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[发明专利]氯硅烷硅粉过滤系统及其过滤方法-CN201911254448.5在审
发明人：唐东昌;易军;罗建军;陈文欣;胡宗堂;赵小飞 -专利权人：新疆东方希望新能源有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了氯硅烷硅粉过滤系统及其过滤方法，涉及氯硅烷过滤技术领域，其可有效的将氯硅烷中的硅粉过滤掉，从而提高氯硅烷的品质。同时，针对于混有氯硅烷和硅粉的残液，本系统对应设置了高温氮气发生装置，以对其进行加热气化置换，分离气相氯硅烷和硅粉，用以回收，从而提高物料的使用率。
硅烷过滤系统及其方法

[实用新型]一种在线气相色谱分离检测装置-CN202020191189.8有效
发明人：童孟;戴博森;李悦;兰洁;兰琳 -专利权人：陕西煤田地质化验测试有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：提供一种在线气相色谱分离检测装置，用于氯硅烷组分及其杂质甲基二氯硅烷在线气相色谱分离检测。设置的大气平衡装置，可保证良好的进样重复性；设置的氯硅烷组分、甲基二氯硅烷的进样管路采用并行设计，实现了氯硅烷组分、甲基二氯硅烷相对独立的在线分离检测，可单独运行，不互相影响；设置的三个十通阀、两根填充柱、两根金属毛细管柱、三个热导检测器、一个氢火焰离子化检测器，可对氯硅烷组分及其杂质甲基二氯硅烷同时进行分离测定，甲基二氯硅烷的分离测定通过两根金属毛细管色谱柱的分离并结合热导检测器测定及十通阀的切割，有效保证干扰甲基二氯硅烷检测的氯硅烷主要组分三氯氢硅、四氯化硅不进入氢火焰离子化检测器，仅目标物甲基二氯硅烷进入氢火焰离子化检测器，避免三氯氢硅、四氯化硅进入氢火焰离子化检测器后造成管路堵塞和检测器损坏。
一种在线色谱分离检测装置

[发明专利]生产硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷和六氯乙硅烷的系统-CN202011623031.4有效
发明人：陶刚义 -专利权人：内蒙古兴洋科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷和六氯乙硅烷的系统，包括：原料合成系统、硅烷合成系统、一氯硅烷合成系统、二氯硅烷合成系统和六氯乙硅烷合成系统；其中，原料合成系统包括氢化系统、歧化塔一、歧化塔二、冷凝器一和冷凝器二；冷凝器一固定在歧化塔一的顶端，并与歧化塔一连通；冷凝器二固定在歧化塔二的顶端，并与歧化塔二连通；氢化系统的入口与六氯乙硅烷合成系统连通；顶端出口与歧化塔一的入口连通；歧化塔一的顶端出口与歧化塔二的入口连通，底端出口与六氯乙硅烷合成系统的入口连通；歧化塔二的底端出口与歧化塔一的入口连通，顶端出口与硅烷合成系统的入口连通。
生产硅烷六氯乙系统

[发明专利]一种液体核磁定量分析氯硅烷的方法-CN202310709154.7在审
发明人：叶凡凡;李鑫;张榆春;翟倩;成敏;刘宏超;米茜;王亚萍 -专利权人：四川永祥能源科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种液体核磁定量分析氯硅烷的方法，涉及氯硅烷的分析检测技术领域，其包括：步骤S1、取氯硅烷混合样品到溶剂中溶解后，取预定量溶解后的氯硅烷混合样品到核磁管中；步骤S2、将核磁管放置到液体核磁共振谱仪中在常温下进行测试，根据核磁氢谱标准图谱确定氯硅烷混合样品各组分的氢谱化学位移和氢谱强度；步骤S3、定量计算氯硅烷混合样品各组分的相对含量比例。不同类型氯硅烷中氢的化学环境不同在核磁氢谱标准图谱中表现为不同化学位移；不同浓度氯硅烷对应核磁氢谱表现出不同强度。由于氯硅烷每个氢原子的核磁效应一定，因而根据不同浓度氯硅烷的对应氢谱强度可以定量混合样品中各组分的相对含量。
一种液体定量分析硅烷方法

