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[发明专利]MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器-CN201210395263.8无效
发明人：蒋大勇;赵曼;梁庆成;高尚;赵建勋;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列，由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器，属于半导体光电技术领域本发明之MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器下电极位于硅衬底背面，MgZnO纳米线分布在硅衬底正面，上电极位于MgZnO纳米线上面，并与MgZnO纳米线欧姆接触，其特征在于，所述MgZnO纳米线竖直等高、整齐分布，构成MgZnO纳米线阵列。
mgzno 纳米阵列紫外光电探测器

[发明专利]射频磁控溅射法制备MgZnO日盲紫外光电探测器-CN202111479852.X在审
发明人：蒋大勇;赵曼;梁庆成;邓蕊;高尚;李昊达;孙佳梅;王美娇;翁思远;邢美焦;赵洪平;韩吉超 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的三明治结构MgZnO紫外光电探测器的方法，所需要解决的问题是制备三明治结构的MgZnO光电探测器，并尽量的简化制备方法使其适用于工业化生产。本项专利技术的三明治结构的MgZnO紫外光电探测器是由MgZnO层，MSM电极层和MgZnO层构成的。其特征在于有如下结构：在石英衬底1表面分别覆盖有不同Mg含量的MgZnO薄膜2；在MgZnO薄膜2的表面具有由金组成的MSM结构的电极3；在所述MSM结构的电极3上方有一层射频磁控法分别溅射的不同Mg含量的MgZnO薄膜4；MgZnO薄膜4覆盖了MSM结构的电极。
射频磁控溅射法制 mgzno 紫外光电探测器

[发明专利]紫外探测器及其制备方法-CN202010771531.6有效
发明人：曹培江;王庆;栾迪;吕有明;朱德亮;柳文军;韩舜;刘新科;许望颖;方明;曾玉祥 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请属于探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器的制备方法，包括步骤：获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。本申请紫外探测器的制备方法，实现了不同晶相组织晶种层均生长出高取向性的纳米棒阵列，提高MgZnO纳米棒阵列中表面/体积比，使制备的紫外探测器具有较高的响应度，更低暗电流，更高光暗电流比，紫外光探测性能好
紫外探测器及其制备方法

[发明专利]阵列紫外探测器-CN201611090673.6在审
发明人：庞倩桃 -专利权人：庞倩桃
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基紫外探测器及其制备方法，所述探测器包括基底、导电薄膜，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的Sm2O3@MgZnO阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的Sm2O3@MgZnO阵列上有至少一个P型欧姆电极；所述的Sm2O3@MgZnO阵列为MgZnO纳米管阵列和填充于MgZnO纳米管内的Sm2O3纳米线构成。由于本发明的核心结构为由MgZnO纳米管阵列和贯穿MgZnO纳米管的Sm2O3纳米线构成的阵列，可以充分提高光生载流子的利用率，具有外量子效率和灵敏度高、体积小巧等诸多优点。
阵列紫外探测器

[发明专利]一种MgZnO薄膜及其带隙调节方法和应用-CN202111535593.8在审
发明人：董美;林丽君;郭建军;季旭;刘同来;孔壹右;叶俊伟;李家蝉;梁志华;陈杰鑫;马佳升 -专利权人：仲恺农业工程学院
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及MgZnO薄膜带隙调节技术领域，具体涉及一种MgZnO薄膜及其带隙调节方法和应用，包括如下步骤，根据MgZnO薄膜的SEM图、AFM图、EDS图观察MgZnO薄膜；基于ALD技术低温生长技术获得MgZnO薄膜，并制备平面光电导型探测器；采用半导体参数分析仪测试平面光电导型探测器的特性；对器件进行光响应的开关测试；经过退货处理的样品进行透射谱测试分析，确定器件是否具有光谱选择性，如此能够避免薄膜出现分相
一种 mgzno 薄膜及其调节方法应用

