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[发明专利]掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池-CN201410011688.3无效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，它包括P型晶体硅衬底、N型掺氢晶化硅层、重掺杂N型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面电极层、P型掺氢晶化硅层、重掺杂P型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面电极层；N型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的正面上；重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的上表面上；P型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的背面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在P型掺氢晶化硅层的下表面上；背面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的下表面上。
掺氢晶化硅钝化异质结太阳能电池

[发明专利]单面异质结电池及其制作方法-CN202111544247.6在审
发明人：刘泉;祁嘉铭;杨江海;杨健 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：单面异质结电池包括：硅片基体、第一非晶硅膜、第二非晶硅膜、第一导电层、第二导电层、钝化层和背场层，第一非晶硅膜设置于硅片基体的受光面；第二非晶硅膜设置于硅片基体的背光面；第一导电层设置于第一非晶硅膜的上侧；第二导电层设置于第二非晶硅膜的下侧；钝化层设置于第二导电层的下侧；背场层设置于钝化层的下侧；其中，第二导电层的厚度小于第一导电层的厚度。在硅片基体的背光面设置背场层，利用背场层较佳的导电能力减少制备导电层所需的昂贵靶材的用量，使背光面侧的第二导电层的厚度小于受光面侧的第一导电层的厚度，从而降低电池生产成本。
单面异质结电池及其制作方法

[发明专利]ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法-CN200910082803.5无效
发明人：曹茂盛;段中夏;赵全亮;袁杰;路冉 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法，属于电子材料领域。本发明的方法是将ZnO纳米晶须加入酒精中配置成一定浓度的ZnO悬浮溶液，然后采用旋涂法将澄清的PZT溶胶和ZnO悬浮溶液交替涂覆在Pt/Cr/SiO₂/Si基片上进行成膜。经过多次交替重复，直到所需厚度，最后将所得到的厚膜在高温管式炉中热处理，获得硅基PZT压电复合厚膜。该方法制备的PZT压电复合厚膜表面平整无裂纹，组分均匀，膜厚可超过1μm以上；该发明制备的PZT压电复合厚膜满足MEMS铁电、压电器件对厚膜的实际要求，广泛用于航空、航天、兵器、舰船、信息、通讯等高技术领域
zno 纳米增强硅基锆钛酸铅压电复合制备方法

[发明专利]碱式硫酸镁晶须/钛酸钾晶须/羧基丁腈胶乳军用胶乳膜的制备方法-CN201711010678.8有效
发明人：陈晰;苏俊锋;张莹莹;武晨明 -专利权人：龙岩学院
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了碱式硫酸镁晶须/钛酸钾晶须/羧基丁腈胶乳军用胶乳膜的制备方法：先将碱式硫酸镁晶须和钛酸钾晶须分别加入到水中制成分散液；再将两种晶须分散液加入到羧基丁腈胶乳中，再加入硫化配合剂即可制成碱式硫酸镁晶须/钛酸钾晶须/羧基丁腈胶乳复合胶乳；所得复合胶乳过滤后将滤液倒入带有边框的玻璃板上干燥成膜，将所成的膜淋洗后晾干并在干燥箱中硫化即可。本发明制备的军用胶乳膜采用硫酸镁晶须和钛酸钾晶须并用，充分利用两种晶须的优点，所制备的胶乳膜不仅具有优良的力学强度和阻燃性，还具有优良的耐磨性和耐油以及耐酸耐碱的性质，完全符合军用胶乳制品的要求。
硫酸镁钛酸钾晶须羧基胶乳军用制备方法

[发明专利]适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池及其制备方法-CN201811562217.6在审
发明人：路忠林;吴仕梁;李质磊;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种MWT异质结硅太阳电池及其制备方法，电池包括N型硅基片，N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层，N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层；电池片正面设有正面金属电极，背面设有背面金属电极和孔洞金属电极，距离每个所述孔洞金属电极点外周刻蚀有连续闭合的绝缘划线，绝缘划线穿透电池片背面的TCO透明导电膜和P型非晶硅膜层。方法中把P型非晶硅薄膜发射极放置到电池片背面，这样孔洞金属电极和侧壁的N型基区不存在漏电问题，在背面孔洞金属电极点周边用激光刻蚀绝缘划线的方式隔离P型非晶硅薄膜和上面的TCO透明导电膜，又阻止了和背面正电极区域的短路
孔洞划线绝缘背面氧化硅钝化层本征非晶硅硅太阳电池透明导电膜金属电极钝化层金属电异质结极点制备背面金属电极正面金属电极电池片背面电池片正面正电极区域闭合激光刻蚀漏电问题电池片发射极规模化短路侧壁刻蚀量产外周穿透电池隔离

