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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210393515.7在审
  • 邱永汉;李书铭 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - H01L29/06
  • 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包含半导体衬底的主动区、设置于主动区之上的栅极电极层、围绕主动区和栅极电极层的隔离结构、以及栅极介电层。栅极介电层包含插入栅极电极层的底面与主动区的顶面之间的第一部分、以及插入隔离结构与主动区的侧壁之间的第二部分。通过凹蚀隔离结构的衬层，减缓主动区与隔离结构交会处的应力集中。如此，栅极介电层在主动区的边缘处与主动区的中央处可保持一致的厚度。因此，改善了半导体装置的可靠性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110047059.6在审
  • 邱永汉;李书铭;许博砚 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-01-14 - 2022-07-19 - H01L27/24
  • 本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括位于衬底上方的第一导电线及第一导电线上方的存储器结构。存储器结构通过导电通孔电性耦合至第一导电线。间隔件层位于存储器结构侧边且覆盖存储器结构的侧壁。第一介电层位于间隔件层上且位于存储器结构侧边。第二介电层位于存储器结构、间隔件层及第一介电层上。第二导电线穿过第二介电层、第一介电层及间隔件层，以与存储器结构电性耦合。第二导电线包括至少部分地嵌置于第二介电层中的主体部以及位于主体部下方且侧向凸出于主体部侧壁的延伸部。延伸部电性连接至存储器结构的上电极，且被间隔件层环绕包覆。
  • 半导体装置及其形成方法
  •  1 
  • 共 5 条
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