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- [发明专利]一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法-CN202011366680.0有效
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张庆猛;陈均优;周敏;杨志民;杨剑
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有研工程技术研究院有限公司
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2020-11-27
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2023-08-15
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C01B35/02
- 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
- 一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法
- [发明专利]砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术-CN202111496896.3有效
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舒小敏;吴文斌
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江西科泰新材料有限公司
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2021-12-09
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2023-07-21
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C01B35/02
- 本发明涉及砷化硼粉体材料双温区密管合成的技术领域，公开一种砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术，具体包括以下步骤：将纯度为99.999％的硼粉及纯度为99.999％的砷粒，经精确称量后装入石英管中，每管装料量50～100g,硼与砷的摩尔比为1:(1.5～1.9)，石英管长750～1100mm,在管的两端设高温端和低温端，硼置于高温端，砷置于低温端；对石英管抽真空，至石英管内气压为0.01托时，密封石英管；在双管合成炉内对石英管加热，高温端加热到800～890℃，低温端加热到500～615℃，保温2～6天，产物经提纯后球磨，得到纯度99.995以上的立方砷化硼粉体，可用于制备高纯度砷化硼靶材或制备立方砷化硼单晶材料。
- 砷化硼粉体材料双温区密管合成技术
- [实用新型]一种浇铸装置-CN202221708012.6有效
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余明;李房斌;徐成
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广东先导微电子科技有限公司
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2022-07-04
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2023-02-21
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C01B35/02
- 本申请实施例公开了一种浇铸装置，包括封闭容器、加热器、浇铸模具、电子秤和出料机构。加热器对封闭容器内的浇铸物料进行加热，以使浇铸物料呈熔融状态，能够从出料口排出，自封闭容器排出的呈熔融状态的物料在浇铸模具内成型，封闭容器的出料口能够与不同直径的出料嘴连接，以对浇铸物料的流速进行调节，提高浇铸精度；电子秤与出料机构通信连接，出料机构的驱动组件根据目标质量与电子秤称量的浇铸模具内的浇铸物料的质量的差值进行启动或停止，实现出料口出料的自动控制，提高了浇铸装置的自动化程度。
- 一种浇铸装置
- [发明专利]一种砷化硼粉体的制备方法-CN202211001821.8在审
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白利忠;王超男
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山西工程技术学院
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2022-08-20
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2022-10-18
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C01B35/02
- 本发明公开了一种砷化硼粉体的制备方法，涉及砷化硼粉体的制备领域。该方法包括如下步骤：清洗坩埚，将坩埚进行超声处理后烘干备用；将碱土金属EA、砷酸硼和熔盐介质混合均匀，放置到坩埚中；根据反应式BAsO4+4EA=BAs+4EA(O)来还原砷酸硼BAsO4，将坩埚放入反应炉中，通入氩气保护气体升温至700~900℃并保温1~5h；将步骤二中得到的样品在室温下用浓盐酸浸泡，并水浴加热后进行保温，然后用去离子水洗涤至中性，球磨并干燥后得到砷化硼粉体。本发明无需高压或复杂的设备，在短时间内能够以简单经济的方式提供砷化硼，克服了现有技术方法的缺陷；可用于制备砷化硼靶材以及用于物理气相法制备砷化硼单晶薄膜材料；降低了制备砷化硼单晶材料的难度。
- 一种砷化硼粉体制备方法
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