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[发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201310077521.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上依次形成第一低k介电层和硬掩膜层；图案化所述第一低k介电层和所述硬掩膜层以形成第一沟槽结构；在所述第一沟槽结构中沉积形成致密的第二低k介电层；移除所述硬掩膜层和所述第二低k介电层高出所述第一沟槽结构的部分；执行固化处理所述第一低k介电层形成多孔的第一低k介电层；在所述第一沟槽结构内的所述第二低k介电层中形成第二沟槽结构。根据本发明的制造工艺可以有效地避免采用干法刻蚀和湿法清洗工艺处理超低k介电层时产生的介电常数（k值）的损伤。
一种制作半导体器件方法

[发明专利]一种二维半导体双异质结高效发光器件-CN202210992640.X在审
发明人：李永卓;冯家斌;宁存政;孙皓;甘霖 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体双异质结高效发光器件，包括：绝缘衬底；两个栅极，位于绝缘衬底；氮化硼介电层，位于栅极上；半导体发光层，位于氮化硼介电层上；半导体载流子输运层，位于半导体发光层上；源漏电极，位于半导体载流子输运层上；氮化硼保护层，位于源漏电极上；发光器件工作时在两个栅极上分别施加正负电压，分别产生P型半导体和N型半导体形成半导体双异质结，并在源漏电极施加偏压。
一种二维半导体双异质结高效发光器件

[发明专利]在凹槽刻蚀之前通过干涉法实现的现场监测进行平坦化刻蚀的方法-CN02821836.1有效
发明人：琳达·布拉里;瓦希德·瓦赫迪;爱瑞克·艾德博格;艾伦·米勒 -专利权人：拉姆研究公司
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种在衬底中进行凹槽刻蚀操作的方法，其包括：在衬底上形成硬掩膜，并且利用该硬掩膜在衬底中刻蚀出沟槽，在硬掩膜之上和该沟槽中形成介电层，该介电层衬垫该沟槽。然后将导电材料涂敷在介电层之上，使得该导电材料覆盖在该硬掩膜之上并填充该沟槽，对该导电材料进行刻蚀以基本上使导电材料平坦。在即将把所有的导电材料从覆盖硬掩膜的介电层上去除之前，导电材料的刻蚀触发终点。对导电材料进行凹槽刻蚀，以去除覆盖硬掩膜的介电层上的导电材料，并且从沟槽中去除至少一部分导电材料。
凹槽刻蚀之前通过干涉实现现场监测进行平坦方法

[发明专利]图案化低k介电膜的方法-CN201380034656.9有效
发明人： S·D·耐马尼;J·T·彭德;Q·周;D·卢博米尔斯基;S·G·别洛斯托茨基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本文描述图案化低k介电膜的方法。在实例中，一种图案化低k介电膜的方法涉及以下步骤：在低k介电层之上形成及图案化光罩层。低k介电层安置在基板之上。方法亦涉及以下步骤：利用等离子体工艺来修正低k介电层的曝露部分。方法亦涉及以下步骤：在同一操作中，利用对光罩层及低k介电层的未修正部分有选择性的远程等离子体工艺，去除低k介电层的已修正部分。
图案介电膜方法

[发明专利]一种介电膜层、制备方法及应用-CN202011628087.9在审
发明人：胡忠营;邱雨 -专利权人：瑞态常州高分子科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：发明公开一种介电膜层，包括弹性介电本体，导电的第一颗粒和第二颗粒；第一颗粒和第二颗粒分别均匀嵌入于弹性介电本体的上侧和下侧；第一颗粒和第二颗粒竖直方向同轴设置且中间具有间隙；第一颗粒的上端面与弹性介电本体的上侧面处于同一高度；第二颗粒的下端面与弹性介电本体的下端面处于同一高度；本发明还公开了该介电膜层的制备方法以及将该介电膜层应用于电阻式压力传感器；本发明触碰敏感，精准感应压力。
一种介电膜层制备方法应用

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811113251.5有效
发明人：置田阳一;伊藤英树;王文生 -专利权人：富士通半导体存储方案股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，特别是一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成介电膜；在介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在上电极和介电膜上形成第一保护性绝缘膜；在该第一保护性绝缘膜形成之后，通过原子层沉积法在第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用第二保护性绝缘膜填充沿着介电膜的晶界的间隙；在第二保护性绝缘膜形成后，使导电膜形成图案以提供下电极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于摩擦和静电感应的直流摩擦纳米发电机-CN202210374507.8在审
发明人：付绍珂;程云涛;胡陈果;孙宽 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明公开基于摩擦和静电感应的直流摩擦纳米发电机，所述发电机的正电极上的正介电膜的面积小于第一导电部件的面积，负电极上负介电膜的面积小于第二导电部件的面积。通过将发电机的正、负电极中正介电膜、负介电膜的面积均小于对应导电部件，实现直流输出，同时由于接触面积的减小，从而减小摩擦力和损耗，提高了耐久性。
基于摩擦和静电感应直流纳米发电机