[发明专利]一种利用MgZnO薄膜制作CIGS薄膜太阳能电池的方法-CN201610884016.2在审
发明人：张宁;余新平;赵莉;张亚飞;陈玉峰;李俊林 -专利权人：北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种利用MgZnO薄膜材制作CIGS薄膜太阳能电池的方法，该方法包含：步骤1，在钠钙玻璃上制备Mo层；步骤2，在Mo层上制备CIGS层；步骤3，在CIGS上制备CdS层；步骤4，在CdS层上制备MgZnO薄膜层；步骤5，对制备好的MgZnO薄膜进行退火处理；步骤6，在MgZnO层上制备掺铝氧化锌(AZO)层，构成CIGS薄膜太阳能电池器件。本发明所述MgZnO薄膜材料是指采用磁控溅射方法制备MgZnO薄膜层作为CIGS电池的高阻层，与传统的ZnO高阻层相比，本发明可以有效地增大对蓝光的吸收,增加光谱响应范围,提高CIGS薄膜太阳能电池的开路电压
一种利用 mgzno 薄膜制作 cigs 太阳能电池方法

[发明专利]一种紫外光探测器及制备方法-CN201810039958.X在审
发明人：李凯;韩舜;吕有明;朱德亮;柳文军;曹培江;许望颖;刘新科 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：其中，紫外光探测器包括：石英衬底、MgZnO薄膜、纳米Ag颗粒薄膜和Au薄膜，其中，所述MgZnO薄膜覆盖所述石英衬底，所述纳米Ag颗粒薄膜覆盖所述MgZnO薄膜，所述Au薄膜覆盖所述纳米Ag颗粒薄膜。通过形成纳米Ag颗粒，使得纳米Ag颗粒的震荡频率和MgZnO的带边耦合相匹配时，产生共振效应，进一步激化MgZnO的带边耦合，从而增强紫外光探测器的光电转换效率，并提高紫外光探测器的响应度。
紫外光探测器颗粒薄膜耦合石英衬带边制备半导体材料光电转换效率薄膜覆盖共振效应器件制备震荡频率响应度覆盖薄膜匹配

[发明专利]一种立方结构MgZnO薄膜及其制备方法-CN201610387144.6在审
发明人：韩舜;吕有明;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;刘新科;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，提供了一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：制备Mg_0.5Zn_0.5O靶材；将衬底放入腔体内，加热所述衬底至700℃，通入氧气以控制所述腔体压强，然后采用所述靶材，在所述衬底上进行进行脉冲沉积，获得立方结构(111)取向MgZnO薄膜；所述衬底为(111)取向单晶MgO衬底。本发明还提供了一种立方结构MgZnO薄膜，采用所述的制备方法制成。本发明利用脉冲激光沉积(PLD)技术，采用Mg_0.5Zn_0.5O陶瓷靶制备立方相MgZnO薄膜，通过生长温度、氧气压强和氧气流量的精确控制，实现了高质量(111)取向立方MgZnO薄膜的生长，为制备不同取向高质量MgZnO基多元合金薄膜提供了便捷有效的手段。
一种立方结构 mgzno 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种MgZnO薄膜的制备方法及其应用-CN201010518187.6有效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种MgZnO薄膜的制备方法。该方法通过将MgO和ZnO粉体混合，烧结成MgZnO陶瓷作为靶材，其中，MgO和ZnO的摩尔量比为0.15～1.2；然后将上述MgZnO陶瓷靶材装入具有一衬底的磁控溅射腔体，抽真空，将衬底温度升到500℃～800℃；最后通入氩气，设置工艺参数为：流量为15sccm～25sccm，调节工作压强为0.6Pa～1.6Pa，溅射功率60W～160W，在衬底上溅射沉积生长MgZnO薄膜。本发明采用单一的靶材，便制备得到不同Mg含量的MgZnO薄膜。方法简单，节省材料，同时也可以达到精确控制薄膜禁带宽度的目的。
一种 mgzno 薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法-CN200810050587.1无效
发明人：蒋大勇;张吉英;申德振;姚斌;赵东旭;张振中 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，通过交流磁控溅射制备不同带隙宽度(3.37～4.13eV)的高质量MgZnO合金薄膜，并在此基础上通过真空热蒸发和湿法刻蚀的方法制备MSM结构电极的MgZnO紫外光电探测器。采用本发明制备的MgZnO紫外光电探测器具备高的紫外可见比和较低的暗电流等优点，适用于太阳紫外线辐射监控、火焰探测、导弹预警等。
一种 mgzno 紫外光电探测器制备方法

