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[发明专利]开关器件和存储装置-CN201680017522.X有效
发明人： 大场和博;清宏彰;野野口诚二;曾根威之;五十岚实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：根据本技术的一个实施例的开关器件包括第一电极、布置成面对第一电极的第二电极以及被布置在第一电极与第二电极之间的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。对于开关层，第一区域靠近第一电极，第二区域比第一区域更靠近第二电极，这两个区域的硫族元素的组成比或硫族元素的类型彼此不同。
开关器件存储装置

[发明专利]开关器件和存储装置-CN201680017534.2有效
发明人：清宏彰;大场和博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：根据本技术的一个实施例的开关器件包括：第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间布置的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。开关器件还包括与开关层的表面的至少一部分接触并且抑制氧向开关层中扩散的扩散抑制层。
开关器件存储装置

[发明专利]选择性元件、存储器胞元和存储装置-CN201680008329.X有效
发明人： 大场和博;五十岚实 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种选择性装置包含第一电极、第二电极、开关装置和非线性电阻性装置。第二电极被设置成面向第一电极。开关装置设置在第一电极与第二电极之间。非线性电阻性装置含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种。非线性电阻性装置串联耦接到开关装置。
选择性元件存储器存储装置

[发明专利]开关元件和存储装置以及存储器系统-CN201980015100.2在审
发明人： 大场和博;清宏彰;保田周一郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的开关元件设置有：第一电极；第二电极，布置成面对所述第一电极；和开关层，布置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包含选自硫(S)、硒(Se)和碲(Te)的至少一种硫族元素，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包含锗(Ge)、磷(P)和砷(As)中的至少一种作为添加元素，并且还包含碳(C)。
开关元件存储装置以及存储器系统

[发明专利]开关元件、存储装置和存储器系统-CN201980015640.0在审
发明人：清宏彰;大场和博;保田周一郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的开关元件设置有：第一电极；第二电极，被布置为面对所述第一电极；和开关层，布置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包含选择硒(Se)、锗(Ge)和硅(Si)中的至少一种元素，同时包含硼(B)、碳(C)、镓(Ga)和砷(As)。
开关元件存储装置存储器系统

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201880086971.9在审
发明人： 大场和博;野野口诚二;清宏彰;曾根威之;五十岚实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的存储元件设置有：第一电极；布置成与第一电极对置的第二电极；和存储层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素、过渡金属以及氧。存储层具有非线性的电阻特性以及整流特性，以使得当施加电压大于或等于预定阈值电压时获得低电阻状态，并且当施加电压是小于预定阈值电压的电压时获得高电阻状态。
存储元件装置

[发明专利]选择器件和存储装置-CN201880027401.2在审
发明人：五十岚实;曾根威之;野野口诚二;清宏彰;大场和博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供了根据本公开的一个实施例的选择器件，该选择器件具有：第一电极；与第一电极对置的第二电极；半导体层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括从碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中选择的至少一种硫族元素，以及包括从硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、磷(P)、砷(As)、碳(C)、锗(Ge)和硅(Si)中选择的至少一种第一元素；以及第一热旁路层，其具有比半导体层高的热导率，并且设置在第一电极和第二电极之间、在半导体层的外围的至少一部分中。
第一电极第二电极半导体层选择器件硫族元素热导率对置旁路半导体外围

[发明专利]存储设备-CN201880021327.3在审
发明人：野野口诚二;荒谷胜久;大场和博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：按照本公开的一个实施例的存储设备包括：沿一个方向延伸的多个第一配线层，沿另一个方向延伸的多个第二配线层，和多个存储器单元，所述多个存储器单元设置在其中所述多个第一配线层和所述多个第二配线层彼此相对的相应对向区域中。所述多个存储器单元各自包括选择元件层、存储元件层、和设置在所述选择元件层与所述存储元件层之间的中间电极层。所述选择元件层、存储元件层和中间电极层中的一个或多个是在所述多个存储器单元之间共有的公共层，其中所述多个存储器单元彼此相邻并沿所述一个方向或另一个方向延伸。所述中间电极层包括非线性电阻材料。
存储器单元配线层存储元件层中间电极层方向延伸选择元件非线性电阻材料彼此相对存储设备公共层对向