[发明专利]电子级六氯乙硅烷萃取提纯的方法及萃取精馏系统-CN201810182085.8有效
发明人：李金金 -专利权人：李金金
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了电子级六氯乙硅烷萃取提纯的方法及萃取精馏系统，所述提纯获取电子级六氯乙硅烷包括3N、4N、5N级，通过低密度萃取剂A和高密度萃取剂B进行萃取以及精馏提纯，具体经过脱去六氯乙硅烷中低沸点杂质、脱去六氯乙硅烷中低密度杂质、脱去六氯乙硅烷中萃取剂A杂质、脱去六氯乙硅烷中高沸点杂质、脱去六氯乙硅烷中高密度杂质、脱去六氯乙硅烷中萃取剂B杂质、产出电子级六氯乙硅烷步骤，并对萃取剂进行精馏回收获取萃取剂A和萃取剂B；与常规精馏吸附过程相比，本发明的萃取精馏方法提纯能耗小，提纯成本大约仅为传统精馏方法成本的12%～25%，消耗相同能耗生产出的产品质量品级高，提纯过程中损失更小，提纯六氯乙硅烷产品收率更高
电子级六氯乙硅烷萃取提纯方法精馏系统

[发明专利]一种制备二甲基二氯硅烷的方法-CN201510266330.X有效
发明人：谭军;方红承;欧阳玉霞;彭金鑫;聂长虹;母清林 -专利权人：嘉兴学院;合盛硅业股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二甲基二氯硅烷的方法，将甲基三氯硅烷、三甲基氯硅烷、共沸物和四甲基硅烷在三氯化铝催化下进行歧化反应，歧化反应结束后经精馏处理得到二甲基二氯硅烷，所述的甲基三氯硅烷、三甲基氯硅烷、共沸物和四甲基硅烷的质量比为本发明公开的制备二甲基二氯硅烷的方法条件温和，操作简单，产品纯度高，合成工艺安全、稳定，耗能低，易于实现工业化。
一种制备甲基硅烷方法

[发明专利]一种液态乙烯基聚硅氮烷树脂及其制备方法-CN200810150870.1无效
发明人：陈立新;宋家乐 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种液态乙烯基聚硅氮烷树脂的制备方法。技术特征在于通过在制备过程中控制共氨解原料甲基乙烯基二氯硅烷和甲基氢二氯硅烷的配比，合成了环体上具有1个Si－H键和2－3个乙烯基双键的六元或八元环状乙烯基硅氮烷混合物；通过铂系催化剂催化硅氢与乙烯基双键的加成反应由上述方法制备的乙烯基聚硅氮烷树脂，其产率可达氯硅烷用量的44％～50％。
一种液态乙烯基聚硅氮烷树脂及其制备方法

[发明专利]一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统-CN202210920619.9有效
发明人：李聚安;蔡云和;胡启红;詹丽;马永露;王廷海;郭洪星 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种去除含碳杂质的方法，包括：对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理，吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物；对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；对混合料进行精馏分离，分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷，去除含碳杂质，可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料，对精馏排残物料回收再利用，降低硅耗率，避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集，确保多晶硅品质。
一种去除杂质方法装置以及多晶生产系统

[发明专利]苯基三氯硅烷的制备方法及制备系统-CN202310441035.8在审
发明人：许明海;张伟;宋凯;肖浩军;明燕荣;于志轩;王东国;杜娟 -专利权人：新疆晶硕新材料有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯基三氯硅烷的制备方法及制备系统，该制备方法，包括以下步骤：以三氯氢硅和氯苯为原料，在催化剂氯仿的催化下，加热反应生成苯基三氯硅烷，制备得到产物。本发明中的苯基三氯硅烷的制备方法，以三氯氢硅和氯苯为原料，在催化剂氯仿的催化下，反应生成苯基三氯硅烷产品，实现了三氯氢硅单耗小于1，得到的产物中苯基三氯硅烷产品含量≥99.5mas％，苯基三氯硅烷产品收率在
苯基硅烷制备方法系统

