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[发明专利]砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术-CN202111496896.3有效
发明人：舒小敏;吴文斌 -专利权人：江西科泰新材料有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明涉及砷化硼粉体材料双温区密管合成的技术领域，公开一种砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术，具体包括以下步骤：将纯度为99.999％的硼粉及纯度为99.999％的砷粒，经精确称量后装入石英管中，每管装料量50～100g,硼与砷的摩尔比为1:(1.5～1.9)，石英管长750～1100mm,在管的两端设高温端和低温端，硼置于高温端，砷置于低温端；对石英管抽真空，至石英管内气压为0.01托时，密封石英管；在双管合成炉内对石英管加热，高温端加热到800～890℃，低温端加热到500～615℃，保温2～6天，产物经提纯后球磨，得到纯度99.995以上的立方砷化硼粉体，可用于制备高纯度砷化硼靶材或制备立方砷化硼单晶材料。
砷化硼粉体材料双温区密管合成技术

[发明专利]一种砷化硼粉体的制备方法-CN202211001821.8在审
发明人：白利忠;王超男 -专利权人：山西工程技术学院
申请日： 2022-08-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化硼粉体的制备方法，涉及砷化硼粉体的制备领域。该方法包括如下步骤：清洗坩埚，将坩埚进行超声处理后烘干备用；将碱土金属EA、砷酸硼和熔盐介质混合均匀，放置到坩埚中；根据反应式BAsO4+4EA=BAs+4EA(O)来还原砷酸硼BAsO4，将坩埚放入反应炉中，通入氩气保护气体升温至700~900℃并保温1~5h；将步骤二中得到的样品在室温下用浓盐酸浸泡，并水浴加热后进行保温，然后用去离子水洗涤至中性，球磨并干燥后得到砷化硼粉体。本发明无需高压或复杂的设备，在短时间内能够以简单经济的方式提供砷化硼，克服了现有技术方法的缺陷；可用于制备砷化硼靶材以及用于物理气相法制备砷化硼单晶薄膜材料；降低了制备砷化硼单晶材料的难度。
一种砷化硼粉体制备方法

[发明专利]一种采用氧化物制备的砷化硼纳米晶体及其制备方法和应用-CN202211044183.8有效
发明人：梁彦杰;柴立元;杨咏春;刘振兴;李发雄;彭聪;杨志辉;周元;赖心婷 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用氧化物制备的砷化硼纳米晶体及其制备方法和应用。在空气中将三氧化二砷、硼氧化合物粉和镁颗粒按照比例配合后，装入球磨罐中，进行一定时间的机械力化学反应后，去除混合粉末中杂质，经湿磨净化+酸处理，即可得到砷化硼(如：B12砷转化为化学性质稳定、热稳定性高的砷化硼，其在核辐射防护、同位素放射电池和相关光电材料领域具有潜在的应用前景。同时该技术还可推广应用进行含三氧化二砷废渣或烟尘的无害化、稳定化处理。
一种采用氧化物制备砷化硼纳米晶体及其方法应用

[发明专利]一种低氧砷化镉的合成方法-CN202210535051.9有效
发明人：王波;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种低氧砷化镉的合成方法。本发明提供的合成方法，包括以下步骤：a)将镉粉与砷粉混合，得到混合粉料；b)将所述混合粉料置于喷涂氮化硼涂层的石墨坩埚中并加盖密封，然后置于炉子中，在保护性气氛下进行烧结，之后，降温、泄压取出砷化镉锭；所述烧结的气压条件为：0.1MPa≤气压＜1.0MPa；所述烧结的制度为：先升温至300～380℃保温反应1～3h，再升温至720～1000℃保温2～4h；c)将所述砷化镉锭表面的氧化物去除，得到低氧砷化镉本发明提供的合成方法能够降低砷化镉氧含量以及游离物含量，而且制备工序简单。
一种低氧砷化镉合成方法