[实用新型]适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池-CN201822144652.9有效
发明人：路忠林;吴仕梁;李质磊;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，电池包括N型硅基片，N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层，N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层；电池片正面设有正面金属电极，背面设有背面金属电极和孔洞金属电极，距离每个所述孔洞金属电极点外周刻蚀有连续闭合的绝缘划线，绝缘划线穿透电池片背面的TCO透明导电膜和P型非晶硅膜层。把P型非晶硅薄膜发射极放置到电池片背面，这样孔洞金属电极和侧壁的N型基区不存在漏电问题，在背面孔洞金属电极点周边用激光刻蚀绝缘划线的方式隔离P型非晶硅薄膜和上面的TCO透明导电膜，又阻止了和背面正电极区域的短路
孔洞划线绝缘背面氧化硅钝化层本征非晶硅硅太阳电池透明导电膜金属电极钝化层规模化金属电异质结极点量产背面金属电极正面金属电极本实用新型电池片背面电池片正面正电极区域闭合激光刻蚀漏电问题电池片发射极短路侧壁刻蚀外周穿透电池隔离

[发明专利]低温多晶硅膜制备方法、薄膜晶体管及其制备方法-CN201611120989.5有效
发明人：陈卓;马春华;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅膜的制备方法、薄膜晶体管的制备方法与薄膜晶体管，上述低温多晶硅膜的制备方法中，在玻璃基板的预定区域内形成导热层，采用准分子激光退火工艺对所述非晶硅层进行激光晶化的过程中，对所述导热层进行加热，使得非晶硅层内部存在温度差异，在由非晶硅层形成的低温多晶硅层中，多晶硅晶粒沿横向方向生长且晶粒更大，具有更少的晶界，增大了制得的低温多晶硅膜的载流子迁移率，降低了制得的低温多晶硅膜应用于TFT的有源层时产生的漏电流，提高了TFT的阈值电压的稳定性，使得含有上述低温多晶硅膜的TFT具有更优良的电性能。
低温多晶制备方法薄膜晶体管及其

[发明专利]一种耐磨铁基表面复合材料的制备方法-CN201710873655.3在审
发明人：恽玉新;林茂兰 -专利权人：常州西夏墅东方工具有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C22C47/08 文献下载
摘要：本发明首先利用甘蔗浓缩液和硅酸钠混合，在酸的作用下反应，经高温炭化、烧结，最终制得碳化硅晶须，接着利用多巴胺溶液浸泡碳化硅晶须，在碳化硅晶须表面形成聚多巴胺膜层，并利用聚多巴胺膜层将铁离子螯合吸附在碳化硅晶须表面，再将铁离子部分还原成单质铁，从而得到表面附有铁单质的碳化硅晶须，在高温下，铁水和碳化硅表面的铁单质具有无限相容性，因此润湿性得到显著提高，另外由硅酸钠和盐酸反应生成的凝胶状原硅酸，既可起到粘结碳化硅晶须和铁粉的作用
一种耐磨表面复合材料制备方法

[发明专利]一种耐磨性聚氨酯橡胶工业胶辊及其制备方法-CN202210374586.2有效
发明人：龚明清 -专利权人：马鞍山市天鑫辊业有限责任公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：胶辊包括辊芯和包覆在辊芯外层的复合橡胶，复合橡胶中采用一种改性液态聚氨酯橡胶，其中预聚物c由羟丙基封端聚硅氧烷与MD I先预聚成含硅氧烷的低聚物a，之后与KH550处理的硼酸铝晶须混合，在碱性条件下水解，通过硅氧烷水解的方法对硼酸铝晶须进行分散并与低聚物a结合，预聚物b和预聚物c嵌段聚合，使得硼酸铝晶须均匀分散在胶层中，使得硼酸铝晶须分散更加均匀，可以形成均匀的强化作用，预聚物b是以MD I和对苯二甲醇聚合而成
一种耐磨性聚氨酯橡胶工业及其制备方法

