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[发明专利]图像读取装置-CN201980081362.9有效
发明人：荒牧彻;尾込智和;儿玉雅俊 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H04N1/191 文献下载
摘要：图像读取装置(1)包括拍摄元件(20A)和拍摄元件(20B)，拍摄元件(20A)具有：将光照射到读取对象(M)的导光体(21A、22A)；使导光体(21A、22A)所照射的光的来自读取对象(M)的反射光成像的透镜体(8A)；将透镜体(8A)成像后的光转换为电信号的受光元件(11A)；及控制受光元件(11A)的曝光时间的控制装置(14A)，拍摄元件(20B)具有：使导光体(21A)所照射的光的来自读取对象(M)的透射光成像的透镜体(8B)；将透镜体(8B)成像后的光转换为电信号的受光元件(11B)；及控制受光元件(11B)的曝光时间的控制装置(14B)。
图像读取装置

[发明专利]磁传感器装置-CN202180025991.7在审
发明人： 尾込智和;山内一辉;下畑贤司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明的磁传感器装置包括：第1磁场发生部(1a)，其生成与在传送路径(7)中传送的被检测物(8)交叉的磁场；第2磁场发生部(1b)，其相对于传送路径(7)配置在第1磁场发生部(1a)的相反侧，生成与被检测物(8)交叉的磁场；及第1磁阻效应元件(2a)，其设置在第1磁场发生部(1a)与传送路径(7)之间，将由于被检测物(8)被传送而产生的磁通密度的变化作为电阻值的变化来输出。第1磁场发生部(1a)和第2磁场发生部(1b)是面向传送路径(7)的磁极不同的磁极，在被检测物(8)的传送方向上的中心配置在不同的位置。第1磁阻效应元件(2a)具有第1电阻体(21a)和第2电阻体(22a)，第1电阻体(21a)和第2电阻体(22a)在传送方向上的间隔的中心配置在与第1磁场发生部(1a)在传送方向上的中心不同的位置。
传感器装置

[发明专利]磁传感器装置-CN201780070376.1有效
发明人：河原宏昭;冈田正明;国枝达也;尾込智和;松井秀树;吉冈贞明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：磁传感器装置包括：在检测对象物(21)的传送路径中形成磁场的磁体(4)；将磁场的变化作为电阻值的变化进行输出的磁阻效应元件(2)；对磁体(4)及磁阻效应元件(2)进行收纳或保持的壳体(6)；覆盖磁阻效应元件(2)、形成沿着传送路径的面即传送路径面(1b)的盖板(1)；以及具有配置于与传送路径面相交叉的交叉面的信号放大IC(8)，并利用信号放大IC(8)对与因在传送路径面(1b)上传送的检测对象物(21)而产生的磁场的变化相对应的、由磁阻效应元件(2)输出的电阻值的变化进行放大的信号放大基板(9)。
传感器装置

[发明专利]半导体集成电路、传感器读取装置及传感器读取方法-CN201680084693.4有效
发明人： 尾込智和;中井贵之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：传感器读取装置中，具有对来自传感器阵列(11)中所包含的各传感器元件的传感器信号进行放大并输出的功能的IC芯片(10)具备与各传感器元件相连接的多个信道放大器(111‑1～n)。当输出开关(114)导通，IC芯片(10)处于输出状态时，依次切换信道开关(112‑1～n)，从信道放大器(111‑1～n)依次输出传感器放大信号。当输出开关(114)断开，IC芯片(10)处于非输出状态时，使信道放大器(111‑1～n)的运算放大器的偏置电流降低来设为低功耗状态，并降低运算放大器的增益。
半导体集成电路传感器读取装置方法

[发明专利]偏置电流电路、信号处理装置及偏置电流控制方法-CN201780026812.5有效
发明人：加贺野未来;尾込智和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03F3/343 文献下载
摘要：偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204)。偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
偏置电流电路信号处理装置控制方法

[发明专利]磁传感器装置-CN202080052930.5在审
发明人： 尾込智和;山内一辉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁传感器装置包括生成磁场的磁体及配置在与被检测物的传送方向正交的长边方向的磁阻效应元件。磁阻效应元件的第一电阻体(31a)和第二电阻体(31b)配置成第一电阻体(31a)和第二电阻体(31b)在传送方向上的间隔中心位于磁体在传送方向上的中心轴(Cx)。磁体向第一电阻体(31a)和第二电阻体(31b)施加具有被检测物的传送方向分量和长边方向分量的磁场。第一电阻体(31a)和第二电阻体(31b)配置为其间隔随着从第一电阻体(31a)和第二电阻体(31b)的一端朝向长边方向的另一端而扩大，至少两组第一电阻体(31a)和第二电阻体(31b)相对于磁体的与长边方向正交的虚拟线(Cy')以线对称方式配置。
传感器装置

