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[发明专利]一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器-CN202111645834.4有效
发明人：康凯;刘润宇;余益明;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明属于无线通信技术领域，具体提供一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器，用以解决现有中频放大器高频增益有待提高的问题。本发明由两部分组成：其一为由MOS管M1与M2、负载Load1与Load2、负载电容CL1与CL2构成的共源极差分放大器，其二为由耦合电容C1与C2、偏置电阻R1与R2组成的体漏交叉耦合结构；本发明在传统的共源极放大器结构基础上，通过引入体漏交叉耦合技术：将差分对一侧MOS管的漏极通过耦合电容连接到另一侧MOS管的体电极、同时再通过偏置电阻为体电极提供静态偏置，有效地提高了放大器的高频增益，减缓了负载大电容造成的增益随频率降低难题；并且，在提高高频增益的同时无需牺牲输出电压摆幅和功耗。
一种带体漏交叉耦合技术增益中频放大器

[发明专利]一种跨导增强型毫米波低噪声放大器-CN201911264669.0有效
发明人：康凯;朱家弘;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明属于通信技术领域，涉及低噪声放大器(LNA)，具体为一种跨导增强型毫米波低噪声放大器。本发明采用基于变压器的跨导增强性差分共源共栅极结构，具有更好的可拓展性，通过调谐Lg、Ls、Cg与晶体管M1、M2、M3、M4的参数，能够实现各个毫米波频段的应用；同时，在共源共栅级上管的栅极引入电容Cg，降低了跨导增强变压器的反馈作用，以极大改善低频稳定性；另外，在匹配方面由于变压器的电感特性，改善了阻抗的虚部特性，其结果更有利于阻抗匹配，降低了匹配电路的损耗。综上，本发明巧妙地降低了低频时的反馈效应，极大地提升了低频稳定性，并且阻抗值适中，对级间匹配影响小，能够较好得应用于V波段、W波段等高频段。
一种增强毫米波低噪声放大器

[发明专利]一种新型毫米波宽带高增益功率放大器-CN202010173781.X有效
发明人：康凯;黄趾维;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明属于高频毫米波设备与技术领域，具体为一种新型毫米波宽带高增益功率放大器，主要包括：差分共源级放大器、以及交叉连接在差分共源级放大器的栅漏两端的两个LC谐振电路。本发明通过在差分共源电路的栅漏两端交叉连接谐振电路，通过谐振电路及其在高频时的等效中和电容作用，得到了双峰Gmax曲线，极大地拓展了放大器的带宽，并提高了高频增益；由于采用电感、电容并联构成的谐振电路代替了传统结构中的三段传输线，大大简化了电路结构，降低了设计复杂度；同时，本发明将传统的单端结构扩展为差分结构，增大了输出电压摆幅，从而提高了输出功率；使得该结构的功率放大器更有利于工程中的实际应用。
一种新型毫米波宽带增益功率放大器

[发明专利]一种基于77GHz毫米波雷达的微带梳形天线-CN202310458641.0在审
发明人：唐红艳;周佳;王崎睿;王培元;李耘;吴韵秋;康凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明属于天线技术领域，具体提供一种基于77GHz毫米波雷达的微带梳形天线，用以同时满足小型化、低成本、高增益、低副瓣的要求。本发明包括介质基板、天线阵列及馈电结构，天线阵列与馈电结构设置于介质基板的同一表面；馈电结构包括功分器与馈电微带线，功分器的输入端通过馈电微带线与外部射频芯片连接，功分器的输出端与天线阵列连接；天线阵列由M根微带梳形线阵构成，每根微带梳形线阵采用相同结构、且与功分器的输出端一一对应连接。本发明通过微带梳形线阵的创造性结构设计，使得阵列天线具备更大的天线口径，在提供较大阻抗带宽的同时，实现波束更窄、增益更高、副瓣电平更低的优异性能。
一种基于 77 ghz 毫米波雷达微带天线

[发明专利]一种集成温度校准的片上电磁传感器-CN202210264599.4有效
发明人：康凯;于松立;刘辉华;吴韵秋;赵晨曦;余益明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：本发明属于电磁传感器技术领域，具体提供一种集成温度校准的片上电磁传感器，用以解决现有片上电磁传感器中面临的温度影响灵敏度与使用寿命的问题。本发明在CMOS工艺下实现了温度传感器与电磁传感器的全集成设计，并且，温度传感器产生低功耗温度感应PTAT基准电流，并作为霍尔传感器偏置电流使其与温漂电流抵消，有效降低温度对电磁感应电压的影响，即实现霍尔传感器的温度校准；同时，采用环形振荡器在PTAT电流驱动下输出PTAT感应频率，并作为时钟处理电路的内部时钟信号，既能节约外部晶振，又能实现开关电容低通滤波器的温度自适应滤波；另外，温度传感器与电磁传感器增加PD控制端，实现断电芯片保护。
一种集成温度校准电磁传感器