[发明专利]一种机械力化学法合成的砷化硼纳米晶体及其制备方法与应用-CN202211035869.0有效
发明人：梁彦杰;柴立元;刘振兴;李发雄;彭聪;杨志辉;周元;赖心婷;赵飞平 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-08-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械力化学法合成的砷化硼纳米晶体及其制备方法与应用。通过该方法可获得颗粒尺寸在100‑200nm的纳米晶体。所述的方法为，在室温条件下，将As粉，硼氧化合物粉，镁颗粒和少量氯化钠按照比例配合后，装入球磨罐中，进行机械力化学反应一定时间后，取出混合粉末，经过加热过程进行砷回收，产物净化除杂后即可获得纳米晶体粉末获得的纳米粉末是一种中带隙的半导体材料(Eg:～3.0‑3.3eV)，具有丰富的硼二十面体结构，在核辐射防护和光电材料领域具有潜在的应用前景。
一种机械化学合成砷化硼纳米晶体及其制备方法应用

[发明专利]制备具有低光学吸收系数的掺杂型砷化镓衬底晶片的方法-CN200980126246.0有效
发明人： U·克雷策;F·伯尔纳;S·艾希勒;F·克罗普夫甘斯 -专利权人：弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种通过熔融砷化镓起始材料并随后使砷化镓熔体凝固来制备掺杂型砷化镓单晶的方法，其中该砷化镓熔体含有相对于化学计量组成过量的镓，且其中在该熔体中或者在所获得的晶体中提供至少5x1017cm-3的硼浓度。
制备具有光学吸收系数掺杂型砷化镓衬底晶片方法

[发明专利]一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用-CN201810959093.9在审
发明人：罗玉辉;程元红;邝智豪;黄逸生 -专利权人：深亮智能技术（中山）有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地，所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO₂薄膜层，然后光刻并腐蚀出SiO₂掩模层；使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO₂掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻，蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻，蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。
砷化镓蚀刻干法蚀刻工艺感应耦合等离子体掩蔽氯气表面淀积侧向蚀刻三氯化硼砷化镓片蚀刻气体侧壁底面光刻光滑应用腐蚀

[发明专利]硼化铪粉体的制备方法-CN201110136032.0无效
发明人：唐竹兴;许珂洲 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供一种硼化铪粉体的制备方法，包括配料、混合、固化、制粉、压块、烧成和制粉，其特征在于：将氧化铪粉体、碳化硼粉体和B2O3粉体与酚醛树脂混合，在40～100℃的温度下固化后制粉，将粉体压制成块体然后在1350℃～2000℃的温度氩气或氢气气氛烧制6～8小时制得硼化铪块体，经脱碳后粉碎制得硼化铪粉体。本发明具有工艺简单，硼化铪粉体纯度高，烧结性能好成本低的特点。
硼化铪粉体制备方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺-CN201310315978.2无效
发明人：吕云安;李玉萍;李磊 -专利权人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，本发明的技术方案要点是：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内，然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中，最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制，并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺

[发明专利]一种细晶粒富硼碳化硼基复合陶瓷材料及其制备方法-CN202010255637.0有效
发明人：王为民;师云威;成立;何强龙;傅正义 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及一种细晶粒富硼碳化硼基陶瓷复合材料及其制备方法，其主要物相是富硼碳化硼和硼化钛，硼化钛分散在富硼碳化硼中，富硼碳化硼和硼化钛物相分布均匀，晶粒之间无裂纹。所述的细晶粒富硼碳化硼基复合陶瓷材料由碳化钛粉体和硼粉混合粉体，经过放电等离子烧结而成，其中按质量百分比计碳化钛粉体39.5％‑44.3％，硼粉55.7％‑60.5％。本发明提供的富硼碳化硼‑硼化钛陶瓷复合材料具有均匀的晶粒尺寸和物相分布，碳化硼硼碳比大且方便调控；材料具有高的致密度和优异的性能。
一种晶粒碳化复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种二硼化钨制备方法-CN201710302166.2在审
发明人：薛向欣;马科;曹晓舟;杨合;刘建兴;董梦格 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明涉及二硼化钨技术领域，尤其涉及一种二硼化钨制备方法。该二硼化钨制备方法包括如下步骤S1、将钨粉和无定型硼粉按摩尔比12‑3混合形成反应粉体；S2、将反应粉体和熔盐混合，得到混合粉体；S3、将混合粉体在真空状态下或惰性气体保护下热处理，热处理温度为1000‑1300℃，热处理后自然冷却到室温，得到二硼化钨和熔盐的混合物；S4、将二硼化钨和熔盐的混合物分离，得到二硼化钨。本发明的二硼化钨制备方法合成温度低、工艺简单、成本低廉，且制得的二硼化钨纯度高、粒径小。
一种二硼化钨制备方法