[发明专利]一种LED外延缓冲层生长方法-CN201711021988.X在审
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED外延缓冲层生长方法，包括制备MgZnO高纯陶瓷靶；将蓝宝石衬底放入磁控溅射反应腔，在蓝宝石衬底上生长MgZnO薄膜；将生长有MgZnO薄膜的蓝宝石衬底取出，再放入MOCVD反应腔，本发明通过利用磁控溅射方法在蓝宝石衬底上生长MgZnO薄膜作为缓冲层，减少LED外延生长缺陷，提高电子和空穴的复合效率，提升LED的发光效率。
一种 led 外延缓冲生长方法

[发明专利]MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法-CN200810231659.2无效
发明人：赵莉 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法，包括对玻璃基底进行清洗，在无基底温度的情况下在玻璃基底上溅射MgZnO合金薄膜层；在常压下，于空气中对溅射MgZnO合金薄膜层的玻璃基底进行退火处理本发明制备的MSM结构的MgZnO合金薄膜基光电导探测器原型器件，改善了所沉积薄膜的晶体质量，探测器暗电流小，光照电流与暗电流差别较大，具有良好的响应特性。
mgzno 电导紫外探测器制作方法

[发明专利]一种MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路与扩频方法-CN201610171987.2在审
发明人：王平;郭馨璐;宋振杰;何静芳;郭立新;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路与扩频方法，方法包括：1)设置MgZnO基MSM紫外光探测器的结构参数、材料参数和入射光参数；2)计算MgZnO基MSM紫外光探测器的瞬态电流；3)等效MgZnO基MSM紫外光探测器的寄生效应；4)得到MgZnO基MSM紫外光探测器的半物理半经验等效电路模型；5)利用电感峰化技术或电感电容峰化技术对MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路模型进行峰值增益等效电路的构建
一种 mgzno msm 紫外光探测器等效电路方法

[发明专利]一种日盲紫外探测器及其制备方法-CN201911241730.X在审
发明人：刘可为;王丽嫣;陈星;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种日盲紫外探测器，包括衬底、设置于衬底表面的MgZnO薄膜、均布在所述MgZnO薄膜表面的金属纳米阵列，以及设置在所述MgZnO薄膜表面的叉指电极；所述金属纳米阵列中所有金属纳米粒子的粒径相同本发明还提供了一种日盲紫外探测器的制备方法，通过等离子体增强分子束外延法在衬底表面上沉积MgZnO薄膜，并采用聚苯乙烯微球刻印技术在MgZnO薄膜表面形成金属纳米阵列。
一种紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法-CN201310073945.1有效
发明人：韩舜;吕有明;朱德亮;曹培江;马晓翠;柳文军;贾芳;邵玉坤 -专利权人：深圳大学
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：制备Mg0.5Zn0.5O靶材；将衬底放入腔体中，加热所述衬底至400℃～500℃，通入流量为10sccm～70sccm的氧气，使腔体压强在4～8Pa，然后采用所述Mg0.5Zn0.5O靶材，在所述衬底上进行脉冲沉积，获得所述立方结构MgZnO薄膜。该方法利用不同生长条件下沉积原子迁移能的不同，可以有效控制立方结构MgZnO薄膜的生长取向，为制备不同取向高质量立方结构MgZnO多元合金薄膜提供了便捷有效的手段。
一种立方结构 mgzno 薄膜制备方法

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