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[发明专利]具有密集成组的存储栅的与非闪速存储器及制造工艺-CN200510052119.4无效
发明人：普拉蒂普·滕塔索德;范德慈;陈秋峰 -专利权人： 阿克特兰斯系统公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种NAND闪速存储单元阵列及其制造工艺。具有存储栅和电荷储存层的单元密集成组，在相邻的单元中的存储栅互相重叠或自对准，该存储单元在位线扩散和公共源极扩散之间排列成行，该电荷储存层位于单元中的存储栅下面。该存储栅为多晶硅或多硅结构，而该电荷储存栅为氮化物或氮化物与氧化物的合成物。编程是通过从硅衬底热电子注入电荷储存栅，以在该电荷储存栅中建立负的电荷来进行的；或通过从硅衬底热孔注入电荷储存栅，以该电荷储存栅中产生正电荷来进行的。根据编程方法的不同，擦除通过从该电荷储存栅沟道隧穿至硅衬底或相反来进行的。该存储单元阵列偏压，使得可以同时擦除所有存储单元，而编程是位可选的。
具有密集成组存储非闪速存储器制造工艺

[发明专利]具有增强的编程和擦除连接的闪速存储器及其制造方法-CN200510055120.2有效
发明人：陈秋峰;普拉蒂普·滕塔索德;范德慈 -专利权人： 阿克特兰斯系统公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：自对准分裂栅极闪速存储器存储单元阵列及其制造工艺，其中擦除和选择栅极位于堆叠的浮置和控制栅极的相对侧，源极区在擦除栅极之下的衬底中，位线扩散区在诸排单元末端被选择栅极部分地重叠。浮置和控制栅极是相互自对准的，擦除和选择栅极与堆叠栅极分开但与其自对准。由于浮置栅极被其他栅极和源极区所围绕，因此用于编程和擦除操作的高压连接得以显著提高。该存储单元显著小于现有技术的存储单元，且该阵列是被偏置的，因此其中的所有存储单元可以同时被擦除，而编程是位可选的。
具有增强编程擦除连接存储器及其制造方法

[发明专利]自对准分离栅与非型快闪存储器及制造工艺-CN200510055126.X有效
发明人：陈秋峰;卓煜盛;陈明哲;范德慈;普拉蒂普·滕塔索德 -专利权人： 阿克特兰斯系统公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准分离栅与非型快闪存储器及制造工艺。其中在衬底的有源区中自对准分离栅单元的行形成在位线扩散区与共源扩散区之间。每个单元具有：控制栅和浮栅，它们彼此叠置并且自对准；以及擦除和选择栅，它们与叠置的栅分离并与之自对准，并且在每行两端具有部分交迭位线扩散区和源扩散区的选择栅。擦除栅下面的沟道区被重掺杂，从而减小位线扩散区与源扩散区之间的沟道的电阻，并且浮栅以一方式被其它栅围绕，该方式提供从其它栅到浮栅的显著增强的高电压耦合。存储单元比现有技术的单元显著减小，并且阵列被偏置从而其中所有存储单元能够被同时擦除而编程是位选择的。
对准分离非型快闪存制造工艺

[发明专利]具有加强编程和擦除功能的与非闪速存储器及其制造方法-CN200410045375.6有效
发明人：陈秋峰;普拉蒂普·滕塔索德;范德慈 -专利权人： 阿克特兰斯系统公司
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：与非闪速存储单元阵列和制造方法，具有显著减小的存储元尺寸和更大的存储元密度，它也具有用于编程和擦除操作的增强高电压耦合，这意味着所述高电压可以被降低并且在浮置栅下面的所述隧穿氧化物可以较厚。其中控制栅和浮置栅被叠层成对且在一个位线扩散区和一个公用源扩散区之间布置成排，同时在每个所述叠层栅对的两侧具有选择栅。所述每个叠层对中的栅为相互自对准的。
具有加强编程擦除功能非闪速存储器及其制造方法

[发明专利]带无接点位线的闪速存储器单元及其制造方法-CN01122108.9在审
发明人：陈秋峰 -专利权人： 阿克特兰斯系统公司
申请日： 2001-05-22 - 公布日： 2002-02-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器单元阵列及其制造方法,其中,在基片上为多个存储器单元中的每一个形成浮动栅,控制栅成型在每一个浮动栅上面并与之垂直对准,源极区成型在两者之间的基片上,并与相邻单元中的浮动栅的第一边缘部分局部重叠,位线形成在相邻单元中浮动栅的第二边缘部分之间的基片中部,跨过控制栅、浮动栅、位线和源极区形成选择栅。
接点存储器单元及其制造方法

[发明专利]带自对准栅极的快闪存储单元及其制造方法-CN00800528.1有效
发明人：陈秋峰 -专利权人： 阿克特兰斯系统公司
申请日： 2000-02-17 - 公布日： 2001-06-20 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种非易失性存储单元和方法,其中隔离氧化区形成在衬底中有源区的两个相对的侧面上,高度为衬底上有源区宽度的80%到160%数量级的高度;在栅极氧化物上以及沿隔离氧化物的侧面淀积第一层硅,形成具有基本上与栅极氧化物共同延伸的底壁和高度为底壁宽度的80%到160%数量级的侧壁的浮栅;在浮栅上形成介质膜,在介质膜上淀积第二层硅并构图形成控制栅。
对准栅极闪存单元及其制造方法