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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储装置的操作方法-CN202110204874.9在审
发明人：黄昱闳;程政宪;郑致杰;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置的操作方法，应用于具有多条字线及一条或多条功能线的一存储装置。操作方法包括：接收针对一目标存储单元的一读取操作命令；输出具有一第一波形的一信号至对应于目标存储单元的一目标字线，输出具有一第二波形的一信号至功能线，以及输出具有一第三波形的一信号至目标字线以外的其他字线。第三波形的一下降时间长于第二波形的一下降时间。
存储装置操作方法

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202110188197.6在审
发明人：古绍泓;程政宪;吕君章;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储装置与其操作方法。该存储装置包括多条字线，该存储装置的操作方法包括：对这些字线执行一预充操作，在一第一回合中，对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压，在一第二回合中，对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压，其中，该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组；对这些字线执行一擦除操作；以及对这些字线执行一编程操作。
存储装置及其操作方法

[发明专利]用于存储装置的编程方法-CN202110067057.3在审
发明人： 程政宪;黄昱闳;李佳鸿;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F8/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于存储装置的编程方法，存储装置包含多个存储单元、位线与多条字线。当存储装置处于在一编程操作中，存储单元包含选择存储单元与多个未选择存储单元。编程方法包含进行多个预充电步骤、进行多个编程步骤、以及在预充电步骤和编程步骤后对选择存储单元进行验证步骤。每一预充电步骤包含对用以驱动未选择存储单元的位线施加预充电电压。每一编程步骤包含对用以驱动选择存储单元的字线施加编程电压。
用于存储装置编程方法

[发明专利]存储装置及其编程方法-CN202010278346.3在审
发明人：古绍泓;程政宪;铃木淳弘;黄昱闳;陈圣楷;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06F8/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置及其编程方法。存储装置包括一存储器阵列、多条字线及一电压产生器。这些字线在进行编程时，这些字线的其中之一为选择状态，其余字线为选择状态。部分的未选择状态的字线归类为一第一群组及一第二群组。第一群组及第二群组分别位于选择状态的字线的两侧。电压产生器在一编程期间提供一编程电压至选择状态的字线。电压产生器提供一第一双阶段电压波型至第一群组的未选择状态的字线。电压产生器提供一第二双阶段电压波型至第二群组的未选择状态的字线。
存储装置及其编程方法

[发明专利]多层次三维存储器的擦除方法-CN202010267748.3在审
发明人：古绍泓;郑致杰;程政宪;黄昱闳;铃木淳弘;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种多层次三维存储器的擦除方法，该多层次三维存储器包括多个层次与多个区块，各这些层次包括多个字线。该擦除方法包括：在擦除这些区块的一被选区块时，在一目前回合中，从这些层次选择至少一层次以被一第一擦除电压所擦除；判断该至少一层次是否通过擦除验证；以及如果判断该至少一层次通过擦除验证，在一下一回合时，对通过擦除验证的该至少一层次则禁止被擦除。
多层次三维存储器擦除方法

[发明专利]编程非易失性存储器的方法及存储器系统-CN201710826510.8有效
发明人：古紹泓;林大卫;程政宪;李致维;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种编程非易失性存储器的方法及一种存储器系统。非易失性存储器的多个存储单元的每一存储单元存储具有至少2位的数据。此方法包括以下步骤。提供至少一编程脉冲以编程多个存储单元的一目标存储单元。提供至少一编程验证脉冲以验证目标存储单元是否为编程成功。判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于编程验证电压。当目标存储单元的阈值电压大于或等于编程验证电压，设定目标存储单元为编程成功。接着，对编程成功的存储单元执行一再验证程序。再验证程序包括判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于一再验证电压。
编程非易失性存储器方法存储器系统

[发明专利]编程的方法及存储器系统-CN201810553031.8有效
发明人： 程政宪;黄昱闳;李致维;古绍泓;铃木淳弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明揭露禁止对存储器阵列中未选定串的存储单元中的单元进行编程的同时对所述存储器阵列中的选定存储单元进行编程的方法及存储器系统。粗略来说，在预充电阶段中，在连接至被选定进行编程的字线但位于未选定串中的存储单元的通道中建立禁止电压。在后续的编程阶段中，选定串中的单元的通道被保持处于低电压，而未选定串中的单元的通道被容许浮置。对选定字线导体施加编程电压Vpgm，对不同于选定字线导体的第一字线导体施加第一通过电压VpassP1，且对第二字线导体施加第二通过电压VpassP。第一字线导体位于选定字线导体与第二字线导体之间，且Vpgm＞VpassP1＞VpassP。
编程方法存储器系统

[发明专利]步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统-CN201911066384.6在审
发明人：黄昱闳;程政宪;古绍泓;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统。快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。此方法包括：依照变化在第一范围内的多个位线电压以及变化在第二范围内相对验证电压的多个电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。
步进编程脉冲操作决定快速通过写入方法系统

