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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种倒装芯片偏移测试结构-CN202222599941.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：偏移测试结构包括第一、第二芯片，且二者各自配置有互连件。其中第二芯片还配置有偏移件，并且该偏移件以预设方向和间距接近但是未接触第二芯片的互连件。第二芯片中的互连件和偏移件各自电连接有测试导线。偏移测试结构可以被方便地通过测试导线接入测试电路，并通过电学测量获得互连件和偏移件的电学连通情况。因此该方案能够被用于确定倒装芯片制作过程中的上下层芯片的对位是否准确。
一种倒装芯片偏移测试结构

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202111015586.5在审
发明人：余振华;陈玮佑;吴俊毅;刘重希;李建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：方法包括：将互连结构附接至载体衬底，其中，每个互连结构包括：再分布结构；第一密封剂，位于再分布结构上；以及通孔，延伸穿过密封剂以物理和电连接至再分布结构；在互连结构上沉积第二密封剂，其中，相邻互连结构由第二密封剂横向分隔开；在沉积第二密封剂之后，将第一芯衬底附接至至少一个互连结构的再分布结构，其中，芯衬底电连接至再分布结构；以及将半导体器件附接至互连结构，其中，半导体器件电连接至互连结构的通孔。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]包括电池上型指示器的电池-CN201680041318.1在审
发明人： J.里默;R.J.帕夫林斯基;M.阿曼 -专利权人：杜拉塞尔美国经营公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：印刷电路板包括至少一个电池上型指示器接触件和至少一个电化学电池单元接触件。至少一个电化学电池单元接触件与至少一个电化学电池单元的第一端子电连接。至少一个导电迹线包括电池上型指示器互连件和印刷电路板互连件。电池上型指示器互连件与至少一个电池上型指示器端子电连接。印刷电路板互连件与至少一个电池上型指示器端子电连接。
包括电池指示器

[实用新型]一种服装制造用可拉伸电互连件-CN202022040433.3有效
发明人：杨艳文;鲍丽君;王凡瑜;刘颖;杨文清;牛光宇;杨文玲;杨露露 -专利权人：枣庄佳鸿服装有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01R4/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种服装制造用可拉伸电互连件，包括上导电薄膜、下橡胶弹性基板、接口、外接电缆，所述下橡胶弹性基板上设有上导电薄膜，上导电薄膜为沉淀、固结而成，下橡胶弹性基板的一侧设有接口，接口用于插头的插接
一种服装制造拉伸互连

[发明专利]具有柔性电互连和柔性密封件的装置-CN200480040935.7无效
发明人： Q·白 -专利权人：阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2004-11-10 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：包括第一基片(21)、第二基片(24)与柔性件(27，42)的装置。该柔性件包括在此第一与第二基片间的第一种柔性材料，且具有至少以一部分以第二种材料层(33，47)涂覆的侧面。此柔性件随着第一与第二基片压合到一起而呈现变形。在某些实施形式中，此第二种材料为导电性的以使柔性件能在两基片间提供可靠的电连接，在另一些实施形式中，此第二种材料提高了柔性件的气密性使柔性件在两基片间可提供更好的气密封接。
具有柔性互连密封件装置

[发明专利]微电子互连适配器-CN201680010781.X有效
发明人： C.盖斯勒;K.赖因格鲁贝尔;S.阿尔贝斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种互连适配器，被制造成具有基本平坦表面和非平坦表面，微电子封装件可被电附连到所述基本平坦表面，其中至少一个互连从互连适配器平坦表面延伸到互连适配器非平坦表面。可将互连适配器非平坦表面成形为基本符合其可被附连到的微电子基板的形状，这消除了弯曲的需要或以其他方式适配微电子封装件以符合微电子基板的需要。
微电子互连适配器

[发明专利]具有互连部的半导体元件及其制备方法-CN202210215246.5在审
发明人：庄景诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供一种具有一互连部的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一元件基底；以及一互连部，设置在该元件基底上。该互连部包括一下重分布层，电性连接到该后侧接触点；以及一上重分布层，设置在该下重分布层上。该互连部亦包括一互连框架，设置在该下重分布层与该上重分布层之间并电性连接到该下重分布层与该上重分布层。该互连部还包括一钝化结构，围绕该互连框架设置。
具有互连半导体元件及其制备方法

[发明专利]表面安装型封装连接件及其制造方法-CN201210384574.4在审
发明人：乔治·迈尔-伯格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供表面安装型封装连接件和用于制造表面安装型封装连接件的方法。表面安装型封装连接件包括弹性导体、互连焊盘以及导电层。弹性导体具有顶面。互连焊盘电连接至弹性导体。弹性导体的顶面远离互连焊盘布置。
表面安装封装连接及其制造方法