[发明专利]一种具有单转差功能的超宽带毫米波低噪声放大器-CN202310787831.7有效
发明人：刘依玟;余益明;段东铭;赵晨曦;吴韵秋;康凯 -专利权人：成都通量科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单转差功能的超宽带毫米波低噪声放大器，属于无线通信技术领域，包括依次连通的单转差放大电路、第一级缓冲电路、第一级间匹配电路、第二级缓冲电路、第二级间匹配电路。单转差放大电路用于对单端输入信号RFin放大并转换为差分信号，完成阻抗和噪声匹配同步实现；第一级缓冲电路与第二级缓冲电路结构相同，均用于对所述单转差放大电路输出的差分信号进行滤波放大处理和相位幅度调整；第一级间匹配电路与第二级间匹配电路结构相同，均用于实现级间和输出匹配、进一步平衡差分信号的相位幅度并输出差分信号。本发明能够实现超宽带低噪声放大器的设计，并且在较大带宽内具有优异的单转差分性能。
一种具有单转差功能宽带毫米波低噪声放大器

[发明专利]一种基于成品率负载牵引系统的芯片设计方法及系统-CN202010211261.3有效
发明人：徐跃杭;毛书漫;吴韵秋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于成品率负载牵引系统的芯片设计方法及系统。该方法包括：设置成品率阈值、源阻抗值和负载阻抗对应的Smith圆图扫描范围；确定Smith圆图扫描范围内的负载阻抗点；根据源阻抗值和各负载阻抗点对应的阻抗信息，调用ADS中的谐波平衡仿真器，确定多个样本器件在特定源阻抗条件下，各负载阻抗点的输出特性；以样本器件的输出特性满足成品率阈值为原则，确定各负载阻抗点对应的器件成品率；计算样本器件在各负载阻抗点处的各输出特性的均值；结合各负载阻抗点对应的器件成品率以及各负载阻抗点对应的各输出特性的均值，确定最佳负载阻抗；根据最佳负载阻抗进行芯片设计。本发明能够减小电路设计调谐优化中的随机性，降低芯片的设计制造成本。
一种基于成品率负载牵引系统芯片设计方法

[发明专利]一种抵消金丝键合线高频效应的阻抗匹配网络设计方法-CN202310313274.5在审
发明人：李志恒;康凯;余益明;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明属于射频微波电路技术领域，提供一种抵消金丝键合线高频效应的阻抗匹配网络设计方法，用以消除金丝键合线带来的阻抗失配的影响从而减小射频信号传输过程中的损耗。本发明采用将复数负载阻抗等效为纯实数负载阻抗、阻抗匹配的条件分为实部和虚部分别构建约束方程两种方法，降低阻抗匹配的难度。本发明采用阻抗匹配的频率与传输线的电长度一一对应和多频阻抗匹配的频率取值接近两种方法，使得多频、宽带阻抗匹配网络的实现简单易行。本发明可以依靠理论推导准确设计出多频、宽带的阻抗匹配网络抵消金丝键合线的高频效应，具有设计步骤简单明确和降低多频、宽带的射频微波电路设计难度等优点。
一种抵消金丝键合线高频效应阻抗匹配网络设计方法

[发明专利]一种太赫兹波段的四倍频器-CN202310474362.3在审
发明人：康凯;余益明;刘岗;曾庆凡;刘辉华;赵晨曦;吴韵秋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明属于毫米波通信技术领域，涉及太赫兹频段通信系统的本振信号源中倍频器，具体提供一种太赫兹波段的四倍频器，用以解决传统级联结构的四倍频器在太赫兹波段存在的诸多问题。本发明包括：输入匹配巴伦、输入级驱动放大器(DA1)、第一级倍频器(FD1)、级间驱动放大器(DA2)、第二级倍频器(FD2)与输出匹配网络，通过四级级联结构设计，匹配倍频级的优化改进、引入槽线巴伦结构作为两级倍频级之间的级联结构，有效提高注入信号，提升倍频级的转换增益，从而提升电路整体的性能；综上，本发明提出的太赫兹波段四倍频器不仅具有较高的转换增益和效率，而且谐波抑制度性能优异，并且芯片面积小、功耗低。
一种赫兹波段倍频器

[发明专利]一种基于埋栅结构的改进型石墨烯气体传感器-CN202310496657.0在审
发明人： 吴韵秋;徐涛;刘辉华;赵晨曦;余益明;张青风;康凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明属于气体传感技术领域，具体提供一种基于埋栅结构的改进型石墨烯气体传感器，用以解决传统背栅结构石墨烯气体传感器存在的栅控能力差的问题。本发明提出埋栅结构，将栅极金属层埋嵌设置于硅衬底层的矩形凹槽内，同时引入三氧化二铝作为栅极电介质，能够大幅减小栅极电介质的厚度并增大栅极电介质的相对介电常数，从而提高器件的栅控能力；并且，埋栅结构实现栅极金属层的图形化，保证栅极金属与漏、源极金属在垂直方向上无重叠部分，有效提高气体传感器的可靠性；另外，埋栅结构能够保证石墨烯层的反应面积，保证器件响应度好，且具有面积小、可微型化集成为传感器阵列的优点。
一种基于结构改进型石墨气体传感器

