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[发明专利]一种无铅元器件互连焊点锡须触碰风险评估方法-CN201911129146.5在审
发明人：张伟;李楠;张海明;吴照玺;谷瀚天 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种无铅元器件互连焊点锡须触碰风险评估方法，该方法包括以下步骤：步骤1：进行锡须生长激发试验；步骤2：锡须特征参数测定；步骤3：锡须生长分布规律分析及锡须生长特征模型建立；步骤4：无铅元器件互连焊点锡须触碰风险评估本发明以无铅元器件为研究对象，针对无铅元器件互连焊点的锡须生长问题，进行锡须生长试验，结合锡须生长特征参数，进行锡须生长长度、锡须生长密度、锡须生长角度的测定，针对试验数据进行统计分析，得到锡须的生长分布规律和生长特征模型
一种元器件互连焊点锡须触碰风险评估方法

[发明专利]纯锡镀层元器件锡须生长失效预测方法与系统-CN201510314250.7有效
发明人：周斌;何春华;恩云飞;何小琦;李勋平 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种纯锡镀层元器件锡须生长失效预测方法与系统，获取纯锡镀层元器件中锡须生长长度对数均值、对数标准差、锡须生长面密度均值以及面密度标准差数据，拟合出多项式拟合公式，计算锡须面密度均值、标准差、锡须生长长度对数均值以及对数标准差，分别进行第一次和第二次蒙特卡罗运算分析，得到锡须长度数据，根据锡须长度数据和预设失效判据，计数每组面密度中引起短路失效的锡须根数，计算待预测纯锡镀层元器件中引脚对的锡须生长失效率。整个过程中，从失效物理的角度，分别考虑锡须生长的面密度和长度值，并基于蒙特卡罗算法，分别进行迭代运算，兼顾锡须生长的失效物理因素，能对各类纯锡镀层元器件中锡须生长失效进行快速、准确预测。
镀层元器件须生失效预测方法系统

[发明专利]一种锡晶须生长的快速测试方法和系统-CN200810119860.1有效
发明人：王群勇;刘欣伟;阳辉;白桦;刘燕芳;陈冬梅;孙旭朋;陈宇 -专利权人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡晶须生长的快速测试方法，包括以下步骤：设置待测样品的外界应力；对所述待测样品进行初检，确定所述待测样品中锡晶须的初始长度和初始密度；在设置的外界应力下，所述待测样品进行锡晶须生长；测量所述待测样品的锡晶须的长度和密度本发明还公开了一种锡晶须生长的快速测试系统，包括外界应力控制装置和测量装置。本发明通过外界应力控制装置试验选定缩短锡晶须生长潜伏期的环境模拟加速试验，可以确定缩短锡晶须生长潜伏期的条件及时间；另外本发明实施例可以实现锡晶须长度和密度的测量。
一种须生快速测试方法系统

[发明专利]镀锡-CN02105651.X无效
发明人： J·赫博;A·艾格利;M·P·托本;F·西瓦格 -专利权人：希普雷公司
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： C25D3/30 文献下载
摘要：本发明公开了通过使用一种薄金属底层来减少锡膜中晶须生成的方法。而且公开了大大减少了晶须生成的锡镀层的结构。
镀锡

[发明专利]柔性电路电镀表面抑制晶须工艺-CN200910111939.4有效
发明人：李敏 -专利权人：厦门华天华电子有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C25D5/48 文献下载
摘要：所采用的机械磨刷可有效机械破坏原镀层金属结构，达到破坏晶须生长的条件，杜绝晶须生长，使柔性电路产品达到对长期可靠性的要求。本发明工艺的实施，消除了以往无铅电镀技术上，难以克服晶须生长的问题，找到了一种投资少、工艺控制简单、抑制晶须生长效果明显的方法，使这一行业有了电镀作业性良好、成本低廉的新工艺。
柔性电路电镀表面抑制工艺

[发明专利]一种抑制MAX相中金属晶须生长的方法-CN202210047780.X有效
发明人：张培根;张倩倩;田志华;唐静雯;李帅;何炜;孙正明 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制MAX相中金属晶须生长的方法，包括以下步骤：(1)将MAX相与活性A原子的捕获剂混合；(2)将混合后的MAX相与活性A原子的捕获剂通过冷压成型为生胚；(3)将生胚在保护气氛下烧结成样品本发明通过合金化的方法，金属相通过固溶捕获从MAX相中脱离的活性A原子，切断晶须生长的原子来源，从而有效抑制A元素晶须生长；对烧结后的样品做打磨处理以模拟服役过程中的摩擦、碰撞情况，将处理打磨后的MAX相/金属相复合材料置于高/低温、高/低湿度的环境下，均无金属晶须生长，且适用范围广，具有工艺简单、绿色、高效、低成本的优点。
一种抑制 max 相中金属须生方法

[发明专利]水族箱植物生长器-CN200410010044.9无效
发明人：冯建军 -专利权人：冯建军
申请日： 2004-02-02 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： A01G31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种水族箱植物生长器，由植物生长管和根须生长管构成。植株从植物生长管的插入口插入其管内，植株托能够托住植株。植物生长管壁上设有透水透气孔，可透水透气。植株生成根须后，根须生长管的根须托能防止鱼吃食植物的根须，根须生长腔保护植株生成发达的根系。这样，可水养植物能够得到充分的水和空气，又能生成发达的根须，那么，可水养植物就能在水族箱植物生长器中生长了。
水族箱植物生长