[发明专利]一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺-CN202211474192.0在审
发明人：毕绍新;姜永虎;罗志坚;辛贞;梁小丹;闫海亭 -专利权人：唐山偶联硅业有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本申请涉及有机合成的技术领域，具体公开了一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺。一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺，包括如下步骤：将乙炔和一甲基二氯硅烷加入甲基乙烯基二氯硅烷中，在六水合氯铂酸催化剂的作用下，升温，加压，反应一段时间，精馏分离，得到甲基乙烯基二氯硅烷。本申请的甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺，通过各步骤之间的协同作用，具有提高甲基乙烯基二氯硅烷的收率、安全环保且实现无苯化的优点。
一种甲基乙烯基硅烷合成工艺

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910921640.9在审
发明人：林资敬;林建智;朱峯庆;吴卓斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。
半导体装置形成方法

[发明专利]气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂-CN201510900932.6有效
发明人：沈俊;杨树文;赵燕 -专利权人：宁夏胜蓝化工环保科技有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B01J29/035 文献下载
摘要：本发明具体涉及气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂。催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，催化剂的载体是钛硅分子筛或二氧化硅分子筛。采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤先精馏分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷；再将氯代乙硅烷气化后，最后将气化后的氯代乙硅烷与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷本发明公开的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂具有以下有益效果1、实现有害物质的高值化利用，减少有害物质的环境污染；2、气相催化反应使该过程具有工业化价值；3、催化剂为介孔结构，使得活性组分负载量提高
催化转化氯代乙硅烷制备氯代单工艺及其专用催化剂

[发明专利]一种氯硅烷前处理系统及氯硅烷中杂质含量的检测方法-CN201911344586.2在审
发明人：曹岩德;陈英;魏东亮;王海礼;张海燕;田润朝;安军林;蔡延国 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷前处理系统及氯硅烷中杂质含量的检测方法，涉及痕量杂质分析技术领域。燃烧部具有密闭的燃烧室，且燃烧室的出气口通过管路与吸收部连通，燃烧室内设置有用于盛放氯硅烷的取样器以及用于对取样器内的氯硅烷进行加热燃烧的电加热装置。本发明通过氯硅烷前处理系统的燃烧部对氯硅烷进行密闭燃烧消解，将燃烧氧化后的烟气通入吸收部进行吸收。这样避免了氯硅烷挥发造成的杂质检测结果不准确，上述装置提升了检测结果稳定性。此外，还提供了一种氯硅烷中杂质含量的检测方法，该检测方法从根本上解决了氯硅烷易挥发导致检测结果不准确的技术问题。
一种硅烷处理系统杂质含量检测方法

[发明专利]改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法-CN201110235948.1有效
发明人：张新;郭勇;王璜;尹志兵 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及改良西门子法多晶硅生产中，废弃氯硅烷的回收方法，属于多晶硅生产领域。包括以下步骤：1)收集废弃氯硅烷输送到储液罐：2)储液罐中的废弃氯硅烷输送到蒸发器中；3)蒸发器加热：加热至30-180℃使蒸发器内氯硅烷汽化生产氯硅烷蒸汽，蒸发器中的残留液进行水解处理；4)汽化后的氯硅烷蒸汽与湿气反应，杂质反应生成高沸物；5)气体回收：气体经气-固分离除去微量固体杂质，冷凝回收氯硅烷。采用本发明方法能够将生产过程中被污染的和杂质含量高的氯硅烷杂质去除，达到改良西门子法生产多晶硅工艺中氯硅烷原料杂质含量要求，且成本低、环保，不需额外设备。
改良西门子生产多晶废弃硅烷回收方法

[发明专利]连续式氯硅烷残液回收处理装置及方法-CN201310059359.1无效
发明人：黄国强;杨劲;王国锋;陈锦溢 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续式氯硅烷残液回收处理装置及方法，特别是针对回收具有极高价值的六氯乙硅烷（又称六氯二硅烷、全氯乙硅烷）的方法及其装置。本工艺主要包括过滤器、初馏塔、六氯二硅烷脱轻塔、六氯二硅烷脱重塔、四氯化硅脱氢塔、四氯化硅脱重塔。本发明可以有效的除去与四氯化硅难分离的有机氯硅烷、与六氯二硅烷难分离四氯化钛，本处理工艺可以回收得到纯度99.7%的六氯二硅烷与纯度。
连续硅烷回收处理装置方法

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