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[发明专利]一种高致密度的银靶材的制备方法-CN202310933155.X在审
发明人：唐安泰;唐智勇;程波 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高致密度的银靶材的制备方法，包括以下步骤：将球磨剂热改进处理，处理结束，得到热改进料；随后将热改进料进行均细化变性处理，处理结束，即可得到本发明的银靶材。本发明银靶材采用改性调节剂进行球磨改性，得到球磨剂，再配合热改进处理，最后再均细化变性处理，得到靶材料，改性调节剂采用硅灰石经过壳聚糖水溶液配合，经过硝酸钇、羧甲基纤维素调节制备，通过硅灰石经过优化，球磨调节银原料，提高原料产品的致密度。
一种致密银靶材制备方法

[发明专利]一种高纯铝靶材的制备方法-CN202310901827.9在审
发明人：唐安泰;唐智勇;程波 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯铝靶材的制备方法，包括以下步骤：采用硼酸铝晶须复调壳聚糖液进行喷洒处理，喷洒至步骤二产物完全润湿，结束；将步骤三的产物置于310‑320℃下热处理10‑20min，然后于盐浴剂中处理10‑20min，处理结束；最后再热温化改进处理，处理结束，得到高纯铝靶。本发明高纯铝靶材采用纯铝经过溶化、冷却形成铝锭体，再通过步骤二的热处理先优化、活化产品的活性度，再恒温冷却，使产品性能温和，从而使产品的晶粒尺寸、致密性以及导电性得到协调改进。
一种高纯铝靶材制备方法

[发明专利]电解法制备高活性氧化铟的方法、ITO靶材的制备方法-CN202210031235.1有效
发明人：唐安泰 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C25B1/01 文献下载
摘要：本发明所提供了一种电解法制备高活性氧化铟的方法、ITO靶材的制备方法，电解法制备高活性氧化铟的方法包括以下步骤：(1)金属铟为阳极，导电基体为阴极，硝酸铵水溶液为电解液进行电解，得到氢氧化铟沉淀；温度控制在25～45℃之间，电流密度为15～20A/dm2，电压为0.35～0.45V；(2)将氢氧化铟沉淀水洗、压滤、干燥，得氢氧化铟；(3)煅烧。ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：1)采用上述方法制备氧化铟；2)将氧化铟及氧化锡混匀，加水球磨，喷雾干燥造粒，得粉料；3)将粉料进行冷等静压成型；4)气氛烧结。本发明先通过优化的制备工艺，制备出高活性氧化铟粉末，再将该高活性氧化铟与氧化锡经混合球磨、造粒成型、气氛烧结可得到高密度ITO靶材。
解法制备活性氧化方法 ito

[发明专利]一种提高ITO靶材初坯致密度的制备设备-CN202210292313.3有效
发明人：唐安泰 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B28B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高ITO靶材初坯致密度的制备设备，包括上模框、第一移动支架、转动组件及升降组件；所述上模框中滑动设置有压板，所述压板与所述第一移动支架之间通过伸缩油缸连接，所述伸缩油缸的外部套设有第一弹性件；所述升降组件设置有两个分别设置在所述第一移动支架的两侧并与所述上模框之间相连接；所述转动组件设置在所述第一移动支架上，所述转动机构的两侧分别与两个所述升降组件之间传动连接；该装置通过转动组件、升降组件及真空机之间的配合，利用大气压完成进料按压，在按压材料的过程中不断提高第一移动支架的高度，经过反复的加料挤成型可将材料中气泡完全排除，并且反复的挤压可以将材料挤压的更加紧实，进而增加成型件密度。
一种提高 ito 靶材初坯致密制备设备

[发明专利]一种低阻高透过率ITO导电膜-CN202210482603.4有效
发明人：唐安泰 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种低阻高透过率I TO导电膜，属于导电膜技术领域，包括以下重量份原料：改性纳米氧化铟锡6‑15份、水85‑94份、表面活性剂0.4‑1.2份。所述表面活性剂由改性聚乙二醇和十二烷基硫酸钠按照质量比为10:1‑3混合组成；所述改性聚乙二醇包括以下步骤制成：将超支化环氧树脂和聚乙二醇混合均匀后，加入氢氧化钠，调节溶液pH值为10‑11，然后加热至80‑95℃，搅拌反应8‑12h，经后处理，得改性聚乙二醇。所述改性聚乙二醇是接枝有聚乙二醇的超支化聚醚，具有大量含有醚键、羟基的空腔，且改性氧化铟锡表面的环氧基和空腔中含有的羟基发生化学键连，进一提高了改性氧化铟锡在水中分散的稳定性。
一种低阻高透过 ito 导电