[发明专利]一种泡沫金属接触件电连接器-CN201611164970.0在审
发明人：陈尔鹏;杨晓宏;邱云峰 -专利权人：贵州航天计量测试技术研究所
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01R13/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡沫金属接触件电连接器，包括绝缘材料制作的基座和泡沫金属接触件，基座端面上分布有至少一个通孔，通孔内放置有泡沫金属接触件，泡沫金属接触件的两端穿出通孔的两端。本发明与常用的电连接器比较，泡沫金属接触件电连接器具有体积更小、结构简单、无需焊接或压接、可高密度封装等特点，可应用于表面贴装（LGA、BGA、PGA、CGA、QFN）器件检测（接口）插座、PCB与PCB板间互连以及多芯片组装（MCM）互连等领域。
一种泡沫金属接触连接器

[实用新型]一种泡沫金属接触件电连接器-CN201621382329.X有效
发明人：陈尔鹏;杨晓宏;邱云峰 -专利权人：贵州航天计量测试技术研究所
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01R13/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种泡沫金属接触件电连接器，包括绝缘材料制作的基座和泡沫金属接触件，基座端面上分布有至少一个通孔，通孔内放置有泡沫金属接触件，泡沫金属接触件的两端穿出通孔的两端。本实用新型与常用的电连接器比较，泡沫金属接触件电连接器具有体积更小、结构简单、无需焊接或压接、可高密度封装等特点，可应用于表面贴装（LGA、BGA、PGA、CGA、QFN）器件检测（接口）插座、PCB与PCB板间互连以及多芯片组装（MCM）互连等领域。
一种泡沫金属接触连接器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810097177.2无效
发明人：朴珍皞;柳商旭 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：具体而言，提供一种半导体器件的金属互连及其制造方法。该半导体器件可以包括半导体衬底，形成有诸如晶体管的器件结构。层间介电层可以形成在具有金属互连的半导体衬底上，该金属互连穿过层间介电层而形成。在金属互连的至少部分侧壁处形成间隔件。可以在金属互连的上表面上形成扩散阻挡。本发明可以提高半导体器件的可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件封装件的方法-CN201110463335.3有效
发明人： P·A·麦康内李;A·V·高达 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供制造半导体器件封装件的方法。该方法包括：提供叠层，其包括设置在第一金属层上的介电膜，所述叠层具有介电膜外表面和第一金属层外表面；根据预定图案形成多个延伸通过该叠层的通孔；将一个或多个半导体器件附连到该介电膜外表面使得半导体器件在附连后接触一个或多个通孔；在该第一金属层外表面和多个通孔的内表面上设置导电层来形成互连层，其包括该第一金属层和所述导电层；以及根据预定电路配置图案化该互连层来形成图案化的互连层，其中该图案化的互连层的一部分延伸通过一个或多个通孔来形成与半导体器件的电接触还提供半导体器件封装件。
制造半导体器件封装方法

[发明专利]封装结构、封装件及其形成方法-CN202110060927.4在审
发明人：吴俊毅;余振华;刘重希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：在实施例中，一种结构包括：芯衬底；耦合的再分布结构，该再分布结构包括多个再分布层，该多个再分布层包括介电层和金属化层，该再分布结构还包括嵌入在多个再分布层的第一再分布层中的第一局部互连组件，该第一局部互连组件包括导电连接件，该导电连接件接合至第一再分布层的金属化图案，该第一再分布层的介电层密封第一局部互连组件；耦合至再分布结构的第一集成电路管芯；耦合至再分布结构的第二集成电路管芯，该第一局部互连组件的互连结构将第一集成电路管芯电耦合至第二集成电路管芯；以及耦合至芯衬底的第二侧的一组导电连接件。本申请的实施例还涉及封装结构、封装件及其形成方法。
封装结构及其形成方法

[发明专利]使用伪连接的中介层测试-CN201110332294.4有效
发明人：陆湘台;林志贤;洪伟硕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种互连元件包括衬底、以及穿透该衬底的有源衬底通孔(TSV)。有源金属连接件形成在衬底上，并且电连接至有源TSV。伪焊盘和伪焊料凸块中的至少一种形成在互连元件的表面上。伪焊盘位于衬底上方，并且电连接至有源TSV和有源金属连接件。伪焊料凸块位于衬底下方，并且电连接至有源金属连接件。伪焊盘和伪焊料凸块是末端开路的。本发明还提供一种使用伪连接的中介层测试。
使用连接中介测试

[发明专利]集成芯片结构及其形成方法-CN202310272868.6在审
发明人：锺嘉文;林彦良;张耀文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一个或多个下部互连件设置在位于衬底上方的下部层间介电(ILD)结构内。等离子体诱导损伤(PID)缓解层设置在下部ILD结构上方。PID缓解层具有包含金属的多孔结构。第一上部互连件由位于PID缓解层上方的上部ILD结构横向地围绕。第一上部互连件从PID缓解层上方延伸至一个或多个下部互连件。本发明的实施例还提供了形成集成芯片结构的方法。
集成芯片结构及其形成方法

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