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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构-CN201310195693.X在审
发明人：邱永汉;倪志荣;蒋汝平;谢荣源 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构。电荷储存结构设置于衬底上的介电层上，且包括第一未经掺杂电荷储存层以及经掺杂电荷储存层。第一未经掺杂电荷储存层设置于介电层上。经掺杂电荷储存层设置于第一未经掺杂电荷储存层上。
电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器

[发明专利]存储器操作方法-CN200810080532.5有效
发明人：郭明昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列步骤：首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平高于一擦除电平。然后，注入第二型电荷至电荷储存结构，使存储器的阈值电平低于一设定位电平。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平趋近于或等于设定位电平。
存储器操作方法

[发明专利]存储元件与其制造方法-CN200810009779.8有效
发明人：陈致霖;刘光文;陈昕辉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储元件的制造方法，此方法包括在基底上依序形成具有栅极介电层结构的电荷储存结构，接着在电荷储存结构上方形成栅极导体层，之后图案化栅极导体层以及至少部分电荷储存结构。图案化后的电荷储存结构的剖面大致呈梯形或类梯形，此梯形或类梯形接近栅极导体层为短边而接近基底为长边。
存储元件与其制造方法

[发明专利]具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器-CN201410509020.1有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器，该存储器包括一栅极、一通道材料、以及一介电叠层。通道材料具有一通道表面以及一通道价带边缘。介电叠层是位于栅极与通道表面之间。介电叠层包括一多层隧穿结构、一第一电荷储存氮化物层、一第一阻挡介电层、一第二电荷储存氮化物层、以及一第二阻挡氧化物层。多层隧穿结构是位于通道表面上。第一电荷储存氮化物层是位于该多层隧穿结构上。第一阻挡氧化物层是位于第一电荷储存氮化物层上。第二电荷储存氮化物层是位于该第一阻挡介电层上。第二阻挡氧化物层是位于第二电荷储存氮化物层上。
具有用以储存电荷工程存储器

[发明专利]非易失性记忆胞及其制造方法-CN201310164784.7在审
发明人：马处铭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该非易失性记忆胞，包括基底、电荷储存结构以及穿隧介电层。其中基底中具有隔离结构，定义出主动区。电荷储存结构位于主动区上。电荷储存结构的底部宽度实质上等于主动区的宽度，电荷储存结构的侧壁与基底的上表面的第一夹角不同于隔离结构的侧壁与基底的上表面的第二夹角。穿隧介电层位于电荷储存结构与基底之间。
非易失性记忆及其制造方法

[发明专利]立体NAND存储器的锯齿型电荷储存结构-CN201910136762.7在审
发明人：赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件，包括通过位于基材上被绝缘层隔离的多个导电条带所组成的导电条带堆叠结构，以及设置在穿过导电条带堆叠结构到基材的开孔中的垂直通道结构。垂直通道结构设置在穿过导电条带堆叠结构的开孔中。电荷储存结构设置在导电条带和垂直通道结构的交叉点处，电荷储存结构包括多重材料层。绝缘层具有从垂直通道结构向内凹陷的侧壁。电荷储存结构的多重材料层的电荷储存层设置于绝缘层的侧壁。介电材料设置在垂直通道结构和位于绝缘层侧壁上的电荷储存层之间。
立体 nand 存储器锯齿电荷储存结构

[发明专利]非挥发性记忆体及其制作方法-CN201210555545.X有效
发明人：吴冠纬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该非挥发性记忆体包括栅极结构、掺杂区、电荷储存层以及第一介电层。栅极结构配置于基底上。栅极结构二侧的基底中具有凹陷。栅极结构包括栅介电层与栅极。栅介电层配置于基底上，且栅介电层与基底之间具有界面。电荷储存层配置于凹陷中,且电荷储存层的顶面高于上述的界面。第一介电层配置于电荷储存层与基底之间以及电荷储存层与栅极结构之间。
挥发性记忆体及其制作方法

[发明专利]储存单元阵列的操作方法与非易失性记忆体及其制造方法-CN200510066412.6有效
发明人：叶致锴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明是关于一种储存单元阵列的操作方法与非易失性记忆体及其制造方法。经由测量选中的储存单元的体区域和选中的储存单元的连接区域之间的电流，读取一个具有串联耦接的电荷捕获结构的储存单元串。电荷捕获结构的电荷储存态会影响所测量的电流。
储存单元阵列操作方法非易失性记忆体及其制造方法