[发明专利]一种生产砷化锌的设备-CN201610408883.9在审
发明人：陈学元;何棋;尹久发;毛锐;王友帅 -专利权人：云南锡业集团（控股）有限责任公司研究设计院
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：一种生产砷化锌的设备，包括电加热系统、可放置于加热系统内的炉胆(2)、连接炉胆的抽真空系统(3)和气氛保护系统(4)、罩盖在炉胆顶端的砷化锌收集器(5)；所述炉胆采用掺入高导热系数金属的钢材制作，炉胆经渗碳处理和表面硼化处理；所述掺入高导热系数金属的钢材是将铁粉、铜粉、银粉、碳粉按比例混合均匀，放入中频炉加热至融化，将融化的金属倒入模具，并加入除泡剂，冷却后得到高导热系数的钢材；其中，铁粉：铜粉：银粉：碳粉的质量比为1:0.4本发明可一次完成砷化锌的合成和真空分离，合成的砷化锌纯度高，且产量大、生产成本低、使用寿命长、易于检测维修。
一种生产砷化锌设备

[发明专利]硼化铌粉体的制备方法-CN201110136047.7无效
发明人：唐竹兴;张颖 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硼化铌粉体的制备方法，包括配料、混合、固化、制粉、压块、烧成和制粉，其特征在于：将五氧化二铌粉体、碳化硼粉体和B2O3粉体与酚醛树脂混合，在40～100℃的温度下固化后制粉，将粉体压制成块体然后在1350℃～1900℃的温度氩气或氢气气氛烧制6～8小时制得硼化铌块体，经脱碳后粉碎制得硼化铌粉体。本发明具有工艺简单，硼化铌粉体纯度高，烧结性能好成本低的特点。
硼化铌粉体制备方法

[发明专利]硼化钽粉体的制备方法-CN201110135960.5无效
发明人：唐竹兴;张鹤 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供一种硼化钽粉体的制备方法，包括配料、混合、固化、制粉、压块、烧成和制粉，其特征在于：将五氧化二钽粉体、碳化硼粉体和B2O3粉体与酚醛树脂混合，在40～100℃的温度下固化后制粉，将粉体压制成块体然后在1350℃～2000℃的温度氩气或氢气气氛烧制6～8小时制得硼化钽块体，经脱碳后粉碎制得硼化钽粉体。本发明具有工艺简单，硼化钽粉体纯度高，烧结性能好成本低的特点。
硼化钽粉体制备方法

[发明专利]硼化锆粉体的制备方法-CN201110136106.0无效
发明人：唐竹兴;赵霞 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供一种硼化锆粉体的制备方法，包括配料、混合、固化、制粉、压块、烧成和制粉，其特征在于：将氧化锆粉体、碳化硼粉体和B2O3粉体与酚醛树脂混合，在40～100℃的温度下固化后制粉，将粉体压制成块体然后在1350℃～2000℃的温度氩气或氢气气氛烧制6～8小时制得硼化锆块体，经脱碳后粉碎制得硼化锆粉体。本发明具有工艺简单，硼化锆粉体纯度高，烧结性能好成本低的特点。
硼化锆粉体制备方法

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