“电互连件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4349302个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]密封的互连件-CN201980079654.9在审
发明人： A·D·斯图德;D·奥尔森;Q·B·韦弗;B·A·尼古拉斯 -专利权人：惠普发展公司，有限责任合伙企业
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：在一些示例中，打印液体供应单元包括电互连件。在一些示例中，从供应单元的外部到供应单元的内部将电互连件密封在供应接头中。在一些示例中，焊接供应接头以连结供应单元的壳体组件。
密封互连

[发明专利]用于印刷电路板的互连组合件-CN201310576469.5有效
发明人：蒂莫西·A·莱姆基 -专利权人： Z型普拉内公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本申请涉及用于印刷电路板的互连组合件。一种设备电互连以对应于背板的前侧处的相应电路板的单独阵列的形式从所述背板的后侧伸出的接脚。所述设备包括横跨所述背板的所述后侧在接脚的单独阵列之间延伸的连接器板组合件。所述连接器板组合件具有电互连接脚的那些单独阵列的信号布线电路。此使得所述相应印刷电路板能够与所述背板的结构内的任何信号布线电路无关地电互连。因此，所述设备优选地包含不具有用于互连延伸穿过所述背板的接脚的信号布线电路的背板。
用于印刷电路板互连组合

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110180184.4在审
发明人：游力蓁;苏焕杰;黄麟淯;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了包括形成在背侧互连结构中的空气间隔件的半导体器件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一晶体管结构；前侧互连结构，位于第一晶体管结构的前侧上；以及背侧互连结构，位于第一晶体管结构的背侧上，背侧互连结构包括：第一介电层，位于第一晶体管结构的背侧上；第一通孔，延伸穿过第一介电层，第一通孔电耦接至第一晶体管结构的源极/漏极区域；第一导线，电耦接至第一通孔；以及空气间隔件，在平行于第一介电层的背面的方向上与第一导线相邻。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体芯片的互连结构和包括该互连结构的半导体封装件-CN202111086297.4在审
发明人：马金希;张喆容 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了一种半导体芯片的互连结构和半导体封装件。所述互连结构可以包括互连过孔件、下焊盘、导电凸块和上焊盘。互连过孔件可以布置在半导体芯片中。下焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的下表面暴露的下端上。导电凸块可以布置在下焊盘上。上焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的上表面暴露的上端上。上焊盘的宽度可以比互连过孔件的宽度宽，并且可以比下焊盘的宽度窄。因此，在具有薄的厚度的互连结构中，不会在导电凸块之间产生电短路。
半导体芯片互连结构包括封装

[实用新型]一种一体式软包电池采集结构-CN202223438364.7有效
发明人：施敏捷;刘之浩;马金鹏;刘憧盈 -专利权人：苏州精控能源科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01M50/502 文献下载
摘要：本实用新型提供一种一体式软包电池采集结构，包括印制电路板，设于所述电芯一侧，若干集成件电性连接于所述印制电路板远离所述电芯一侧，且相邻所述电芯的正极接口与负极接口相互连接构成连接节点，三个相邻所述连接节点电性连接于一集成件上，此结构的一体式软包电池采集结构，通过设置印制电路板和若干集成件，若干集成件电性连接于所述印制电路板远离所述电芯一侧，且相邻所述电芯的正极接口与负极接口相互连接构成连接节点，能够直接将电芯与集成件连接。
一种体式电池采集结构

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN201910868960.2有效
发明人：江国诚;朱熙甯;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文提供了具有互连结构的集成电路器件和用于形成集成电路器件的方法的实例，互连结构包括掩埋互连导体。在一些实例中，该方法包括：接收衬底，该衬底包括从衬底的剩余部分延伸的多个鳍。在多个鳍之间形成间隔件层，并且在多个鳍之间的间隔件层上形成掩埋互连导体。在多个鳍之间的掩埋互连导体上形成一组覆盖层。穿过一组覆盖层蚀刻接触凹槽，接触凹槽暴露掩埋互连导体，并且在接触凹槽中形成接触件，该接触件电耦合到掩埋互连导体。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]由塑料管和挠性印刷电路板制成的导管远侧端部-CN201711008402.6有效
发明人： A.戈瓦里;A.C.阿尔特曼恩;Y.阿加维;I.斯特尼特斯基;C.T.比克勒;J.T.科耶斯;K.J.赫雷拉 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：导管包括插入管、挠性基底和一个或多个电装置。该插入管被配置成用于插入患者身体中。该挠性基底被配置成围绕所述插入管的远侧端部包裹并且包括电互连件。该电装置被联接到所述挠性基底并被连接到所述电互连件。
塑料管印刷电路板制成导管远侧端部