[发明专利]开关装置、存储设备和存储器系统-CN201780058101.6在审
发明人：清宏彰;大场和博;曾根威之;野野口诚二;五十岚实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的开关元件设置有第一电极、被排列为面向第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的开关层。开关层包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素以及选自磷(P)和砷(As)中的至少一种第一元素，同时另外地包括选自硼(B)和碳(C)中的至少一种第二元素和/或选自铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种第三元素。
第一电极第二电极开关层存储器系统存储设备开关元件硫族元素

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201380066176.0有效
发明人：清宏彰;大场和博;野野口诚二 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本技术提供了存储元件和存储装置，它们使得能够提高在低电流写入时的电阻值保持性能。本技术的存储元件包括依次布置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括离子源层和电阻变化层。所述离子源层含有：从元素周期表的第4族、第5族和第6族之中选出的至少一种过渡金属元素；从碲(Te)、硫(S)和硒(Se)之中选出的至少一种硫族元素；以及硼(B)和碳(C)中的至少一种。所述电阻变化层具有通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压而被改变的电阻。
存储元件装置

[发明专利]电路元件、存储装置、电子设备、将信息写入到电路元件中的方法以及从电路元件读取信息的方法-CN201780035470.3在审
发明人：五十岚实;野野口诚二;曽根威之;清宏彰;大场和博;奥野润 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供一种电路元件、存储装置、电子设备、将信息写入到电路元件中的方法以及从电路元件读取信息的方法。所述电路元件包括：成对惰性电极；以及开关层，所述开关层设置在所述成对惰性电极之间，配置为作为单个层充当选择元件和存储元件，并且在电流‑电压特性中具有微分负阻区域。
电路元件存储装置电子设备读取信息惰性电极信息写入开关层成对存储元件电压特性选择元件单个层负阻配置

[发明专利]存储器件及存储设备-CN201310231154.7有效
发明人：清宏彰;大场和博;曾根威之;五十岚実 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明期望提供能够减小多个器件之间的电导值偏差的一种存储器件及包括所述存储器件的存储设备，所述存储器件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。所述第一电极、所述存储层及所述第二电极依次设置。所述离子源层包含可移动元素，并具有约150mΩ·cm～约12000mΩ·cm（包括端值）的体积电阻率。
存储器件设备

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201310093311.2有效
发明人：清宏彰;大场和博;曾根威之;五十岚实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件和存储装置，该存储元件包括第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。第一电极、存储层和第二电极以该顺序提供。离子源层至少包括硫族元素、氧和一种或多种过渡金属元素，该过渡金属元素选自由元素周期表的第4、5和6族元素构成的组。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210174839.8有效
发明人：水口彻也;保田周一郎;紫牟田雅之;大场和博;荒谷胜久 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储元件和包含该存储元件的存储装置，所述存储元件包括设置在第一电极和第二电极之间的存储层。所述存储层包括离子源层，其包含一种以上金属元素以及碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种以上硫族元素；以及电阻变化层，其设置在离子源层和第一电极之间，所述电阻变化层包括含有碲和氮(N)且与离子源层接触的层。本发明的存储元件和存储装置能够提供良好的保持特性和改进的重复操作特性。
存储元件装置

[发明专利]存储元件、制造存储元件的方法以及存储装置-CN201210210924.5有效
发明人：紫牟田雅之;保田周一郎;水口徹也;大场和博;荒谷胜久 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置，其中所述存储元件依次包括第一电极、存储层以及第二电极。所述存储层包括电阻变化层，其设置在第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在第二电极侧。所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上并设置在电阻变化层侧，并且所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在第二电极侧。根据本发明，离子源层可免于劣化，且存储元件的耐热性提高。换言之，所形成的存储装置的可靠性高。
存储元件制造方法以及装置

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