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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法-CN201010218094.1有效
发明人：郭明昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种操作非易失存储单元、或操作该单元阵列中至少一单元的方法与装置，其中当增加电荷至电荷储存结构时，一源极区域或一漏极区域为浮接。
施加浮动电压漏极区操作存储器装置方法

[发明专利]施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法-CN200710185095.9无效
发明人：郭明昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种操作非易失存储单元、或操作该单元阵列中至少一单元的方法与装置，其中当增加电荷至电荷储存结构时，一源极区域或一漏极区域为浮接。
施加浮动电压漏极区操作存储器装置方法

[发明专利]电荷泵电路-CN200910161275.2无效
发明人：庄振荣;徐世斌;黄正忠;周文彬 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种电荷泵电路，包含有一输入端、一第一储存电容、一第二储存电容、一第一输出端、一第二输出端及一电荷泵单元。该输入端用来接收一输入电压。该电荷泵单元包含有一第一飞驰电容、一第二飞驰电容、多个开关及一控制单元。该控制单元用来控制该多个开关的导通状态，以使该第一飞驰电容经由充放电程序，提供一正电荷泵电压至该第一输出端或提供一负电荷泵电压至该第二输出端，并使该第二飞驰电容经由充放电程序，提供该正电荷泵电压至该第一输出端
电荷电路

[发明专利]一种用于辅助电荷存储器器件的阵列结构-CN200710002141.7有效
发明人：吴昭谊;李明修;郭明昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一个辅助电荷存储器单元包含一个晶体管，所述晶体管包含，例如，p型衬底以及在p型衬底上注入的n+源极区域和n+漏极区域。栅极电极形成在衬底以及部分源极和漏极区域上。该栅极电极包含捕捉结构。所述捕捉结构在电性上被认为被分成两边。一边被当成辅助电荷端，通过在所述结构中捕捉电子，可以被固定在高电压。所述电子被当成是辅助电荷。另一边可以被用来储存数据，被当成数据端。介于辅助电荷端和数据端之间陡峭的电场，可以提高编程效率。
一种用于辅助电荷存储器器件阵列结构

[发明专利]一种用于辅助电荷存储器阵列的结构-CN200710002145.5有效
发明人：吴昭谊;李明修;郭明昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一个辅助电荷存储器单元，包括一个晶体管，其包括，例如，一个p型衬底以及在p型衬底植入n+源极区域和n+漏极区域。栅极电极被形成在衬底以及部分源极和漏极区域上。该栅极电极包括陷获结构。该陷获结构在电性上被认为被分成两边。一边被当成辅助电荷端，通过陷获电子在该结构中，可以被固定在高电压。该电子被当成是辅助电荷。另一边可以被用来储存数据，是被当成数据端。介于辅助电荷端和数据端之间突变的电场，可以促进编程效率。
一种用于辅助电荷存储器阵列结构

[发明专利]编程双单元存储器件以在各单元中储存多个数据状态的方法-CN200480010297.4无效
发明人： D·G·汉密尔顿;K·坦派柔;E·夏;Y·何 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-03-08 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：所述方法包括将第一电荷储存单元(38、40)及第二电荷储存单元(38、40)独立地编程到各自的数据状态，所述数据状态选自空白编程级别或多个带电荷编程级别中的一个。
编程单元存储器件储存数据状态方法

[发明专利]储存电荷元件的制造方法-CN200610002341.8无效
发明人：梁虔硕;曾培哲;李亨元;李隆盛 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种储存电荷元件的制造方法，利用原子层沉积法能精确控制薄膜成长厚度以及硅含量的特性，在沉积氧化硅铪Hf_xSi_yO_z的过程中，渐变式改变硅含量由于下电极、电容介电层、上电极是形成在具有不规则轮廓的渐变式的堆叠绝缘层的侧壁上，因此可以增加下电极与上电极之间所夹的面积，而可以提高储存电荷元件的储存量。
储存电荷元件制造方法

[发明专利]一种柔性驻极体传感器及其制备方法和应用-CN202310164066.3在审
发明人：鲁圣国;魏建文;周磊;杨东儒;赵小波;姚英邦;陶涛;梁波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：所述柔性驻极体传感器包括表面电极、柔性传感层、底面电极和导线；所述柔性传感层设于表面电极和底面电极之间；所述柔性传感层由若干半球形微结构的单元阵列和驻极体材料层组成；所述柔性传感层的半球形微结构层的表面充满电位相反、电荷量相等的双极性电荷；所述表面电极和底面电极上均引出有导线。本发明柔性驻极体传感器的微结构可存储更多电荷、稳定性更好，可通过调节微结构的尺寸进而调控微结构的存储空间，调节电荷储存量，电荷密度越大，灵敏度越高；该柔性驻极体传感器的压电系数是商用PVDF薄膜的数十倍
一种柔性驻极体传感器及其制备方法应用

