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[实用新型]一种太阳能电池-CN201721847099.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：盐城普兰特新能源有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、第一TCO膜层、第二TCO膜层、n型碳硅膜层和p型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次形成第一本征非晶硅层、p型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次形成第二本征非晶硅层、n型碳硅膜层和第二TCO膜层。
太阳能电池本征非晶硅层膜层碳硅本实用新型基板短路电流太阳能电池技术

[发明专利]MEMS器件的形成方法-CN201110303975.8有效
发明人：毛剑宏;唐德明 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；在所述图形化的非晶碳层上形成第一膜层，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。非晶碳层容易去除而且不会污染腔室；另外，用非晶碳层作为牺牲层，工艺兼容性好；并且，材料为锗硅、锗或硅的第一膜层与非晶碳层的粘附性很好，不会出现第一膜层与非晶碳层之间滑动的现象。
mems 器件形成方法

[发明专利]多重图形化掩膜的制备方法-CN201611086146.8有效
发明人：鲍宇;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种多重图形化掩膜的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；在部分所述硬掩膜层上形成依次层叠的非晶硅层和第一多晶硅层；在所述非晶硅层及所述第一多晶硅层的周围形成侧倾；在所述硬掩膜层、所述侧墙及所述非晶硅层上形成应力层；对所述半导体衬底进行热退火工艺，所述非晶硅层转变为第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层的宽度大于所述第一多晶硅层的宽度；去除所述第二多晶硅层、所述应力层及所述第一多晶硅层本发明中，能够减小侧墙两侧壁的形貌差异，从而优化对硬掩膜层的刻蚀工艺。
多重图形化掩膜制备方法

[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法-CN201780024927.0有效
发明人：若林大士;目黑贤二;二井谷美保 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：于基底晶圆堆积多晶硅层；研磨多晶硅层得到研磨面；于接合晶圆形成绝缘膜；透过绝缘膜将多晶硅层的研磨面与接合晶圆予以贴合；将接合晶圆薄膜化，其中用100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆而堆积多晶硅层步骤中，更包含于基底晶圆的堆积多晶硅层表面上先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积是通过升温至1000℃以上规定温度为止，且在规定温度下供给多晶硅层原料气体而进行，更进一步在升温至规定温度为止之际中也供给多晶硅层原料气体。由此，得以保持高生产率并抑制多晶硅层的单晶化。
贴合 soi 制造方法

[发明专利]一种晶须掺混复合反渗透膜的制备方法-CN201610224196.1有效
发明人：王薇;于湉 -专利权人：天津天工新材料科技有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶须掺混和聚乙烯醇(PVA)预处理制备复合反渗透膜的方法。其主要技术特性在于：将晶须加入聚合物铸膜液中，以无纺布为支撑层采用非溶剂相转化法制备晶须掺混基膜，然后用含有PVA和离子液体放水溶液预涂基膜表面，最后在经过预处理的基膜表面进行间苯二胺和均苯三甲酰氯的原位界面聚合，得到复合反渗透膜。采用此方法制备的复合反渗透膜采具有极高的机械强度；其功能层更为致密、均匀，与基膜结合的更紧密，不易脱落；复合反渗透膜的截留率更高，使用寿命延长。
一种晶须掺混复合反渗透制备方法

[发明专利]异质结电池结构及其制备方法-CN202011606801.4有效
发明人：赵保星;张树德;符欣;连维飞;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结电池结构及其制备方法，该异质结电池结构包括自下而上依次设置的底电极、背面透明导电膜层、n型掺杂非晶硅层、背面本征非晶硅层、背面本征非晶硅缓冲层、n型单晶硅片、正面本征非晶硅缓冲层、正面本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、正面透明导电膜层以及顶电极。异质结电池结构及其制备方法该大幅提升非晶硅/硅衬底界面的清晰度，提升钝化效果，进而提升电池开路电压以及开路电压相关的填充因子。
异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]一种晶须加强聚偏氟乙烯中空纤维膜及其制备工艺-CN201210027871.3无效
发明人：朗万中;纪芹 -专利权人：沃盛环保科技（上海）有限公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B01D71/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶须加强聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维膜的制备工艺，其包含下列步骤：将包含晶须的用于制备PVDF中空纤维膜的铸膜液，来制备PVDF中空纤维膜，即可；所述铸膜液包含晶须、PVDF和溶剂，其中，晶须的含量为质量百分比0％～5％，但不为0％，PVDF的含量为质量百分比0％～5％，优选0.1～4％，溶剂的含量为75％～85％，但不为85％；所述的晶须为纳米级无机晶须。本发明还公开了上述方法制得的晶须加强聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维膜。本发明的制备工艺实现了有机组分与无机组分间的良好结合，得到了同时拥有有机膜和无机膜优点的膜材料，提高了材料的综合性能，使该材料增韧增强并举。
一种加强聚偏氟乙烯中空纤维及其制备工艺

[发明专利]异质结晶硅电池及其制备方法-CN202211298130.9在审
发明人：霍亭亭;张学玲;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结晶硅电池及其制备方法，其中，异质结晶硅电池包括N型硅基体、N型硅材料层和P型硅材料层，N型硅基体的正面和背面均设有本征非晶硅层；N型硅材料层连接于正面的本征非晶硅层上，N型硅材料层上依次层叠有第一透明导电膜层、第二透明导电膜层和第三透明导电膜层，且第一透明导电膜层、第二透明导电膜层和第三透明导电膜层的掺杂浓度依次递增，第三透明导电膜层上设有多个间隔设置的镂空部，第三透明导电膜层上连接有正面电极；P型硅材料层连接于背面的本征非晶硅层上，P型硅材料层上层叠有背面透明导电膜层，背面透明导电膜层上连接有背面电极。
结晶电池及其制备方法

