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- [发明专利]三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺-CN201110144643.X有效
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舒小敏;吴文斌
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江西科泰新材料有限公司
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2011-06-01
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2011-12-14
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C01B19/04
- 一种三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺，其特征在于包括如下步骤：把5N的高纯金属In经压制，破碎成小块状或粉末，5N的高纯金属Se也破碎成小块一起装入石英管内，用真空机组把石英管内抽至真空度10-3托，然后密封石英管；把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热，双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压，密管的一端在加热炉的高温区，管内温度达到900～1000℃，另一端用水冷的低温区保持在120～200℃，控制管内的反应，在4h内完成In和Se合成化合物In2Se3；管内反应完成后，切开石英管，倒出In2Se3块，然后用塑料袋真空封装，真空度10-1托，入成品库。本发明三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺生产简单安全。
- 三硒化二铟双温区真空密管液相合工艺
- [发明专利]碲化铥靶材的生产工艺-CN201110144642.5有效
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吴文斌;舒小敏
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江西科泰新材料有限公司
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2011-06-01
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2011-11-16
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C04B35/50
- 其特征在于包括如下步骤：把原料4N的高纯金属Tm经压制，4N的高纯金属Te也破碎成小块一起装入石英管内；软化点1400℃；石英管用王水清洗，再用去离子水洗涤，然后用红外线烘干，石英管内抽至真空，然后加热石英管抽气口，达到熔化后密封石英管；把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热，双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压，密管的一端在加热炉的高温区，使管内温度达到500～650℃，另一端用水冷保持在80～120℃，这样密管内形成两个温区，完成Tm和Te合成化合物TmTe；在密管内合成的化合物TmTe磨成粉末作为压成靶材的原料，本发明碲化铥靶材的生产工艺，可以使TmTe粉末靶材的生产简单安全。
- 碲化铥靶材生产工艺
- [发明专利]磷化镧粉体材料的双温区密管合成工艺-CN202111502838.7在审
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吴文斌;吴旋
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江西海特新材料有限公司
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2021-12-10
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2022-02-08
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C01B25/08
- 本发明公开一种磷化镧粉体材料的双温区密管合成工艺，涉及磷化镧粉体材料双温区密管合成的技术领域，准备一支750‑1100mm的石英管和两个与管径匹配的石英舟，按元素比为La:P＝1:1.05at％、每管装料量为50‑100g的要求精确称量镧和磷，其中镧为La/TREM99.99％,TREM99.9％纯度的镧屑；磷为99.99％纯度的红磷粉末，称量好的镧屑装入石英舟中，推入石英管的闭口端，称量好的红磷粉末装于石英舟中并置于石英管的开口端一侧在管的两端设高温端和低温端，镧于高温端，磷于低温端。将石英管中的磷加热到200℃，同时对石英管抽真空，至管内气压为0.001托时，密封石英管。在双管合成炉内以1℃/min的升温速率对石英管加热，高温端加热到800‑1000℃，低温端加热到380‑420℃，保温2‑5天，该工艺安全可行，可批量生产。
- 磷化镧粉体材料双温区密管合成工艺
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