[发明专利]集成电路和制作存储单元的方法-CN200610084476.3无效
发明人：郭建利 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种集成电路结构设置于基底上，此集成电路包括逻辑区，以及存储单元区。此存储单元区包括储存电荷区和非储存电荷区，而在储存电荷区的基底上具有一绝缘层，而绝缘层上方则具有一晶闸管，而非储存电荷区则具有一晶体管位于基底上。
集成电路制作存储单元方法

[实用新型]集成电路结构-CN200620116407.1无效
发明人：郭建利 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：一种集成电路结构设置于基底上，此集成电路包括逻辑区，以及存储单元区。此存储单元区包括储存电荷区和非储存电荷区，而在储存电荷区的基底上具有一绝缘层，而绝缘层上方则具有一晶闸管，而非储存电荷区则具有一晶体管位于基底上。
集成电路结构

[发明专利]具有密集成组的存储栅的与非闪速存储器及制造工艺-CN200510052119.4无效
发明人：普拉蒂普·滕塔索德;范德慈;陈秋峰 -专利权人：阿克特兰斯系统公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：具有存储栅和电荷储存层的单元密集成组，在相邻的单元中的存储栅互相重叠或自对准，该存储单元在位线扩散和公共源极扩散之间排列成行，该电荷储存层位于单元中的存储栅下面。该存储栅为多晶硅或多硅结构，而该电荷储存栅为氮化物或氮化物与氧化物的合成物。编程是通过从硅衬底热电子注入电荷储存栅，以在该电荷储存栅中建立负的电荷来进行的；或通过从硅衬底热孔注入电荷储存栅，以该电荷储存栅中产生正电荷来进行的。根据编程方法的不同，擦除通过从该电荷储存栅沟道隧穿至硅衬底或相反来进行的。该存储单元阵列偏压，使得可以同时擦除所有存储单元，而编程是位可选的。
具有密集成组存储非闪速存储器制造工艺

[发明专利]非易失性存储元件的操作方法-CN200910006263.2有效
发明人：吕函庭;赖二琨;王嗣裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：此存储元件包括衬底、栅极、绝缘层、一电荷储存层与多层穿隧介电结构。衬底具有二源/漏极区，通过沟道区分隔。栅极，设置于衬底上。绝缘层设置于该沟道区上。电荷储存层，设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储存层和栅极之间。通过施加负偏压于栅极，使多个第一型载子自栅极经由多层穿隧介电结构穿隧进入电荷储存层，且通过施加正向偏压于栅极，使多个第二型载子自栅极经由多层穿隧介电结构栅极穿隧进入电荷储存层。
非易失性存储元件操作方法

[发明专利]改进的多电平存储器-CN200880002210.7有效
发明人：潘塔斯·苏塔迪嘉 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种储存系统包括电荷储存单元和控制器。电荷储存单元包括第一和第二电荷储存区域，该第一和第二电荷储存区域中的每一个能够采取多个电荷电平。控制器将第一电荷储存区域编程到多个电荷电平之一，然后将第二电荷储存区域编程到多个电荷电平之一。控制器基于对第一电荷储存区域的第一测量结果和对第二电荷储存区域的第二测量结果来读取第一电荷储存区域中储存的电荷电平。
改进电平存储器

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法与操作方法-CN200610004397.7无效
发明人：李永忠;黄汉屏;王进忠;赵志明;毕嘉慧;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器，具有多个栅极结构、多个电荷储存层、二个掺杂区。多个栅极结构串接设置于基底上。多个电荷储存层分别设置于相邻两栅极结构之间，电荷储存层与栅极结构构成存储单元行。
非易失性存储器及其制造方法操作方法

[发明专利]记忆胞及其制造方法以及记忆体结构-CN200910176148.X有效
发明人：黄竣祥;蔡文哲;欧天凡;程政宪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是有关于一种记忆胞及其制造方法以及记忆体结构。该记忆胞，其包括基底、绝缘层、栅极、电荷储存结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区与沟道层。绝缘层配置于基底上。栅极配置于绝缘层上。电荷储存结构配置于绝缘层与栅极上。第一源极/漏极区配置于位于栅极的二侧的电荷储存结构上。第二源极/漏极区配置于位于栅极的顶部的电荷储存结构上。沟道层配置于位于栅极的侧壁上的电荷储存结构上，且与第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区电性连接。藉由本发明的记忆胞，可以减少击穿现象的发生。
记忆及其制造方法以及记忆体结构

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