[发明专利]由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法-CN201010527939.5无效
发明人：刘守彬;田汉民;杨瑞霞;田学民;王伟;杨帆;赵红东;吕俊;李毅杰 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成，染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上，由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上，克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高，以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点
微晶硅层入射复合薄膜太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种单面受光HIT太阳能电池-CN201420719497.8有效
发明人：杨与胜;葛洪;张超华 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单面受光HIT太阳能电池，其包括：N型单晶硅片；设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层；设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层；设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在ITO透明导电膜层的金属栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层上的AZO透明导电膜层；设在AZO透明导电膜层上的金属复合电极。
一种单面 hit 太阳能电池

[发明专利]一种TBC电池制备方法及TBC电池-CN202310738431.7在审
发明人：李红博;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种TBC电池制备方法及TBC电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：在硅衬底的背面依次沉积隧穿氧化层、掺杂非晶硅层和第一掩膜层；去除预设图形区域的第一掩膜层、掺杂非晶硅层和隧穿氧化层；在退火设备中对非预设图形区域的掺杂非晶硅层进行晶化和杂质激活，并在硅衬底的背面沉积第二掩膜层；形成第二掩膜层后，对硅衬底的正面进行制绒；制绒后，去除第一掩膜层和第二掩膜层；去除第一掩膜层和第二掩膜层后，在硅衬底的正面和背面镀膜；镀膜后，在预设图形区域和非预设图形区域印刷栅线并进行烧结本申请能够避免破坏隧穿氧化层和降低钝化效果。
一种 tbc 电池制备方法

[发明专利]一种减少印刷线路板晶须生长的表面处理方法-CN202311142345.6在审
发明人：韩少华;王健;孙彬;陆文;戚胜利;孙飞;刘明寒;叶斌;黄梦晴;王康 -专利权人：江苏上达半导体有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明公开了印刷线路板技术领域的一种减少印刷线路板晶须生长的表面处理方法，所述印刷线路板的表面处理方法在成型线路板上形成多层保护层；所述保护层包括锡层和抗须膜。本发明提出通过在印刷线路板裸铜面形成锡层和抗须膜的方式，实现了抑制晶须生长，进而实现提高焊接性能的技术效果。
一种减少印刷线路板须生表面处理方法

[发明专利]一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法-CN201510872715.0在审
发明人：尤宇文;宋广华;罗骞 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法，包括步骤如下在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧化物薄膜，在所述透明导电氧化物层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积种子层；在种子层上覆一层掩膜层，将掩膜层经过曝光显影后形成金属栅线图案；采用电镀方式，对图案区域进行电镀铜、电镀锡，形成金属栅线；通过工装携带电池片，进入去膜室，去除栅线外的掩膜层，接着进入蚀刻室，腐蚀去除其覆盖位置的种子层和阻挡层，暴露出电池表面。
一种太阳能电池金属制备过程去除掩膜层方法

[发明专利]一种改性硫酸钙晶须增强的地聚合物与其制备方法-CN202111196957.4有效
发明人：魏铭;张长森;焦宝祥;孙楠;韩朋德;蔡安兰;蔡树元 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性硫酸钙晶须增强地聚合物及其制备方法，所述改性硫酸钙晶须增强地聚合物包括如下重量份的原料：100份硅铝质原料，35‑80份碱激发剂，1‑3份增强剂；碱激发剂由0‑20份的氢氧化钠与80‑100份的模数为1.2‑3.4的水玻璃混合制备而成；所述增强剂为磷酸三钠改性硫酸钙晶须。本发明的磷酸三钠改性后的硫酸钙晶须，表面会附着单分子层的磷酸氢钙薄膜，从而降低了晶须间的范德华力，阻止了晶须的再团聚，使硫酸钙晶须能够均匀独立的分布在地聚合物基体中；同时，会在晶须表面形成的大量羟基(‑OH)，其羟基可参与地聚合物的缩聚反应，实现晶须与地聚合物的有效结合，本发明制备的地聚合物力学性能、耐高温和耐酸性能优良。
一种改性硫酸钙增强聚合物与其制备方法

[发明专利]一种抗撕裂、可降解的聚乳酸食品包装膜及制备方法-CN202110627876.9有效
发明人：韩群 -专利权人：上海经海纬象生物材料有限公司
申请日： 2021-06-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明涉及包装材料的技术领域，提供了一种抗撕裂、可降解的聚乳酸食品包装膜及制备方法。所述聚乳酸食品包装膜由聚乳酸和复合交联粒子组成。所述复合交联粒子为核壳结构，核层为纳米二氧化硅粒子，壳层为均匀分布甲壳素纳米晶须的聚薄荷醇内酯弹性体。所述复合交联粒子的壳层中，聚薄荷醇内酯形成交联网络结构，甲壳素纳米晶须作为网络结构的交联点。所述甲壳素纳米晶须是甲壳素通过水解去除无定形区以及低有序区域后得到的缺陷少、强度高的纳米晶须。所述壳层与核层通过化学键形成良好结合。本发明通过在聚乳酸中添加复合交联粒子，可明显提高聚乳酸包装膜的撕裂强度，并且该包装膜具有良好的降解能力。
一种撕裂降解乳酸食品包装制备方法