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[发明专利]用于变压器绝缘的纸张中的氮化硼的层压复合材料-CN201580052191.9在审
发明人：瞿浩;拉达·比默特;约翰尼斯·代利斯;奥利弗·萨法罗斯基 -专利权人：莫门蒂夫性能材料股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01B3/04 文献下载
摘要：本发明的技术提供了一种包括多个绝缘介电层和设置在相邻介电层之间的导热层的电绝缘材料，所述导热层包含导热填料。另外，本发明的技术还提供了一种制造所述电绝缘材料的方法。本发明的技术还提供了一种导电装置，其包含导电材料和围绕所述导电材料设置的电绝缘材料，所述电绝缘材料包含第一介电层，覆盖在所述第一介电层上的第二介电层，和设置在所述第一和第二介电层之间的导热层，所述导热层包含导热填料，例如氮化硼。
用于变压器绝缘纸张中的氮化层压复合材料

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201810167630.6在审
发明人：张海洋;蒋鑫;钟伯琛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属连接层，并在金属连接层上形成盖层；形成低k介电层，低k介电层形成于盖层的上方，在低k介电层上形成层间介质层，并在层间介质层上形成硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀层间介质层以形成连接孔，暴露低k介电层；形成覆盖连接孔的内壁的侧墙；和除去暴露的低k介电层和硬掩膜层。避免低k介电层出现刻蚀过度产生的缺陷，保证了低k介电层结构尺寸的规整。
低k介电层硬掩膜层半导体器件金属连接层介质层连接孔盖层层间介质层规整刻蚀层暴露侧墙衬底介电内壁掩膜半导体覆盖保证

[发明专利]固态图像传感器-CN201280041304.1有效
发明人：加藤太朗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：所述布线结构包括反射部分和绝缘膜，所述反射部分具有朝向所述半导体层反射从第二面向第一面透过所述半导体层的光的反射表面，所述绝缘膜位于所述反射表面与第一面之间。所述传感器包含第一介电膜和第二介电膜，第一介电膜被布置为接触第一面，第二介电膜被布置于所述绝缘膜与第一介电膜之间，并具有与第一介电膜和所述绝缘膜的折射率不同的折射率。
固态图像传感器

[发明专利]具有自成型阻挡层的低K电介质-CN202080041895.7在审
发明人：丁祎;S·慕克吉;B·谢;K·S·伊姆;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种形成具有阻挡性质的低k介电层的方法。所述方法包括通过PECVD形成掺杂有硼、氮或磷中的一者或多者的介电层。一些实施例的掺杂剂气体可在沉积期间与其他反应物共同流动。
具有成型阻挡电介质

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201310068026.5有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括在半导体衬底上依次形成低k介电层和第一低k介电硬掩膜层；在所述第一低k介电硬掩膜层上形成金属硬掩膜层；图案化所述金属硬掩膜层和所述第一低k介电硬掩膜层以形成开口；执行紫外光固化处理，以扩大所述第一低k介电硬掩膜层的开口尺寸；刻蚀处理所述低k介电层以形成沟槽结构；移除所述金属掩膜层；在所述沟槽结构中沉积形成铜金属层。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]导热填料及其制备方法、灌封胶及其制备方法、接线盒、光伏组件-CN202211656760.9在审
发明人：刘正伟;何志富;吕俊;范圣凯;吕立威 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09J11/04 文献下载
摘要：导热填料包括：六方氮化硼纳米片，以及位于六方氮化硼纳米片两侧的介孔二氧化硅；六方氮化硼纳米片中六方氮化硼片层的层数小于或等于3；介孔二氧化硅通过模板法杂化形成在六方氮化硼纳米片两侧。本发明中，减少了六方氮化硼纳米片的团聚，有益于形成更好的导热通路，在低填充比例下，提高了有机聚合物的导热系数。导热填料与有机聚合物分子结合力强，六方氮化硼纳米片、介孔二氧化硅均具有很高的体积电阻率和较低的介电参数，使得该导热填料具有很高的绝缘性，填充该导热填料能提高有机聚合物的电气绝缘性，保障了电子器件的正常、
导热填料及其制备方法灌封胶接线组件

[发明专利]双极结型晶体管(BJT)及其形成方法-CN202011067688.7在审
发明人：郭俊聪;卢玠甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。
双极结型晶体管 bjt 及其形成方法

[发明专利]高压退火及降低湿蚀刻速率-CN201780066416.5有效
发明人：柯蒂斯·S·莱斯基斯;基思·塔特森·王;史蒂文·维哈沃贝克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述通过在沉积过程中流动材料进入间隙来降低形成在图案化基板上的介电膜的湿蚀刻速率的方法。以此方式沉积的膜可能最初呈现提高的湿蚀刻速率。通过暴露图案化基板至气相水蒸汽的高压力来处理介电膜。处理可降低介电膜的湿蚀刻速率，特别是介电膜的间隙填充部分。扫描电子显微镜已经确认通过本文所述的工序降低或排除孔的数量与/或尺寸。也已经发现处理降低了例如由介电膜填充的间隙的底部处的蚀刻速率。
高压退火降低蚀刻速率

