专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磷化硅晶体密管合成及其靶材生产的方法-CN202111376207.5有效
  • 舒小敏;吴文斌 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2021-11-19 - 2023-09-22 - C01B33/00
  • 本申请涉及磷化硅晶体密管合成及其靶材生产的技术领域,公开一种磷化硅晶体密管合成及其靶材生产的方法,将纯度为99.999%的硅粉及纯度为99.999%的红磷,经精确称量后装入石英管中,密封石英管,在合成炉内对石英管加热,加热到800‑1200℃,保温6‑16小时。合成得到单相、纯度为99.995%的磷化硅晶体。将上述产物球磨至成500~800目的粉体,装入到石墨模具中,于真空热压炉中,在机械压力10~25MPa、温度1000~1300℃的条件下及0.01MPa氩气气氛中热压烧结5~10小时,冷却后取出磷化硅靶坯,经机械加工、超声波清洗后得到磷化硅靶材,该靶材相对密度大于95%、纯度大于99.995%、单一物相、晶粒尺寸小于50μm,适用于采用物理沉积法制备磷化硅二维材料。
  • 磷化晶体合成及其生产方法
  • [发明专利]磷化钽靶材的生产工艺-CN202110980546.8有效
  • 吴文斌;舒小敏 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2021-08-25 - 2023-07-25 - C04B35/515
  • 本申请涉及磷化钽靶材生产的技术领域,具体公开了一种磷化钽靶材的生产工艺。所述工艺包括以下步骤:将纯度≧99.5%的磷化钽置于球磨机中球磨,得500‑800目的磷化钽粉末;将磷化钽粉末装入模具中,并将模具安装于真空热压炉内,抽真空热压炉内气压小于10Pa后,通入惰性气体至真空热压炉内气压至0.01MPa;将真空热压炉以90‑100℃/min至1300‑1600℃,在12‑25MPa的机械压力下,烧结模具中的磷化钽粉末30‑60min,随炉冷却至室温,取出得靶材坯料;对靶材坯料机械加工后清洗烘干,得磷化钽磁控溅射靶材。本申请的生产工艺制备的磷化钽靶材致密度≧95%,纯度≧99.5%,是制备磷化钽Weyl半金属薄膜的良好材料。
  • 磷化钽靶材生产工艺
  • [发明专利]砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术-CN202111496896.3有效
  • 舒小敏;吴文斌 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2021-12-09 - 2023-07-21 - C01B35/02
  • 本发明涉及砷化硼粉体材料双温区密管合成的技术领域,公开一种砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术,具体包括以下步骤:将纯度为99.999%的硼粉及纯度为99.999%的砷粒,经精确称量后装入石英管中,每管装料量50~100g,硼与砷的摩尔比为1:(1.5~1.9),石英管长750~1100mm,在管的两端设高温端和低温端,硼置于高温端,砷置于低温端;对石英管抽真空,至石英管内气压为0.01托时,密封石英管;在双管合成炉内对石英管加热,高温端加热到800~890℃,低温端加热到500~615℃,保温2~6天,产物经提纯后球磨,得到纯度99.995以上的立方砷化硼粉体,可用于制备高纯度砷化硼靶材或制备立方砷化硼单晶材料。
  • 砷化硼粉体材料双温区密管合成技术
  • [发明专利]磷化铌靶材的生产工艺-CN202111376232.3有效
  • 舒小敏;吴文斌 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2021-11-19 - 2023-03-03 - C04B35/515
  • 本发明涉及磷化铌靶材生产的技术领域,具体公开了一种磷化铌靶材的生产工艺,将纯度≥99.9%、200目的磷化铌粉体置于球磨机中球磨,得600‑800目的磷化铌粉末;将球磨后的磷化铌粉末装入模具中,并将模具安装于真空热压炉内,抽真空热压炉内气压小于5Pa后,通入氩气至真空热压炉内气压至0.01MPa,使真空热压炉内的温度以90~100℃/min速率升至1400‑1700℃,在12‑25MPa的机械压力下,烧结模具中的磷化铌粉末60~420min,随炉冷却至室温,然后取出得靶材坯料;对靶材坯料机械加工后清洗烘干,得磷化铌磁控溅射靶材。本申请的生产工艺制备的磷化铌靶材致密度≥96%,纯度≥99.9%,是制备磷化铌薄膜或二维材料的良好物质源。
  • 磷化铌靶材生产工艺
  • [发明专利]一种二硫化硅的双温区气固合成工艺-CN202110872400.1有效
  • 吴文斌;舒小敏 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2021-07-30 - 2022-11-15 - C01B33/00
  • 本申请涉及化工原料合成的技术领域,具体公开了一种二硫化硅的双温区气固合成工艺。本申请的工艺包括以下步骤:S1、将硫块与硅粉混合后置于合成管中,将合成管中抽至真空度为1‑100mTorr后密封;所述硫块中硫单质含量≧99.999%;所述硅粉中硅单质含量≧99.9%;S2、合成管分为高温区和低温区,S1中混合后的硫块和硅粉位于高温区;合成管高温区依次在600‑800℃保温1‑3h,800‑900℃保温1‑2h,900‑1000℃保温1‑3h,1000‑1100℃保温1‑3h和1100‑1200℃保温1‑3h;合成管低温区在200‑300℃保温,且低温区保温时间与高温区保温时间相同;S3、将S2中加热结束后的合成管冷却至室温,取出产物。本申请的工艺可以用于合成二硫化硅,生产过程安全,原料和生产过程均是环保的,且原料的成本低廉易得。
  • 一种硫化双温区气固合成工艺