[发明专利]用于半导体器件的互连结构-CN201410750576.X有效
发明人：丁致远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了用于半导体器件的互连结构。提供了互连件以及形成半导体器件的互连件的方法。形成具有不同宽度的导线。在设计包括覆盖通孔的地方使用较宽的导线，以及在不包括覆盖通孔的地方使用较窄的导线。形成覆盖介电层，并且形成沟槽和通孔以延伸穿过覆盖介电层到达较宽的导线。可以与诸如较窄导线的所选导线相邻地形成空隙或气隙。
半导体器件通孔互连结构覆盖互连件介电层延伸穿过气隙

[发明专利]兼用于面板式和中间板式安装的互连模块-CN201780080489.X有效
发明人：吉格内什·夏;让·卡尔洛·威廉姆斯巴尼特;埃里克·兹班登 -专利权人：申泰公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01R12/51 文献下载
摘要：诸如收发机的互连模块被配置成与包括第一电连接器和第二电连接器的主机模块对接。互连模块包括相互分隔开的第一个连接盘和第二多个连接盘。互连模块可以与主机模块对接，使得第一连接盘与第一电连接器对接，而第二连接盘与第二电连接器对接。当互连模块与主机模块对接时，第一连接盘可以越过第二电连接器的电接触件的对接区而不拭抹该对接区。互连模块可以用于前面板式安装和中间板式安装两种应用。
兼用板式中间安装互连模块

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110225729.9在审
发明人：舒恩·布尔;波拉·巴洛格鲁 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括导电结构；电子组件，所述电子组件位于所述衬底的顶面之上并且与所述导电结构电耦接；盖结构，所述盖结构位于所述衬底之上并且位于所述电子组件之上；以及竖直互连件，所述竖直互连件位于所述盖结构中，所述竖直互连件延伸到所述盖结构的顶表面并且与所述导电结构电耦接。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110315555.5在审
发明人：游力蓁;苏焕杰;黄麟淯;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了包括形成在背侧互连结构中的空气间隔件的半导体器件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一晶体管结构；在第一晶体管结构的前侧上的前侧互连结构；以及在第一晶体管结构的背侧上的背侧互连结构，该背侧互连结构包括：在第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；延伸穿过第一介电层的第一通孔，该第一通孔电耦接到第一晶体管结构的第一源极/漏极区；电耦接到第一通孔的第一导电线；以及与第一导电线相邻的空气间隔件，该第一导电线限定空气间隔件的第一侧边界。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200910205814.8无效
发明人：沈喜成;黄俊;金钟玟 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：图像传感器包括读出电路、互连件、绝缘层、电极和图像感测器件。读出电路布置在第一基片中。互连件布置在第一基片之上并电连接到读出电路。绝缘层布置在互连件之上。电极布置在绝缘层上。图像感测器件布置在电极上。电极和互连件提供图像感测器件至读出电路的电容性耦合，以便可以省略使光电二极管接触到互连件的接触形成工艺。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]MEMS封装技术-CN201510852244.7有效
发明人：郑钧文;朱家骅;戴健轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。
mems 封装技术

[发明专利]用于在梯度线圈组合件中提供互连的系统和设备-CN201210175052.3无效
发明人：江隆植;T.J.黑文斯;J.小斯卡图罗;W.L.埃恩齐格;T.K.基丹 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01R33/385 文献下载
摘要：一种用于磁共振成像(MRI)系统的梯度线圈设备（204）包含包括至少一个内部梯度线圈（462）的内部梯度线圈组合件和包括至少一个外部梯度线圈（460）的外部梯度线圈组合件。至少一个梯度线圈互连（450）耦合到内部梯度线圈和外部梯度线圈。梯度线圈互连包含包括多个导体的导线组合件（452）。导线组合件具有电耦合到外部梯度线圈组合件的第一端（456）和电耦合到内部梯度线圈的第二端（458）。梯度线圈互连还包括围绕导线组合件的一部分设置的加强材料（454）。
用于梯度线圈组合提供互连系统设备

[发明专利]电互连系统-CN201910266253.6在审
发明人：特伦斯·F·李托 -专利权人：富士康（昆山）电脑接插件有限公司;鸿腾精密科技股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01R12/71 文献下载
摘要：一种电互连系统，其包括周边侧、系统侧及若干连接所述周边侧和系统侧的线缆，所述周边侧包括第一电路板，若干安装在所述第一电路板上的外壳，若干设置于外壳内以收容若干模组的收容腔及若干分别位于所述收容腔的后端的线端插座连接器
电路板插座连接器板端电互连系统上表面收容腔线缆连接器连接线线端插座下表面模组排布收容

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top