[发明专利]一种具有双频轨道角动量性能的太赫兹片上天线-CN202310441688.6在审
发明人：唐红艳;王崎睿;周佳;王培元;李耘;吴韵秋;康凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明属于无线通信中的天线领域，提供一种具有双频轨道角动量性能的太赫兹片上天线，包括：硅衬底层1及其上设置的二氧化硅层2，二氧化硅层2中设置接地金属层3、馈电金属层4与辐射金属层5；辐射金属层采用开缝圆形贴片阵列，阵列沿中心呈90°旋转对称结构，由四个开缝圆形贴片单元构成，每个开缝圆形贴片单元的圆心处开设有十字形缝隙；馈电金属层为四个开缝圆形贴片单元进行同相馈电。本发明提出新的开缝圆形贴片阵列及匹配的功分同相馈电网络，实现天线OAM性能，得到双频轨道角动量太赫兹片上天线，能够同时发射160GHz和167GHz左右的轨道角动量电磁波，应用在通信领域中能够有效节约频谱资源，提高信道容量和频谱效率。
一种具有双频轨道角动量性能赫兹天线

[发明专利]一种基于互补型MOS管的双向有源混频器-CN202111645852.2有效
发明人：康凯;刘润宇;余益明;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03D7/12 文献下载
摘要：本发明属于双向收发机技术领域，具体提供一种基于互补型MOS管的双向有源混频器，用以解决现有无源环形混频器会在链路中引入较大损耗、需要较大的本振信号等问题。本发明将PMOS管和NMOS管并联构成一MOS管对，共四个MOS管对构成双平衡有源混频器结构；每一个MOS管对中，NMOS的源极与PMOS的漏极相连接入射频信号，NMOS的漏极与PMOS的源极相连接入中频信号，栅极施加反相的本振信号；射频信号经过NMOS的源极到漏极变为中频信号输出，中频信号经过PMOS的源极到漏极变为射频信号输出，即实现双向混频、且无需额外的开关控制切换变频模式；同时，本发明具有共栅极放大器和正反馈的结构，能够在实现双向混频的同时提供增益，改善链路性能。
一种基于互补 mos 双向有源混频器

[发明专利]一种新型宽可变增益低相移可变增益放大器-CN202010095795.4有效
发明人：康凯;刘沛然;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：本发明属于无线通信技术领域，涉及可变增益放大器(VGA)，具体为一种新型宽可变增益低相移可变增益放大器。本发明采用两个可变增益级串联结构，并使用电流复用结构，显著提高了放大器的可调增益范围；并且，两级可变增益级可以分别由不同的外部电源控制；同时，采用本发明宽可变增益低相移可变增益放大器结构，能够在版图中加入电容消除技术，显著降低各端口耦合电容对于放大器相位的影响，降低可变增益放大器的插入相移。综上，本发明在保证宽可变增益的同时，简化了电路结构，降低了插入相移。
一种新型可变增益相移放大器

[发明专利]一种电磁热可靠性寿命分析方法-CN202110799885.6有效
发明人：徐跃杭;王欢鹏;吴韵秋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种电磁热可靠性寿命分析方法，属于射频微系统领域，具体为：先获得互连结构的S参数结果，构造互连结构等效电路，提取等效电阻；然后进行可靠性寿命预测，具体先设置变量参数，参数化建模几何模型；然后以热‑力直接耦合单元为计算单元，对几何模型进行网格划分；再对互连结构施加输入功率，计算得到发热功率；设定对称边界条件，施加温度冲击载荷条件；以Anand粘塑性模型为本构模型，对几何模型进行结构场的瞬态仿真求解，进而得到温度冲击载荷条件下危险焊球积累的粘塑性应变能量密度增量；最后以Darveaux寿命预测模型为寿命模型，获得互连结构的可靠性预测寿命。通过施加输入功率，将热效应考虑到可靠性仿真中。
一种电磁可靠性寿命分析方法

[发明专利]一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法-CN202010154839.6有效
发明人：徐跃杭;毛书漫;吴韵秋;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法，涉及电子信息‑信息技术领域。针对现有技术存在的问题，本发明提供一种微波氮化镓高电子迁移率晶体管准物理基大信号模型的器件统计模型高效参数提取的实现方法。本发明通过获取包含多个尺寸相同的不同GaN器件管芯对应的大信号模型参数数据集，并在参数数据集中，对多个物理参数及其子模型参数进行统计分析，结合因子分析的统计学理论，精确表征各参数之间的关联特性，最终实现对器件输出特性统计分布的预测。
一种微波晶体管物理统计模型参数提取方法

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