[发明专利]一种环硼氮烷芳炔树脂及其制备方法-CN201310487472.X有效
发明人：齐会民;王帆;朱亚平;郭康康;周超 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C08G79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种环硼氮烷芳炔树脂及其制备方法。本发明所述环硼氮烷芳炔树脂的结构特征是在聚合物分子链中含有环硼氮烷和芳炔基结构。该树脂的制备方法是以二乙炔基苯、三卤化硼和氯化铵或有机伯胺为原料，在隋性气体保护下分三步反应合成环硼氮烷芳炔树脂。本发明工艺简单，操作方便，反应时间短，工艺条件容易控制，后处理过程简单；本发明的环硼氮烷芳炔树脂为红棕色粘稠液体或淡黄色固体，可通过光、热聚合固化；环硼氮烷芳炔树脂具有优良的耐热性能和低介电性能，可用于制备先进树脂基复合材料，也可以作为低介电材料，在航空航天、电子信息领域有广泛的应用。
一种环硼氮烷芳炔树脂及其制备方法

[发明专利]一种硼含量可调控的SiBN纤维制备方法及其SiBN纤维-CN201911178321.X有效
发明人：邵长伟;龙鑫;王应德;王小宙;王兵 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： D01F9/10 文献下载
摘要：本发明公开一种硼含量可调控的SiBN纤维制备方法及其SiBN纤维，该制备方法包括对聚碳硅烷纤维进行氨气气氛处理，脱碳并引入活性氨基；进行三氯化硼气氛处理，引入硼元素；进行氨气气氛后处理，脱氯并引入活性氨基；重复若干次三氯化硼气氛处理和氨气气氛后处理过程，之后进行高温烧成，得到SiBN纤维；该SiBN纤维中的硼含量为3.50～8.50wt％，强度为1.05～1.45GPa，1600℃下氮气气氛处理后强度保持率为60～112％，在8～18GHz下的介电常数为3.24～5.07，在8～18GHz下的介电损耗为0.0050～0.0096。本发明提供的制备方法通过氨气气氛和三氯化硼气氛的交替处理实现了SiBN纤维中硼含量的可调控，同时所述制备方法工艺简单、成本低；本发明提供的SiBN纤维的力学性能、耐高温性能和介电性能均较优异。
一种含量调控 sibn 纤维制备方法及其

[发明专利]平坦化方法及组合物-CN202080083270.7在审
发明人：米契拉·康奈尔;S·马利克;R·萨卡穆里;A·A·纳依尼;史蒂芬尼·迪拉克 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2020-10-01 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C08G73/12 文献下载
摘要：本公开涉及一种在具有导电金属图案的基板上产生平坦化聚酰亚胺基介电膜的方法，其中该方法包含下列步骤：(a)提供包含至少一种完全酰亚胺化的聚酰亚胺聚合物及至少一种溶剂的介电膜形成组合物；及(b)将该介电膜形成组合物沉积到具有导电金属图案的基板上以形成介电膜，其中，该介电膜的顶端表面上的最高点与最低点间的差小于约2微米。
平坦方法组合

[发明专利]在用于减少RC延迟的介电层中产生气隙的方法和装置-CN200810169680.4无效
发明人：埃米尔·阿拉-巴亚提;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;任康树;梅休尔·内克;崔振江;米哈拉·鲍尔西努;石美仪;夏立群 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙
用于减少 rc 延迟介电层中产生气方法装置

[发明专利]微机电系统结构及其制作方法-CN201910031754.6有效
发明人：林元生;张容豪;徐长生;陈翁宜 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种微机电系统结构及其制作方法，该微机电系统结构包括：基材、介电层、振膜、背板以及掩膜。基材具有一个贯穿孔。介电层位于基材上，具有一个开口(cavity)与贯穿孔连通。振膜具有至少一个气孔，且嵌设于介电层中，并与介电层共同定义出一个与贯穿孔相互连通的第一腔室。背板位于介电层上。掩膜的一端嵌设于介电层中，另一端延伸进入开口中，并与振膜空间隔离，且与气孔至少一部分重叠。
微机系统结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201511021446.3有效
发明人：置田阳一;伊藤英树;王文生 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成介电膜；在介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在上电极和介电膜上形成第一保护性绝缘膜；通过原子层沉积法在第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用第二保护性绝缘膜填充沿着介电膜的晶界的间隙；在第二保护性绝缘膜形成后，使导电膜形成图案以提供下电极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]转换器-CN201780004959.4在审
发明人：千叶正毅;和气美纪夫;大屋纪之;横田英之;本间正敏;小田切庆一;竹之内宏美;齐木智秋 -专利权人：千叶正毅;和气美纪夫;共立材料株式会社;株式会社ADEKA
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：一种转换器具备第一电极、第二电极、介电弹性体膜和高介电常数膜。介电弹性体膜配置在第一电极与第二电极之间，并且具有相对介电常数ε1。高介电常数膜配置在第一电极与介电弹性体膜之间、和第二电极与介电弹性体膜之间的至少一方，并且具有比相对介电常数ε1大的相对介电常数ε2。
介电弹性体膜相对介电常数第二电极第一电极转换器高介电常数膜配置