[发明专利]存储器元件-CN201910986718.5在审
发明人：古绍泓;程政宪;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件，该存储器元件包括一基板、一叠层结构、多个通道结构、多个存储层以及多个浅隔离结构。基板具有一上表面。叠层结构位于基板的上表面上，其中叠层结构包括交替堆叠于上表面上的多个绝缘层及多个导电层。通道结构穿过部分的叠层结构并电性连接于基板。各个存储层环绕所对应的各个通道结构。浅隔离结构由叠层结构的一顶面朝向基板的方向延伸，其中各个浅隔离结构包括一物质，此物质的介电常数小于3.9。
存储器元件

[发明专利]用于三维存储器的擦除验证方法以及存储器系统-CN201711097517.7有效
发明人：古绍泓;黄昱闳;程政宪;李致维;铃木淳弘;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种用于三维存储器的擦除验证方法以及一种存储器系统。三维存储器包括至少一存储单元串，以及至少一存储单元串包括多个存储单元。存储单元包括一第一组存储单元以及一第二组存储单元。各存储单元耦接于一字线。擦除验证方法包括以下步骤。对第一组存储单元上执行一第一擦除验证操作。在对第一组存储单元执行第一擦除验证操作后，在第一组存储单元被验证为擦除成功的情况下，对第二组存储单元上执行一第二擦除验证操作。
用于三维存储器擦除验证方法以及系统

[发明专利]具有多个下选择栅极的三维存储器元件-CN201810769084.3在审
发明人：李致维;程政宪;古绍泓;铃木淳弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本揭露描述一种在单一集成电路上的三维与非存储器。此三维与非存储器包括包含多个次区块的垂直与非串行区块。多个次区块中的每个次区块包括在上阶层中的上选择线；上阶层之下的中间阶层中的字线；在中间阶层之下的第一下阶层中的第一下选择线；在第一下阶层之下的第二下阶层中的第二下选择线。参考导体可配置于区块之下。位线配置于区块之上。在不同的存储器操作的组合中，控制电路施加电压至多个次区块中的上选择线、字线、及第一与第二下选择线。
区块选择线阶层与非存储器字线三维单一集成电路存储器操作三维存储器控制电路施加电压位线配置选择栅极导体可配置与非垂直参考

[发明专利]非易失性存储单元及其控制方法-CN201510154154.0有效
发明人： 程政宪;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储单元及其控制方法。该非易失性存储单元具有一半导体基材、一多层叠层结构。此叠层结构包括位于一浮栅上方的一电荷捕捉层、一上方导体层以及一控制电路。通过在电荷捕捉介电层上施加比第二电荷密度还大的电荷密度，来使写入操作与擦除操作改变浮栅的第一电荷密度，进而控制非易失性存储单元上的写入操作和擦除操作。
非易失性存储单元及其控制方法

[发明专利]三维存储器-CN201510506194.7有效
发明人：李致维;程政宪;古绍泓;吕文彬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器，具有存储单元叠层结构。存储单元叠层结构，由多个存储单元阵列结构与多个绝缘层交错叠层而成，各存储单元阵列结构具有字线、有源层、复合层与源极/漏极区。字线、有源层与复合层在Y方向延伸。有源层设置于相邻的字线之间。复合层设置于相邻的字线与有源层之间，各复合层由有源层起依序包括第一介电层、电荷储存层与第二介电层。源极/漏极区，等间隔设置于有源层中。相邻的两个所述源极/漏极区、于两个源极/漏极区之间的有源层、以及于有源层上的第一介电层、电荷储存层、第二介电层与字线，共同构成存储单元。
三维存储器

[发明专利]改进三维或非门闪存的栅极电容的结构与操作方法-CN201510742532.7有效
发明人： 程政宪;李致维;古绍泓;吕文彬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种改进的三维存储单元、阵列、装置及/或类似物以及其方法。该三维存储单元包括一第一导电层与一第三导电层。第三导电层与第一导电层分离。三维存储单元还包括一通道导电层。通道导电层连接第一导电层与第三导电层。通道导电层、第一导电层与第三导电层形成一具有内表面的开口。一介电层沿着开口的内表面设置，开口被第一导电层、通道导电层与第三导电层所围绕。三维存储单元还包括一第二导电层，第二导电层插入且实质上填满一剩余开口部分，剩余开口部分由介电层所形成。第一导电层、介电层与第二导电层被配置以形成阶梯结构。
改进三维非门闪存栅极电容结构操作方法

[发明专利]编程非易失性存储器的方法及存储器系统-CN201810328279.4在审
发明人：古绍泓;林大卫;程政宪;李致维;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种编程非易失性存储器的方法及存储器系统，编程非易失性存储器的方法包括下列步骤：对于非易失性存储器的存储单元执行编程及编程验证操作，其中编程及编程验证操作包括施加序列增量阶跃脉冲至存储单元；在存储单元通过编程及编程验证操作后，对于存储单元执行再验证操作；若是存储单元未通过再验证操作，施加再编程脉冲至该存储单元，其中再编程脉冲的振幅大于序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅。对于非易失性存储器执行读取操作，以取得对应读取操作的错误位数；调整读取操作的读取参考电压以最小化错误位数。
存储单元非易失性存储器编程编程验证操作读取操作脉冲存储器系统错误位数阶跃脉冲序列增量再编程施加验证读取参考电压最小化

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