  • [发明专利]钼铌合金靶材的生产工艺-CN201310010396.3有效
  • 吴文斌 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2013-01-11 - 2018-02-23 - C23C14/34
  • 一种钼铌合金靶材的生产工艺,其特征在于把高纯的钼粉和铌粉在混料机内混合均匀,铌粉和钼粉按照18‑9的重量比置于混料机中,在1400~1900℃高温真空煅烧炉内煅烧成钼铌合金,把烧结块用油压机破碎成小块后在玛瑙球磨机中,在氦气保护下研磨。磨球配比为1/3,以公转600的微粉,在真空加压烧结装置中压制成型,压力12~25兆帕,在1450~2020℃压30~90分钟,得到靶坯。在磨床上修整得到成品靶材。本发明的方法工艺流程简单,易于实现工业化生产。无污染,制备过程不会产生任何废料、废酸等污染物。
  • 合金生产工艺
  • [发明专利]硒镓铟铜薄膜太阳能电池材料的两步合成法-CN201110146763.3有效
  • 舒小敏;吴文斌 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2011-06-02 - 2012-01-25 - C01B19/00
  • 一种硒镓铟铜薄膜太阳能电池材料的两步合成法,其特征在于包括如下步骤:1)原料前置处理,原料都是5N的高纯材料,并如下清洁处理,2)第一步熔炼合金,Cu1InXGa1-X合金的配比为CuIn0.666Ga0.333,第二步硒化,硒化在密管中进行,把熔炼得到的合金CuIn0.666Ga0.333合金和硒装入管内,管内抽至真空度10-2Pa,然后封闭管口,得到密管;密管装入高温箱式炉中加热,最高温度750℃,硒化时间5h,得到硒化后的成品Cu(In0.666Ga0.333)Se2;合成的产物是大块状的,在保护气氛中破碎成小块或80~325目粉状,管内反应完成后,密管从炉内取出,倒出Cu(In0.666Ga0.333)Se2块,用塑料袋真空封装,真空度10-1托,入成品库。本发明硒镓铟铜薄膜太阳能电池材料的两步合成法具有工艺平稳,安全无爆炸危险。
  • 硒镓铟铜薄膜太阳能电池材料两步合成法
  • [实用新型]非自耗真空电弧熔炼和真空氩弧焊组合装置-CN201120180505.2无效
  • 吴文斌;舒小敏 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2011-06-01 - 2012-01-18 - F27B3/08
  • 一种非自耗真空电弧熔炼和真空氩弧焊组合装置,主要组成部件有:炉体、炉盖、电弧杆、基座,炉体是圆柱体的,炉体上部设有拱形的炉盖,炉盖由法兰和炉体连接,炉盖顶上设有电弧杆,杆内是空心的,电弧杆尾端设有进水口和出水口。电弧杆可以升降,伸入炉内的杆头连接钨棒或钨针;炉体前后设有观察窗,炉体上设有一对手套口,炉体下部设炉体基座;炉体上设有真空管道与由机械泵、罗兹泵和扩散泵组成的真空机组连接,真空管道通过真空阀门连接到炉内,并设有电源柜与电弧和真空机组电连接。本实用新型组合装置既有非自耗真空电弧炉和真空氩弧焊机原有的功能,还增加了新的功能,造价只有二台设备的一半价格。
  • 真空电弧熔炼氩弧焊组合装置
  • [发明专利]三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺-CN201110144643.X有效
  • 舒小敏;吴文斌 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2011-06-01 - 2011-12-14 - C01B19/04
  • 一种三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺,其特征在于包括如下步骤:把5N的高纯金属In经压制,破碎成小块状或粉末,5N的高纯金属Se也破碎成小块一起装入石英管内,用真空机组把石英管内抽至真空度10-3托,然后密封石英管;把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热,双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压,密管的一端在加热炉的高温区,管内温度达到900~1000℃,另一端用水冷的低温区保持在120~200℃,控制管内的反应,在4h内完成In和Se合成化合物In2Se3;管内反应完成后,切开石英管,倒出In2Se3块,然后用塑料袋真空封装,真空度10-1托,入成品库。本发明三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺生产简单安全。
  • 三硒化二铟双温区真空密管液相合工艺
  • [发明专利]碲化铥靶材的生产工艺-CN201110144642.5有效
  • 吴文斌;舒小敏 - 江西科泰新材料有限公司
  • 2011-06-01 - 2011-11-16 - C04B35/50
  • 一种碲化铥靶材的生产工艺的方法,其特征在于包括如下步骤:把原料4N的高纯金属Tm经压制,4N的高纯金属Te也破碎成小块一起装入石英管内;软化点1400℃;石英管用王水清洗,再用去离子水洗涤,然后用红外线烘干,石英管内抽至真空,然后加热石英管抽气口,达到熔化后密封石英管;把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热,双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压,密管的一端在加热炉的高温区,使管内温度达到500~650℃,另一端用水冷保持在80~120℃,这样密管内形成两个温区,完成Tm和Te合成化合物TmTe;在密管内合成的化合物TmTe磨成粉末作为压成靶材的原料,本发明碲化铥靶材的生产工艺,可以使TmTe粉末靶材的生产简单安全。
  • 碲化铥靶材生产工艺

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