[发明专利]显示装置-CN201711236397.4有效
发明人：尹净基;林宫恩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：触摸感测线与触摸驱动线在有机触摸介电膜与无机触摸介电膜设置在其间的位置处彼此交叠，从而防止有机触摸介电膜退化时产生斑点并且防止对有机触摸介电膜的损害。
显示装置

[发明专利]陶瓷电容器-CN95108532.8无效
发明人：山名毅 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1995-06-01 - 公布日： 2000-09-13 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：一种陶瓷电容器，它包括介电陶瓷体，在该介电陶瓷体上具有一焙烧铜电极，该焙烧铜电极由细铜粉和玻璃料组成，该玻璃料包括氧化硼、氧化铅和氧化锌之中选出的至少一种，所述玻璃料的含量为所述细铜粉量的２到２０ｗｔ％
陶瓷电容器

[发明专利]一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用-CN202110251925.3有效
发明人：李京波;岳倩;高伟;张峰;张帅;郑涛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO2/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，SnS2纳米片和SiC衬底接触形成异质结；该方法在清洗的SiC上沉积SiO2膜，利用激光直写技术获得base:Sub>窗口，将SnS2纳米片转移至SiC上形成SiC‑SnS2异质结，沉积金属得到源电极和漏电极，六方氮化硼作为栅极介电层
一种碳化硅硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法应用

[发明专利]薄膜电容器制造方法、集成电路安装基板及配备有该基板的半导体装置-CN201580016880.4有效
发明人：服部笃典 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：公开了一种制造电路基板中的薄膜电容器的方法，所述方法包括：第一电极形成步骤(图3(d))，用于在形成于支撑构件(31)的表面上的介电膜(12M)上以所需图案形成薄膜电容器的第一电极层(11)；基础材料形成步骤(图3(e))，用于在介电膜(12M)和第一电极层(11)上形成电路基板的绝缘基础材料(16)，以便埋设第一电极层(11)；去除步骤，用于去除支撑构件(31)，并且暴露介电膜(12M)的在与第一电极层(11)相反侧上的表面；介电图案化步骤，用于对介电膜(12M)图案化，以便留有与第一电极层(11)重叠的介电层，并且在介电层中形成第一通孔以便暴露第一电极层(11)的在介电层侧上的表面的一部分；以及第二电极形成步骤，用于形成薄膜电容器的第二电极层，以便与包括第一通孔的内部的介电层重叠。
薄膜电容器制造方法集成电路安装配备半导体装置

[发明专利]四方扁平无引脚封装结构与导线架结构-CN201510336607.1在审
发明人：吴自胜 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种四方扁平无引脚封装结构与导线架结构，其中四方扁平无引脚封装结构，其包括导线架、介电膜、晶片、多条焊线以及封装胶体。导线架包括多个引脚。介电膜配置于导线架上。介电膜具有多个开孔。晶片配置于介电膜上。各焊线分别连接于晶片与对应开孔所暴露出的引脚之间。封装胶体包覆导线架、介电膜、晶片以及焊线。本发明另提供一种四方扁平无引脚的导线架结构。
四方扁平引脚封装结构导线

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910183915.3在审
发明人：刘云云 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成具有开口的图形化掩膜层；沿所述开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成刻蚀图形；形成填充满所述刻蚀图形并覆盖所述图形化掩膜层的介电层；对所述介电层进行平坦化，暴露出所述图形化掩膜层的表面；采用湿法刻蚀工艺去除所述图形化掩膜层，所述湿法刻蚀工艺在刻蚀去除所述图形化掩膜层的同时，对所述介电层进行逆刻蚀，在所述介电层表面形成逆刻蚀层。所述方法形成的所述半导体结构能够提高所述介电层的隔离性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]制造印刷电路板的方法以及由此制造的印刷电路板-CN200710108648.0有效
发明人：李汀苑;郑栗教;李寅衡 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用激光剥离制造其中嵌入有具有介电膜的电容器的印刷电路板的方法，以及一种由此制造的电容器。在该方法中，在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜。在热处理后的介电膜上形成第一导电层。在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层。此外，在第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。
制造印刷电路板方法以及由此

[发明专利]具有滑动介电膜的基板及其制造方法-CN201811308557.6有效
发明人：朴圣奎;金东好;郑昊相 -专利权人：韩国材料研究院
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B81B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板以及制造该基板的方法，该基板通过使用具有低表面能的滑动介电膜激活金属吸附原子的表面迁移形成。更具体地，一种具有滑动介电膜的基板包括基板；在所述基板上形成的具有低表面能的滑动介电膜；以及在所述滑动介电膜上形成的纳米颗粒，其中纳米颗粒的表面能比滑动介电膜的表面能至少大1000mJ/m
具有滑动介电膜及其制造方法