[发明专利]一种回收率高的ITO废靶粉末还原方法及设备-CN202210406170.4有效
发明人：唐智勇 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种回收率高的ITO废靶粉末还原方法及设备，属于稀有合金分离回收设备技术领域，包括以下步骤：S1、在还原炉中将废靶粉料进行还原，得到金属铟和金属锡，S2、将金属铟和金属锡铸型成铟锡合金，S3、通过还原设备将铟锡合金表层的氧化层去除，S4、通过还原设备对铟锡合金进行电解，S5、通过还原设备将分离后的锡与铟进行收集，本发明通过启动驱动电机驱动螺杆，将第一移动盒与第二移动盒内电解后的锡与铟排放至收集箱中，在螺杆转动的同时使筒形钢刷对铟锡合金的表层进行打磨，完成对锡、铟的收集以及对铟锡合金的打磨，提高后期电解与收集效率，另外在第一移动盒与第二移动盒上升与下降的同时将收集箱内的液体过滤。
一种回收率 ito 粉末还原方法设备

[发明专利]一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法-CN202210424379.3有效
发明人：唐智勇 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法，涉及靶材制备技术领域，将铝离子、镓离子、锌离子以及铟离子分别加入电解液内进行电解以得到电解所得铝、电解所得镓、电解所得锌以及电解所得铟，而后对各电解所得物水解后进行甩干处理，将甩干后的电解所得铝、电解所得镓、电解所得锌以及电解所得铟进行加热以获得前驱体，再对前驱体进行煅烧处理以获得高纯氧化铝粉末、高纯氧化镓粉末、高纯氧化锌粉末以及高纯氧化铟粉末，得到了高纯度的金属氧化物粉末，在靶材制作的过程中，使得该高纯氧化物在制备靶材时，在致密度、电阻率以及载离子迁移率方面得到显著提升。
一种用于制作高纯氧化物制备方法

[发明专利]一种用于管状靶材的真空烧结系统-CN202210265521.4有效
发明人：唐智勇 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： F27B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于管状靶材的真空烧结系统，第一压盖设置有第一模具，第二压盖设置有第二模具，第一模具与第二模具配合用于成型，第一保温壳与第二保温壳形成的加热腔内设置有加热装置；第一压盖设置在机架上，第二压盖固定连接在加压装置的输出端，加压装置固定连接在机架上；加压装置包括恒压装置和反馈装置，恒压装置用于提供稳定压力，反馈装置用于提供附加压力；通过反馈系统以位置为依据，当第一模具逐渐靠近第二模具时，反馈装置提供的附加压力逐渐变大，使素坯所受压力在烧结过程为逐渐变大，较小的初始力避免过早得出较大的晶粒，靶材烧结过程中各部位的累积受力的差异缩小，从而使各部位的晶粒的大小趋于均匀。
一种用于管状真空烧结系统

[发明专利]一种工艺控制精准的高密度ITO坯体烧结方法-CN202211362137.2有效
发明人：唐安泰;唐智勇 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及ITO坯体烧结技术领域，具体公开了一种工艺控制精准的高密度ITO坯体烧结方法，包括以下步骤：步骤一：取ITO粉55‑65重量份、改性羟基磷灰石3‑6份；步骤二：将步骤一中的原料混匀，然后加入到2‑3倍的石墨烯复配纳米二氧化硅改性液中，搅拌反应处理，步骤三：选择基体，然后溅射处理；步骤四：最后再烧结处理，烧结温度为1550‑1650℃，烧结时间为25‑35min，烧结结束，冷却室温，得到高密度ITO坯体。本发明改性羟基磷灰石、石墨烯复配纳米二氧化硅改性液二者原料之间协配增效，增强产品的密度和透射性能，提高产品的使用效率。
一种工艺控制精准高密度 ito 烧结方法

[发明专利]一种提高纳米ITO粉末性能的前处理装置及方法-CN202211600128.2在审
发明人：唐智勇;唐安泰 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米ITO粉末前处理技术领域，尤其是一种提高纳米ITO粉末性能的前处理装置及方法，针对现有技术中需要人工手动进行配比，将铟盐和锡盐一次性投入烧杯中，烧杯中的混合液容易飞溅而出的问题，现提出如下方案，其包括：工作台和烧杯，所述工作台的顶部固定连接有放置盘，且烧杯放置在放置盘的顶部，投料结构，设置工作台内，用于向烧杯内定时投放铟盐和锡盐，配比结构，用于自动完成铟盐和锡盐的配比，本发明中，能够通过控制两个排料嘴内的排料孔的内径大小完成铟盐和锡盐投放量的配比，且通过双向丝杆带动移动杆往复转动，能够使放置瓶向烧杯内逐步投放铟盐和锡盐，方便铟盐和锡盐在烧杯中充分混合。
一种提高纳米 ito 粉末性能处理装置方法