[发明专利]图像读取装置-CN201880085572.0有效
发明人： 尾込智和;时田直幸;松井秀树;国枝达也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G07D7/026 文献下载
摘要：本发明的静电电容检测装置包括：夹住沿着片状的检测对象物(3)被传送的方向即传送方向的传送路径(5)、且至少一部分相对的第1电极(1)和第2电极(2)；在第1电极(1)与第2电极(2)之间形成电场(9)的振荡电路；检测第1电极(1)与第2电极(2)之间的静电电容的变化的检测电路；形成有振荡电路与检测电路中的至少一方的第1基板(11)和第2基板(12)；形成在第1电极(1)与传送路径(5)之间的绝缘性的第1平板(6)；以及形成在第2电极(2)与传送路径(5)之间的绝缘性的第2平板(7)。
图像读取装置

[发明专利]磁传感器装置-CN201880047004.1有效
发明人： 尾込智和;下畑贤司;松井秀树;吉冈贞明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器装置(10)包括磁传感器部、磁屏蔽部(4)以及盖部，磁传感器部包括安装于在长边方向上延伸的传感器基板的磁阻效应元件以及设置于传感器基板的与磁阻效应元件相反的一侧的磁体(3)，壳体对磁传感器部进行支承，磁屏蔽部(4)覆盖壳体的侧面和下表面，盖部覆盖壳体的上方。磁屏蔽部(4)在从磁阻效应元件朝向检测对象的搬运通路的Z轴方向上具有开口部(4o)，开口部(4o)具有沿着长边方向的长边方向两边以及沿着短边方向的短边方向两边。磁屏蔽部(4)的长边方向两边比短边方向两边在Z轴方向上更靠近检测对象。
传感器装置

[发明专利]壳体及磁传感器装置-CN201780083900.9有效
发明人：松井秀树;尾込智和;吉冈贞明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：获得一种磁传感器装置及其壳体，即使在覆盖收容磁传感器部的磁屏蔽外壳的开口的盖部的端部设置了梳齿形状的情况下，也能够保证梳齿部分的强度。包括梳齿部和支承构件，梳齿部形成于盖部的搬运方向的端部，盖部覆盖收容磁传感器部的磁屏蔽外壳的开口，梳齿部的凸部沿着与搬运方向相交的相交方向形成为梳齿状，支承构件形成于磁屏蔽外壳的侧面，并且对凸部的与搬运路径相反的一侧进行支承。
壳体传感器装置

[发明专利]磁传感器装置-CN201780019973.1有效
发明人：松井秀树;尾込智和;冈田正明;下畑贤司;吉冈贞明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁传感器装置包括磁体(4)、在面向所述磁体(4)的面的相反侧的面上安装有沿所述磁体(4)的长边方向配置的磁阻效应元件(2)的磁阻效应元件安装体(3)、收纳或保持所述磁体(4)及所述磁阻效应元件安装体(3)的壳体(6)、以及除了所述磁阻效应元件安装体(3)安装有所述磁阻效应元件(2)的面以外覆盖所述壳体(6)的磁屏蔽(7)，所述磁屏蔽(7)覆盖所述壳体(6)中所述磁阻效应元件安装体(3)面向所述磁体(4)的面的位置，或从所述磁阻效应元件安装体(3)面向所述磁体(4)的面的位置起覆盖所述磁体(4)的相反侧的方向。
传感器装置

[发明专利]磁阻效应元件单元及磁阻效应元件装置-CN201880007669.X有效
发明人： 尾込智和;下畑贤司;井上甚;今村徹治;山口善纪;大门贵史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在磁阻效应元件单元(1)中减少每个各向异性磁阻效应元件(2)的复位电压。磁阻效应元件单元(1)包括：各向异性磁阻效应元件(2)；以及导体的复位线(3)，在与各向异性磁阻效应元件(2)的磁感应方向x'及易磁化方向y'双方正交的方向观察，该导体的复位线(3)通过各向异性磁阻效应元件(2)的中心，以与易磁化方向y'成45度角以下的角度从易磁化方向y'向倾斜的方向延伸，并与包含磁感应方向x'及易磁化方向y'的平面平行。在与磁感应方向x'及易磁化方向y'双方正交的方向观察，复位线(3)具有覆盖整个各向异性磁阻效应元件(2)的宽度。
磁阻效应元件单元装置