[实用新型]一种柔性驻极体传感器-CN202320311715.3有效
发明人：魏建文;鲁圣国;周磊;杨东儒;赵小波;姚英邦;陶涛;梁波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：本实用新型属于驻极体传感器技术领域，公开了一种柔性驻极体传感器，所述柔性驻极体传感器包括表面电极、柔性传感层、底面电极和导线；所述柔性传感层设于表面电极和底面电极之间；所述柔性传感层由若干半球形微结构的单元阵列和驻极体材料层组成；所述柔性传感层的半球形微结构层的表面充满电位相反、电荷量相等的双极性电荷；所述表面电极和底面电极上均引出有导线。本实用新型柔性驻极体传感器的微结构可存储更多电荷、稳定性更好，可通过调节微结构的尺寸进而调控微结构的存储空间，调节电荷储存量，电荷密度越大，灵敏度越高；该柔性驻极体传感器的压电系数是商用PVDF薄膜的数十倍
一种柔性驻极体传感器

[发明专利]基于储存电容器的模数转换器-CN201910408861.6有效
发明人： S·莫南吉;A·M·卡拉蒂尔;V·M·考卡尔尼;M·C·W·科尔恩 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：本申请提供了基于储存电容器的模数转换器。在ADC中使用储存电容器以将大部分电荷提供给位试验电容器的技术被执行。精确的参考电压源，例如参考缓冲器电路，仅需要提供由储存电容器提供的电荷中的差异，例如不准确性。精确的参考电压源只需要在采集期间将初始电荷传送到储存电容器，而不是在ADC准备好采样到残余放大器时再将其提供给每个位试验。例如，这些技术可以减轻对参考缓冲器电路的要求和外部去耦电容器的要求。
基于储存电容器转换器

[发明专利]具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元-CN200710181223.2有效
发明人：赖二琨;施彦豪;徐子轩;李士勤;谢荣裕;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：此存储单元包括半导体层，其具有接近此半导体层的表面并被沟道区域所分隔的至少两个源极/漏极区域；设置于此沟道区域之上的下绝缘层；设置于此下绝缘层之上的电荷储存层；设置于此电荷储存层之上的上绝缘多层结构，其中此上绝缘多层结构包括插置在第一电介质层与第二电介质层之间的多晶硅材料层；以及设置于此上绝缘多层结构之上的栅极。
具有多晶多层绝缘结构非易失性存储单元

[发明专利]存储元件及其制造方法-CN201510086829.2有效
发明人：郑致杰;颜士贵;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：该存储元件包括基底、第一掺杂区、多个复合结构、多个字线以及电荷储存层。第一掺杂区位于基底表面。多个复合结构位于第一掺杂区上。每一复合结构包括两个半导体鳍状结构以及介电层。每一半导体鳍状结构包括第二掺杂区，位于每一半导体鳍状结构的上部；以及基体区，位于第二掺杂区与第一掺杂区之间。介电层位于半导体鳍状结构之间。多个字线位于基底上。每一字线覆盖每一复合结构的部分侧壁与部分顶部。电荷储存层位于复合结构与字线之间。
存储元件及其制造方法

[发明专利]背光模组及显示装置-CN201610917547.7有效
发明人：魏广东;刘琼 -专利权人：友达光电（苏州）有限公司;友达光电股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供一种背光模组及显示装置，背光模组具有金属背板与发光条结构，还包括导电黏着结构，该导电黏着结构设置于该金属背板上，且该导电黏着结构具有第一导电层，该第一导电层与该金属背板之间形成第一电容；以及该发光条结构具有阳极区域，该阳极区域与该第一导电层通过导电材料电性连接；其中，该第一电容用于储存电荷。本发明通过在背光模组的金属背板(地端)上设置导电黏着结构，藉由导电黏着结构内部的导电层与金属背板之间形成电容的储存电荷，降低了流经发光条结构上的发光元件结电容的电量，避免发光元件受到静电损伤。
背光模组显示装置

[发明专利]一种像素结构以及其驱动方法-CN201110110572.1无效
发明人：陈政鸿 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开一种像素结构以及其相关的驱动方式，所述像素包含第一和第二薄膜晶体管、液晶电容、第一储存电容以及第二储存电容。第一晶体管的栅极、源极及漏极分别耦接至第一扫描线、数据线及第一储存电容，以导通所述数据线以及所述第一储存电容。一第二晶体管的栅极、源极及漏极分别耦接至一第二扫描线、所述第一储存电容及所述第二储存电容。当所述第一晶体管于第一时序导通，将所述数据线的电压储存于所述第一储存电容，以及所述第二晶体管于第二时序导通，以将所述第二储存电容和所述第一储存电容进行电荷分享。藉由此驱动方式，可以藉由电荷分配来降低液晶电容与共通电极的电压差，进而改善面板的色偏状况。
一种像素结构及其驱动方法

[发明专利]记忆体元件及其制造方法-CN201010000333.6无效
发明人：黄育峰;徐妙枝;陈冠复;韩宗廷 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该记忆体元件，包括基底、导体层、电荷储存层、多个隔离结构、多个第一掺杂区以及多个第二掺杂区。其中，基底中具有多个沟渠；导体层配置在基底上且填入沟渠中；电荷储存层配置在基底与导体层之间；隔离结构分别配置在相邻两沟渠之间的基底中；第一掺杂区分别配置在各隔离结构与各沟渠之间的基底上部中；第二掺杂区分别配置在沟渠底部的基底中，并且各隔离结构位于相邻两个第二掺杂区之间。
记忆体元件及其制造方法

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