的引入不仅提高了聚酰亚胺膜的热性能，同时还改善了传统PI膜不曾涉及的高温介电性能。该复合膜在常温下具有较低的介电损耗、较高的击穿强度、储能密度和储能效率，在150℃高温下仍然保持较低的电导损耗以及较高的击穿场强和储能密度。
一种聚酰亚胺高温复合及其制备方法

[发明专利]一种基于多层氮化硼的RRAM器件及其制备方法-CN201610029618.X有效
发明人：吉艳凤;潘成斌;惠飞;石媛媛;肖娜;马里奥兰扎 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层氮化硼的RRAM器件及其制备方法，所述的RRAM器件包括介电层、下电极、上电极，所述的介电层为多层氮化硼，所述的下电极为铜箔，所述的上电极为钛和金。制备方法为：（1）采用化学气相沉积法生长氮化硼，得到最终的氮化硼/铜箔样品，氮化硼生长的衬底铜箔作为器件下电极；（2）使用电子束蒸镀仪和掩模板蒸镀钛电极和金电极。该器件与热门的高介电材料氧化铪器件相比，电学性质稳定；器件制备方法简单，避免二维材料常见的转移手段对样品造成的污染；使用掩膜版直接蒸镀上电极，避免光刻等微加工手段，工业化大规模生产前景广阔。
一种基于多层氮化 rram 器件及其制备方法

[发明专利]高导热、低介电复合材料及其制备方法-CN202111221975.3在审
发明人：丘陵;许兰淑;成会明 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种高导热、低介电复合材料的制备方法，包括：提供氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液；混合氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液，得到混合分散液；对混合分散液进行烘干处理，得到混合浆料；及对混合浆料进行热辊压处理，得到混合膜；对混合膜进行烧结处理，得到高导热、低介电复合材料，其中，所述高导热、低介电复合材料包括聚四氟乙烯和分布于聚四氟乙烯中的氮化硼纳米片，氮化硼纳米片首尾搭接，形成若干层连续导热通路。本申请还提供一种由所述高导热、低介电复合材料的制备方法制得的高导热、低介电复合材料。本申请的高导热、低介电复合材料不仅具有较高的热导率，还具有极低的介电常数和介电损耗，以及优异的可加工性和力学性能。
导热低介电复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体互连结构及其制作方法-CN201310247932.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该制作方法包括在半导体器件层上形成第一介质层；在第一介质层上形成金属互连层，并对金属互连层进行化学机械抛光；以硼氮有机化合物为原料，利用等离子体化学气相沉积法在金属互连层上形成硼氮膜；在半导体器件层具有硼氮膜的表面上形成金属粘附层；在金属粘附层上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成第二介质层。金属互连层与金属粘附层之间形成硼氮膜，硼氮膜中硼氮形成的环状结构降低了硼氮膜与金属互连层以及硼氮膜与金属粘附层之间的接触应力，进而增加了相互之间的附着力；硼氮膜的介电常数较小，不会增强第一介质层和第二介质层之间的寄生电容
半导体互连结构及其制作方法

[发明专利]一种制备高导热低介电损耗复合粘接膜的方法-CN201810840036.9有效
发明人：张先龙;张旋;郭少云 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C09J147/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备高导热低介电损耗复合粘接膜的方法,该方法是利用双氧水使1,2‑聚丁二烯表层的不饱和双键被氧化，增加其极性，由此实现粘接性提高。其次，通过片状氮化硼和氮化硼纳米管的协同作用提高复合粘接膜的导热系数。最后，通过苯乙烯‑丁二烯‑苯乙烯三嵌段共聚物来调节复合材料的加工性和成膜性以及粘手性，基于上述三方面的调节和平衡，可以开发出高导热、低介电损耗、高粘接强度的功能复合膜材料。
一种制备导热低介电损耗复合粘接膜方法