[发明专利]图像读取装置-CN201580053902.4有效
发明人： 尾込智和;宫田智之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G07D7/004 文献下载
摘要：本发明的图像读取装置包括：磁回路，该磁回路包括磁体(11)和磁轭(12)，该磁体(11)设置于片状的被读取介质(1)沿着其片表面的方向被传送的传送面(P)的一侧且在与传送面(P)正交的方向上具有不同的磁极，该磁轭(12)设置于磁体(11)的传送面(P)一侧的磁极，该磁回路在与传送面(P)正交的方向上产生磁场；磁阻效应元件芯片(14)，该磁阻效应元件芯片(14)设置于磁回路与传送面(P)之间，且当被读取介质(1)沿传送面(P)被传送时，在磁读取区域(202)检测磁场的传送方向分量的强度变化；导光体(4)，该导光体(4)设置于夹着传送面(P)与磁回路相对的一侧，且向传送面(P)的磁读取区域(202)照射光；以及成像光学系统(5)和受光部(7)，该成像光学系统(5)和受光部(7)设置于夹着传送面(P)与磁回路相对的一侧。
图像读取装置

[发明专利]磁传感器装置-CN201780027143.3有效
发明人： 尾込智和;下畑贤司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：在磁传感器装置中，利用磁化磁体(1)对传送面(P)上所传送的片状的被检测物(4)进行磁化，该磁化磁体形成磁通中心的磁力方向与传送面(P)相交的磁化磁场(11)，在传送面(P)上的磁化磁场(11)中，与传送面(P)平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上。磁传感器装置具有：偏置磁体(2)，其形成磁通中心的磁力方向与被磁化磁体(1)磁化且被传送的被检测物(4)的平面相交的偏置磁场(21)，且在被检测物(4)的平面上的偏置磁场(21)中使与被检测物(4)的平面平行的磁场分量的大小大于第一矫顽力且小于第二矫顽力；及磁阻效应元件芯片(9)，其与偏置磁体(2)的被检测物(4)的平面相对地配置。
传感器装置

[发明专利]磁传感器装置-CN201680007246.9有效
发明人：松井秀树;国枝达也;尾込智和;冈田正明;吉冈贞明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G01R33/038 文献下载
摘要：本发明的磁传感器装置具有棒状的磁体(9)；软磁性载体(7a)，该软磁性载体(7a)沿着磁体(9)的长边方向与磁体(9)平行地配置，在与面向磁体(9)的面相反侧的面上设置有磁阻效应元件(4)，且该软磁性载体(7a)在长边方向上沿着磁体(9)的全长而延伸；以及引导件(14)，该引导件(14)具有介于磁体(9)与软磁性载体(7a)之间的底部、以及随着在磁体(9)的面向软磁性载体(7a)的面上沿着长边方向相接的侧面从所述底部立起设置的侧壁部，该引导件(14)的底部及侧壁部由与磁体(9)相接且在长边方向上延伸的非磁性体来形成。利用与软磁性载体(7a)之间的磁吸引力，使磁体(9)夹着引导件(14)被吸附并保持于软磁性载体(7a)。
传感器装置

[发明专利]磁性传感器装置-CN201580039331.9有效
发明人： 尾込智和;下畑贤司;浅野启行;井上甚 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁性传感器装置包括：磁场生成部(1)，该磁场生成部(1)配置在片状且包含有磁性成分的被检测物(4)的一个面侧，生成与所述被检测物(4)交叉的交叉磁场；以及磁阻效应元件(3)，该磁阻效应元件(3)配置在所述被检测物(4)与所述磁场生成部(1)之间，其电阻值随着因所述被检测物(4)沿着传送方向被传送而产生的所述交叉磁场在所述传送方向上的分量的变化而变化，所述磁阻效应元件(3)中，在传送方向上相邻的电阻体(32a、32b)桥接连接，所述电阻体(32a、32b)配置成以与所述传送方向正交的方向为轴相对于桥接中心呈线对称，所述磁阻效应元件(3)的桥接中心在所述传送方向上的位置配置在所述磁场生成部(1)在所述传送方向上的中心位置。
磁性传感器装置

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