[发明专利]一种生长晶须形成的燃料电池膜电极组件及制备方法-CN202011130816.8有效
发明人：曾军堂;陈庆;司文彬;白涛 -专利权人：成都新柯力化工科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明涉及燃料电池领域，公开了一种生长晶须形成的燃料电池膜电极组件及制备方法。将碳纤维纸两面喷涂聚四氟乙烯乳液，干燥备用；（2）将多孔纳米催化剂、氯化锌、分散剂、沉淀剂加入水中，混合搅拌得到浆状物；（3）将浆状物、Nafion溶液、碳材料混合后涂布于碳纤维纸一侧，加热处理得到表面形成催化层的碳纤维纸；（4）将质子交换膜表面喷涂Nafion溶液后与碳纤维纸热压贴合，制得生长晶须形成的燃料电池膜电极组件。本发明通过将氯化锌装载于微孔催化剂中逐步形成氧化锌晶须的同时形成宏观纤维状的催化剂纤维，晶须分布均匀，晶须网孔微细而均匀，并且制备工艺简单，过程可控。
一种生长形成燃料电池电极组件制备方法

[发明专利]一种N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法-CN202011095769.8在审
发明人：张小明;林纲正;盛健;解观超;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，包括：一、对N型单晶硅片进行预处理，形成第一本征非晶硅层、减反层、第二本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和隔离层；二、采用激光来刻蚀隔离层形成第一隔离槽；三、将N型单晶硅裸露出来，形成第二隔离槽；四、除去剩余的隔离层，将第一掺杂非晶硅层裸露出来；五、在第二隔离槽的N型单晶硅片上依次形成第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；六、在第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层上形成透明导电膜层；七、对透明导电膜层进行刻蚀形成第三隔离槽；八、在第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的透明导电膜层上分别形成金属电极。
一种单晶硅 hbc 太阳能电池制备方法

[发明专利]一种玻璃用隔热防爆薄膜及其制备方法-CN202210146841.8在审
发明人：吴绍东 -专利权人：吴绍东
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C08J7/16 文献下载
摘要：本发明在制备玻璃用隔热防爆薄膜时，先将钛酸钾晶须和丙烯酸反应制得改性钛酸钾晶须，再和丙烯酸甲酯进行聚合沉积制得防护膜，对防护膜进行水解处理后依次和5‑三甲氧基硅基‑1,3苯二吩、5‑三羟甲基硅基‑1,3苯二酯和二羟甲基二甲氧基硅烷反应制得改性防护膜，将液晶单体接枝在甲基二甲氧基硅烷上再聚合成液晶聚合物并在改性防护膜上沉积，制得玻璃用隔热防爆薄膜。
一种玻璃隔热防爆薄膜及其制备方法

[发明专利]一种非晶硅薄膜太阳电池膜系和薄膜太阳电池以及薄膜太阳电池的制造方法-CN201010122953.7无效
发明人：赵一辉 -专利权人：河南阿格斯新能源有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳电池膜系，该膜系包括一个由第一非晶硅p-i-n结和第二非晶硅p-i-n结重叠设置的双结层p-i-n/p-i-n，所述第二非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层设置于所述第一非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上，所述第一非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P+层，所述第二非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上设置有重掺杂的N+层，该膜系结构为P+/p-i-n/p-i-n/N重掺杂的P+层和N+层有减低带电体复合性和滞留性的作用，同时因减低i层中电场的扭曲度而增加了电洞与电子在半导体中的漂移速度。本发明非晶硅薄膜太阳电池的膜系光电转换率高，成本低，本发明制得的薄膜太阳电池的光电转换率达7.5％。
一种非晶硅薄膜太阳电池以及制造方法

[发明专利]一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法-CN201510179485.X在审
发明人：肖天金;温振平;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法，所述非晶硅薄膜的制造方法采用两步成膜工艺，第一步成膜阶段使用原子层沉积方式沉积晶粒较小和均匀性良好的第一非晶硅层，第二步成膜阶段在第一非晶硅层上沉积掺杂碳原子或氮原子的第二非晶硅层，在第二非晶硅层的晶格中掺杂碳原子或氮原子，可避免硅原子在第一非晶硅层的硅晶粒上连续沉积，进而得到晶粒尺寸较小的非晶硅薄膜。同时，所述半导体器件的制造方法，采用非晶硅薄膜的制造方法获得较小晶粒尺寸的非晶硅，以满足器件性能要求，尤其是较小晶粒尺寸的非晶硅用作虚拟非晶硅栅极后，可以在其去除后形成侧壁较为平整的沟槽，以改善后续金属栅的沉积形貌
一种非晶硅薄膜半导体器件制造方法

[发明专利]一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法-CN201810711064.0有效
发明人：黄辉明;庄辉虎;罗骞;张杰;宋广华 -专利权人：福建钜能电力有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，包括如下步骤：在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片本发明采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。
一种异质结叠瓦太阳能电池切片方法