[发明专利]一种生物质高介电纳米复合膜的制备方法-CN202110041501.4在审
发明人：杨全岭;栗雪倩;王锦玉;石竹群;杨智博;包江锴;熊传溪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C08L5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物质高介电纳米复合膜的制备方法，将尿素、氢氧化钾、去离子水按比例混合，配制尿素/氢氧化钾水溶液；加入氮化硼，将所得混合液分散，制得氮化硼剥离分散液；加入钛酸铜钙，将所得混合液分散，制得氮化硼/钛酸铜钙混合分散液；将所得氮化硼/钛酸铜钙混合分散液降温至‑35℃以下，加入甲壳素快速搅拌溶解，离心除气泡，得到甲壳素/氮化硼/钛酸铜钙复合溶液；所得甲壳素/氮化硼/钛酸铜钙复合溶液在凝固浴中制膜得到复合膜本发明提供的复合材料具有层状结构，并具有很高的介电性能。并且，复合膜还具有良好的光学性能和机械强度，并且厚度可调，在光电储能材料等领域具有广泛的应用前景。
一种生物质高介电纳米复合制备方法

[发明专利]堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法-CN202010604966.1在审
发明人：崔锺武;金成基;王桂磊;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器，包括：底电极；介电层，介电层形成在底电极上；顶电极组件，顶电极组件形成在介电层上，顶电极组件包括自介电层的一侧依次层叠形成的第一顶电极、第二顶电极以及第三顶电极；其中，第一顶电极为金属层，第二顶电极为掺杂碳、硼的硅锗层，第三顶电极为掺杂硼的硅锗层。本申请通过在第一顶电极、第三顶电极之间形成掺杂碳、硼的硅锗层，这样在第一顶电极上形成了掺杂碳、硼的硅锗层与掺杂硼的硅锗层的双重结构，大大减少了电阻增加，同时还减少了掺杂硼的硅锗层的残余应力,降低其对电容器的介电层产生的机械应力，解决了介电层的漏电问题。
堆叠电容器半导体存储器件制备方法

[发明专利]一种电容器用掺混纳米碳化硼负载石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法-CN201510478674.7在审
发明人：唐彬;唐发根 -专利权人：铜陵市胜达电子科技有限责任公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器用掺混纳米碳化硼负载石墨烯的聚酰亚胺高介电复合薄膜，该复合薄膜在聚酰亚胺薄膜制备过程中掺混纳米碳化硼、石墨烯等填料，并将石墨烯负载在经预处理后的纳米碳化硼上，以提高其分散性和利用率，再利用在有机溶剂中具有良好稳定性的聚乙烯醇膜对粉体进行包覆处理，而经过硅烷偶联剂表面改性处理后的复合粉体与有机胶液界面相容性好，更易分散均匀，这种复合填料能稳定高效的提高材料的介电性能，兼具高的介电常数和低的介电损耗，最后制备得到的复合薄膜材料较单纯的聚酰亚胺薄膜在介电性能上获得极大改善，且仍保持优良的力学性能和加工性能，应用前景良好。
一种电容器用纳米碳化负载石墨聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种取向氮化硼复合膜的制备方法-CN201910429799.9在审
发明人：陈玉伟;李金博;刘玉红;杨吉颖;赵忠政;张白浪;张建明;段咏欣 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种取向氮化硼复合膜的制备方法，具体为氮化硼接枝四氧化三铁以改善氮化硼在磁场中的响应性。通过氮化硼磁性体在磁场中的响应行为，使其在复合材料中形成定向的取向结构，以制备氮化硼的各向异性复合材料。本发明主要强调取向结构对介电性能的提高。本发明利用多巴胺的包覆作用以及它与四氧化三铁的耦合作用，实现了氮化硼与四氧化三铁结合，从而实现了氮化硼在磁场中取向，取向结构的形成提高了氮化硼复合材料的介电性能。本发明涉及的多巴胺对粒子包覆后与四氧化三铁耦合技术不仅可应用于氮化硼一种粒子，对于大多数粒子都可实现磁性改性和取向。
氮化硼四氧化三铁取向结构取向磁场粒子介电性能多巴胺包覆制备各向异性复合材料氮化硼复合材料磁性改性复合材料耦合技术耦合作用磁性体复合膜响应性接枝响应应用

[发明专利]一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417188.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法为：将聚硅硼氮烷进行固化和裂解，得到聚硅硼氮烷裂解产物；将聚硅硼氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅硼氮烷裂解产物粉体；将聚硅硼氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅硼氮烷液体胶液并使聚硅硼氮烷液体胶液与聚硅硼氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅硼氮烷裂解产物和聚硅硼氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物进行固化、裂解和机加，得到聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅硼氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅硼氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

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