[发明专利]抑制锡晶须生长的后处理剂及其制备方法-CN202110820003.X有效
发明人：孙沈良;黄海宾 -专利权人：海宁市科泰克金属表面技术有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C25D5/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制锡晶须生长的后处理剂其制备方法，其特征在于，包括如下按质量百分数计的各组分：0.1‑20wt％长链烷烃基亚磷酸，其碳原子数不少于4；0.1‑20wt％长链烷烃基亚磷酸酯，其碳原子数不少于本发明的抑制锡晶须生长的后处理剂及其制备方法，工艺简单，制备成本低，可有效抑制晶须生长速率。
抑制须生处理及其制备方法

[实用新型]水族箱植物生长器-CN200420010121.6无效
发明人：冯建军 -专利权人：冯建军;冯艳平
申请日： 2004-02-02 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： A01G31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水族箱植物生长器，由植物生长管和根须生长管构成。植株从植物生长管的插入口插入其管内，植株托能够托住植株。植物生长管壁上设有透水透气孔，可透水透气。植株生成根须后，根须生长管的根须托能防止鱼吃食植物的根须，根须生长腔保护植株生成发达的根系。这样，可水养植物能够得到充分的水和空气，又能生成发达的根须，那么，可水养植物就能在水族箱植物生长器中生长了。
水族箱植物生长

[发明专利]一种促进钛酸钾晶须生长的方法-CN201210189429.0无效
发明人：商少明;孙芳;刘瑛;陈新;宋健 -专利权人：江南大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种促进钛酸钾晶须生长的方法。该方法采用晶须生长促进剂及水，薄料层一次焙烧或较厚料层两次焙烧的方式，促进钛酸钾晶须的生长，获得粗细、长短均一的晶须产品。
一种促进钛酸钾晶须生方法

[发明专利]通过将锡与金掺杂减轻锡和镀锡表面上的锡须生长的方法和装置-CN201810419361.8有效
发明人： T·A·伍德罗;J·A·尼耳森 -专利权人：波音公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C25D3/60 文献下载
摘要：本发明的名称为通过将锡与金掺杂减轻锡和镀锡表面上的锡须生长的方法和装置。本公开内容一般地涉及锡电镀的领域。更具体地，本公开内容涉及通过将锡与金掺杂减轻镀锡膜和镀锡表面上的锡须生长的方法。
通过掺杂减轻镀锡表面上须生方法装置

[发明专利]一种高空位浓度MAX相及其制备方法和一种有效抑制锡晶须生长的无铅焊料及其制备方法-CN202111148619.3在审
发明人：刘玉爽;刘哲学;曹璐;李小雪;朱一鸣;王金婷 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明还公开了一种有效抑制锡晶须生长的无铅焊料及其制备方法，无铅焊料包括以下质量百分比的组分：高空位浓度MAX相：2~10%；Sn或Sn合金90~98%。本发明利用高空位浓度MAX相增强相捕获Sn或Sn合金中高活动性的Sn原子，使基体相中的Sn原子扩散进入MAX相中后保持平衡状态，不再向外扩散，切断Sn晶须生长所需的原子来源，从根本上抑制Sn锡晶须生长。本发明的适用温度范围广，在高低温下均能有效抑制Sn晶须生长，工艺简单，对焊料性能无负面影响，且能提升焊料的力学性能。
一种空位浓度 max 及其制备方法有效抑制须生焊料

[发明专利]碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法-CN200510042914.5无效
发明人：黄凤萍;李贺军;李克智;卢锦花 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2005-07-11 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶须生成炉以及用这种晶须生成炉生产晶须的方法。其目的是解决用现有的工业真空电炉不能连续生产碳化硅晶须问题。其晶须生成炉是在工业真空电炉基础上增加单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；其方法是利用单向气密式阀门的开闭，进行连续供料及连续产出碳化硅晶须成品。把现有技术的间歇式生产变为连续式生产，碳化硅晶须生产过程中不需要降温停炉，即可实现连续加料、出料，可提高生产效率，节约能耗；由于采用了诱导板，使碳化硅晶须在诱导板上生成，实现了碳化硅晶须在生长过程中即与粉料的分离
碳化硅须生生产方法

[发明专利]一种抑制MAX相中A元素晶须生长的方法-CN202210047770.6有效
发明人：张培根;田志华;唐静雯;孙正明;刘健 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制MAX相中A元素晶须生长的方法，利用氧化膜形成元素A’，对MAX相中的A位进行固溶处理，得到MAX相固溶体；MAX相固溶体经损伤处理后在MAX相表面形成氧化膜。含有A’元素的MAX相在受到机械摩擦损伤破坏后，A’原子易于在MAX相表面形成致密氧化膜来充当保护层，阻碍A原子向MAX相表面扩散，切断A晶须生长所需的物质来源；本发明适用于所有MAX相的A晶须抑制，工艺简单，可靠性高，且能从根本上抑制MAX相的晶须生长，同时还可提升MAX相的力学性能。
一种抑制 max 相中元素须生方法

[发明专利]一种快速评价Sn基钎料Sn晶须生长倾向的方法-CN201610424229.7在审
发明人：杨海峰;李明雨;张志昊 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种快速评价Sn基钎料Sn晶须生长倾向的方法，该方法通过制备Mg/Sn基钎料/Mg超声辅助钎焊接头为晶须生长提供载体。本发明可通过统计对比不同Sn基钎料所制备的焊缝表面晶须生长情况，比较不同钎料的Sn晶须生长倾向，为电子工业提供重要的钎料可靠性参数。
一种快速评价 sn 基钎料须生倾向方法

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