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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]像素结构与其制造方法-CN201410202925.4无效
发明人：徐文义;陈茂松;黄国有 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极介电层覆盖栅极。硅通道层置于栅极介电层上，且置于栅极上方。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。漏极辅助欧姆接触层置于漏极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。
像素结构与其制造方法

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN201910744669.4在审
发明人：许祖钊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提出了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括衬底、位于该衬底上的第一绝缘层、位于该第一绝缘层上的源漏极层图案及柔性层图案；该源漏极层图案包括源极、漏极；该柔性层图案包括至少一开口，该显示面板中的该源极、漏极位于该开口内；该开口与至少一该源极及至少一该漏极对应。本申请通过对层间介质层上的柔性层图案化处理，去除源极及漏极所对应的柔性材料，使得源极/漏极位于该开口内，减小源极及漏极与有源层之间的间距，避免在形成源/漏极时出现断线的风险，提高产品的良率。
漏极源极显示面板柔性层开口图案绝缘层源漏极衬底图案化处理源极/漏极柔性材料源/漏极介质层断线对层减小良率去除源层申请制作

[发明专利]一种显示基板及其检测方法、制备方法、显示面板-CN202010574076.0有效
发明人：卓永;辛燕霞;胡红伟;包征;李雪萍;吴奕昊;王晓云;郭仲前 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：显示基板包括：衬底基板，像素电路；像素电路包括：有源层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层、第一层间绝缘层、源漏电极层、第二层间绝缘层；像素电路划分为多个晶体管；还包括：栅极接触孔，源漏极接触孔；源漏电极层包括：通过栅极接触孔与第一栅极层电连接的栅极测试垫，通过源漏极接触孔与有源层电连接的源极和漏极；第二层间绝缘层具有：栅极测试孔和源漏极测试孔；栅极测试孔暴露栅极测试垫，源漏极测试孔暴露源漏电极层中除栅极测试垫之外的部分区域
一种显示及其检测方法制备面板

[发明专利]有机薄膜晶体管-CN201710324191.0有效
发明人：林冠峄;唐文忠;陈柏炜;许毓麟 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管，包含基板、源极/漏极层、第一缓冲层、半导体层、栅极绝缘层与栅极。源极/漏极层位于基板上。源极/漏极层具有源极区与漏极区。第一缓冲层位于源极区与漏极区之间，且第一缓冲层覆盖至少部分的源极区与至少部分的漏极区。半导体层位于源极/漏极层与第一缓冲层上。第一缓冲层位于半导体层、源极区、漏极区与基板之间。栅极绝缘层覆盖源极/漏极层与半导体层。栅极位于栅极绝缘层上，且栅极绝缘层的一部分位于栅极与半导体层之间。第一缓冲层可用来填补源极区与漏极区之间的空间，避免半导体层形成在源极区与漏极区的楔形底切结构上，使半导体层具有均匀的厚度，能提升有机薄膜晶体管的电性稳定性。
有机薄膜晶体管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910817750.0在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括器件区，基底包括衬底和位于衬底上的鳍部；在器件区的鳍部中形成源漏掺杂层，源漏掺杂层中具有第一型离子；在源漏掺杂层的表面形成第一掺杂层，第一掺杂层中具有第一型离子本发明实施例在鳍部上形成相间隔的源漏掺杂层，源漏掺杂层中具有第一型离子，源漏掺杂层的形成过程通常包括退火处理。本发明实施例在源漏掺杂层上形成第一掺杂层，第一掺杂层中具有第一型离子，第一掺杂层未受到退火处理的影响，具有较高的应力，能够弥补源漏掺杂层因退火处理而损失的应力，因此，源漏掺杂层和第一掺杂层共同为沟道提供应力
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种类空气桥型源场板结构的金刚石场效应晶体管-CN201911337462.1有效
发明人：徐跃杭;陈志豪;付裕;吴韵秋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种类空气桥型源场板结构的金刚石场效应晶体管。该金刚石场效应晶体管包括：衬底层、外延层、栅介质层、源电极、漏电极、栅电极、钝化层、源场板、空气层和支撑层，外延层位于衬底层之上，外延层上部两端分别设置源电极和漏电极，源电极和漏电极中间设置栅电极，栅电极与外延层之间设置栅介质层，栅介质层的两侧均设置钝化层，钝化层分别与源电极和漏电极接触，栅电极与源场板之间设置支撑层，空气层设置在钝化层和源场板之间。本发明能够减小栅源反馈电容和栅漏反馈电容，提高功率增益和工作频率，同时能提高击穿电压。
种类空气桥型源场板结金刚石场效应晶体管

[实用新型]竖直型半导体器件-CN201921514929.0有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。沟道层包括第一半导体材料层和绕第一半导体材料层外周形成的第二半导体材料层。分别在第一源/漏层和第二源/漏层中形成的源/漏区在第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的叠置方向上至少部分地与第一半导体材料层、第二半导体材料层相交迭，使得沟道区能够形成在第一半导体材料层和第二半导体材料层二者中
竖直半导体器件

[实用新型]一种泡腾型诱鱼饵-CN201920651572.4有效
发明人：宋献艺;王润生;王森 -专利权人：山西神聚鱼饵有限公司;山西省农业科学院饲料兽药研究所
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： A01K97/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种泡腾型诱鱼饵，它包括酸源层、碱源层，鱼类诱食功效物质层设在酸源层和碱源层之间，所述诱鱼饵为泡腾片状,所述酸源层、碱源层包含食用色素与PHA材质闪光材料,所述鱼饵本体酸源层成型有斜面，碱源层(3)成型有斜面,所述泡腾型诱鱼饵设有中心孔，所述中心孔沿轴向下。本实用新型，提供了一种鱼类诱食的新型结构，它可以将鱼类诱食功效物质层夹在诱食饵的酸源层和碱源层之间，通过诱食饵的泡腾作用将诱食物质在水中迅速进行扩散，由于泡腾饵均为绿色安全可食用成分，可以有效避免含有影响诱鱼饵的其他矫味饵的加入
一种泡腾型诱鱼饵