[发明专利]一种利用ITO废靶回收制备装置及工艺-CN202211431360.8在审
发明人：唐安泰;唐智勇 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B09B3/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用ITO废靶回收制备装置，属于ITO废靶处理技术领域。包括输送机，所述输送机的两侧均固定连接有多个第一支撑板，多个所述第一支撑板的相对一侧固定连接有同一个第一连接板，所述第一连接板的顶部固定连接有两个第二支撑板，两个所述第二支撑板的相对一侧转动连接有第一转动环，所述第一转动环的内壁转动连接有料筒，所述料筒的外壁转动套设有第二转动环；本发明通过在料筒的内壁设置刮板可以对粘结在其内壁的材料进行刮除，然后通过凸轮带动滑动柱敲击料筒的外壁使其震动将粘结在料筒内壁的材料在出料时进一步清理，使其内部保持清洁，并且在出完料，自动对模具加料、烘干、压制，节省转运时间，便于使用。
一种利用 ito 回收制备装置工艺

[发明专利]一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法-CN202211362128.3在审
发明人：唐智勇;唐安泰 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： F27B9/16 文献下载
摘要：本发明属于ITO靶材生产技术领域，尤其是一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法，针对现有技术中坯体受热不均匀导致横向的烧结收缩率差异较大，靶材利用率低下，坯体下部与坯体其他部位受热存在差距，坯体的收缩阻力表现为收缩率从上到下呈梯度减小的问题，现提出如下方案，其包括：烧结炉，以及位于烧结炉内的承烧台，所述烧结炉内滑动连接有门板，所述烧结炉远离门板的一侧内壁固定连接有弧形限位板，所述承烧台的底部设有多个万向轮，本发明中，通过带动承烧台和胚体转动，使胚体在烧结炉内受热均匀，避免胚体出现变形，且扇叶转动将烧结炉内的热气向上吹动，避免坯体下部与坯体其他部位受热存在差距，使得胚体形状不可控。
一种避免浪费 ito 尺寸控制装置方法

[发明专利]高密度ITO靶材的制备方法-CN202210487844.8有效
发明人：唐安泰 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度I TO靶材的制备方法，属于光电材料制备技术领域，包括以下步骤：向去离子水中加入单体、交联组分和分散剂，搅拌均匀后用氨水调节pH至9‑10，得到预混液；向预混液中加入I TO粉体，球磨得到浆料，再加入引发剂和催化剂，混合后加入气干性助剂，搅拌均匀，得到I TO浆料；将I TO浆料浇注于模具中并在55‑70℃条件下干燥2‑5h固化成型，脱膜得到I TO坯体；将I TO坯体干燥、脱脂、烧结，得到高密度I TO靶材；本发明通过加入气干性助剂和交联组分，克服现有凝胶注模成型的I TO靶材坯体表面有氧阻聚问题，所得I TO坯体相比密度在75％以上，I TO靶材相对密度在99.9％以上。
高密度 ito 制备方法

[发明专利]一种基于冷等静压的靶材成型压制方法-CN202110141348.2有效
发明人：唐智勇 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于冷等静压的靶材成型压制方法，属于ITO靶材加工技术领域，该方法包括以下步骤：S1、ITO纳米粉的制备：在300℃以下的温度下，制得ITO纳米粉；S2、实心粉料的制备：将ITO纳米粉装入模具中，加压；然后从模具中取出ITO纳米粉，粉碎后过筛，形成ITO实心粉料；S3、ITO管状素坯的制备：将ITO实心粉料装入管状柔性模具中，经冷等静压制成ITO管状素坯；S4、ITO旋转靶材的制备：将ITO管状素坯放入氧气氛烧结炉中，通入氧气，保温烧结制成ITO旋转靶材。本发明解决了经冷等静压成型的ITO旋转靶素坯在成型、运输、加工等过程中容易出现开裂的问题。
一种基于静压成型压制方法

[发明专利]一种低温制备纳米ITO粉末的方法-CN202110141350.X有效
发明人：唐智勇 -专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制备纳米ITO粉末的方法，属于纳米ITO粉末加工技术领域，该方法包括以下步骤：S1、王水溶液的配制：将浓盐酸和浓硝酸按容积比l:3配成王水溶液；S2、溶解、混合：取40ml王水溶液，然后称取10‑20g金属铟和3‑5g四氯化锡使其依次溶于王水溶液中，搅拌均匀后，备用，得到混合物；S3、共沉淀：在搅拌下，将氢氧化钠溶液加入到步骤S2得到的混合物中，两者共沉淀后，得到氢氧化铟和氢氧化锡的胶体前驱物；S4、过滤、洗涤：用蒸馏水洗涤步骤S3得到的胶体前驱物2‑4次，得到铟锡氢氧化物；S5、反应。本发明解决了现有水热法制备工艺对设备耐温能力要求高的问题。
一种低温制备纳米 ito 粉末方法

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