[发明专利]在电子器件中使用的富碳的碳氮化硼介电膜无效
| 申请号： | 201280043509.3 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103782349A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 桑·范·恩古叶恩;A·格瑞尔;T·J海格;S·麦合塔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01B3/18 | 分类号： | H01B3/18;H01B17/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高青 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种介电常数等于或小于3.6的富碳的碳氮化硼介电膜，它可被用作各种电子器件中的组件。富碳的碳氮化硼介电膜具有式子CxByNz，其中，x为35原子百分比或更大，y为6原子百分比到32原子百分比，以及z为8原子百分比到33原子百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 使用 氮化 硼介电膜 | ||
【主权项】：
一种具有式子CxByNz的介电膜，其中，x为35原子百分比或更大，y为6原子百分比到32原子百分比，以及z为8原子百分比到33原子百分比。
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