[发明专利]包括鳍结构的半导体器件及其制造方法-CN201610008406.3有效
发明人：蔡俊雄;王参群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍结构包括沟道层。Fin FET器件还包括栅极结构，栅极结构包括栅电极层和栅极介电层，栅极结构覆盖鳍结构的部分。侧壁绝缘层设置在栅电极层的两个主要侧面上方。Fin FET器件包括源极和漏极，其各自包括设置在凹槽中的应力源层，凹槽通过去除未被栅极结构覆盖的鳍结构形成。应力源层包括按照该顺序形成的第一应力源层和第二应力源层。在源极中，在第一应力源层和沟道层之间的界面位于邻近源极或栅电极的侧壁绝缘层之一的下方。本发明实施例涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。
包括结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010760778.8在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括共享接触区，基底上有栅极结构，栅极结构顶部有栅极盖帽层，栅极结构两侧有源漏掺杂区，源漏掺杂区顶部有堆叠的源漏互连层和源漏盖帽层；刻蚀共享接触区的源漏盖帽层或栅极盖帽层，形成贯穿源漏盖帽层或栅极盖帽层的第一沟槽；在第一沟槽中形成牺牲层，牺牲层的耐刻蚀度小于源漏盖帽层的耐刻蚀度；形成覆盖牺牲层、栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；在共享接触区中，刻蚀栅极结构顶部的顶部介质层、栅极盖帽层和牺牲层，或者，顶部介质层、牺牲层和源漏盖帽层，形成与第一沟槽相连通的第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成共享接触插塞。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种异构数据集成平台-CN201711254488.0有效
发明人：韩伟;杨培锋 -专利权人：广东奥飞数据科技股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G06F16/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种异构数据集成平台，用于对各个异构数据源进行无缝连接，所述平台包括应用系统、虚拟数据层和数据源层，所述应用系统用于对接访问接口和通过虚拟数据层管理各个节点数据源；所述虚拟数据层用于将若干个分布的、独立的异构数据源集成管理；所述数据源层用于接收异构数据源。本发明一种异构数据集成平台，将平台分割为应用系统、虚拟数据层和数据源层，对各个异构数据源进行无缝连接，采用抽象对象的方法，向上层应用系统屏蔽各种数据源的底层差别。
一种数据集成平台

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011094542.1在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、栅极盖帽层、侧墙、源漏掺杂区、底部介质层、源漏接触层以及源漏盖帽层；在底部介质层上形成顶部介质层，覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层和侧墙；形成贯穿第一区域的顶部介质层和源漏盖帽层的源漏通孔，暴露出源漏接触层的顶面；形成贯穿第二区域的顶部介质层和栅极盖帽层的栅极通孔，暴露出栅极结构的顶面；其中，在形成源漏通孔和栅极通孔中任意一个或两个的步骤中，去除对应区域的部分高度侧墙，形成位于对应通孔侧壁上且覆盖侧墙顶部的刻蚀阻挡层；形成位于栅极通孔中的栅极插塞以及位于源漏通孔中的源漏插塞。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]存储元件、制造存储元件的方法以及存储装置-CN201210210924.5有效
发明人：紫牟田雅之;保田周一郎;水口徹也;大场和博;荒谷胜久 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置，其中所述存储元件依次包括第一电极、存储层以及第二电极。所述存储层包括电阻变化层，其设置在第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在第二电极侧。所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上并设置在电阻变化层侧，并且所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在第二电极侧。根据本发明，离子源层可免于劣化，且存储元件的耐热性提高。换言之，所形成的存储装置的可靠性高。
存储元件制造方法以及装置

[发明专利]一种口腔微泡含片及其制备方法-CN202111332516.2在审
发明人：车虹昌;董长勇;刘洪;于皎雪 -专利权人：大连双迪科技股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： A61K9/24 文献下载
摘要：一种口腔微泡含片，属于以酸源和碱源为基础配方的微泡含片制备技术领域，酸源层主要是由异麦芽酮糖醇/麦芽糖醇、无水柠檬酸和酸源层三氯蔗糖/酸源层甜菊糖苷制作而成的。碱源层主要是由山梨糖醇、碳酸氢钠、抗坏血酸和碱源层三氯蔗糖/碱源层甜菊糖苷制作而成的。制作方法：酸源层和碱源层分别混料分层压片。
一种口腔含片及其制备方法

[发明专利]一种选择性刻蚀的LDMOS器件的制造方法-CN201710066412.9有效
发明人：柳志亨;郑志星;乔伊·迈克格雷格 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种制造位于半导体衬底上的阱区内的LDMOS器件的方法，包括：通过阱区之上的多晶硅层窗口，在阱区内形成体区和源极层，其中体区具有比源极层更深的结深；在多晶硅层窗口内侧的侧壁处形成间隔；以及通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，其中源极层中位于间隔正下方的区域在源极层被刻蚀的过程中受到保护，并被定义成LDMOS器件的源极区。源极区宽度由间隔的厚度决定。本发明采用间隔和选择性刻蚀形成较窄的N+/P+/N+源极/体区，从而既减小了源极区，又有效降低了制造LDMOS的成本。
一种选择性刻蚀 ldmos 器件制造方法

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