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[发明专利]氯硅烷残液的预处理系统和方法-CN202010060402.6有效
发明人：曾晓国;万烨;张伟;张晓伟;孙强;周志强;鲁永洁 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷残液的预处理系统和方法，其中，所述系统包括：氯硅烷残液设备、氮气储罐和液氨供给单元，所述氯硅烷残液设备内自上而下形成排气区、反应区和进料区，并且所述进料区和所述反应区之间设有滤网，所述排气区设有氮气入口和尾气出口，所述进料区设有液态料出口；所述氮气储罐通过第一输气管道与所述氮气入口相连，并且所述第一输气管道上设有第一阀门；所述液氨供给单元包括依次相连的液氨储罐、气化器和减压阀，所述减压阀通过第二输气管道与所述进料区相连采用该系统可以解决现有氯硅烷残液设备在检修时氯硅烷残液氮气置换时间长、检修作业烟雾大和残渣处理烟雾大的问题。
硅烷预处理系统方法

[实用新型]处理多晶硅尾气的系统-CN201420561722.X有效
发明人：易忠海;陆大军;罗平;李俊朝;杨斌;黄雷;陆大春;袁川江;张贵春;李文静 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种处理多晶硅尾气的系统，包括：冷凝装置；吸收装置，具有混合气体入口、氯硅烷入口、混合物出口；第一加热装置，具有第一物料入口、第一物料出口、第一壳程进料口和第一壳程出料口；第二加热装置，具有第二物料入口、第二物料出口、第二壳程进料口和第二壳程出料口；解析装置，具有高温氯硅烷出口，高温氯硅烷出口与第二壳程进料口相连；水冷装置；纯化装置，具有尾气入口、第二液态氯硅烷出口和氯化氢出口；换热装置，具有管程物料入口、管程物料出口、壳程物料入口和壳程物料出口，管程物料入口与第一壳程出料口相连，壳程物料入口与氯化氢出口相连；深冷装置，深冷装置分别与管程物料出口和氯硅烷入口相连。
处理多晶尾气系统

[实用新型]氯硅烷残液的预处理系统-CN202020124449.X有效
发明人：曾晓国;万烨;张伟;张晓伟;孙强;周志强;鲁永洁 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氯硅烷残液的预处理系统，所述系统包括：氯硅烷残液设备、氮气储罐和液氨供给单元，所述氯硅烷残液设备内自上而下形成排气区、反应区和进料区，并且所述进料区和所述反应区之间设有滤网，所述排气区设有氮气入口和尾气出口，所述进料区设有液态料出口；所述氮气储罐通过第一输气管道与所述氮气入口相连，并且所述第一输气管道上设有第一阀门；所述液氨供给单元包括依次相连的液氨储罐、气化器和减压阀，所述减压阀通过第二输气管道与所述进料区相连采用该系统可以解决现有氯硅烷残液设备在检修时氯硅烷残液氮气置换时间长、检修作业烟雾大和残渣处理烟雾大的问题。
硅烷预处理系统

[发明专利]液态硅树脂及其制备方法和应用-CN201410543098.5有效
发明人：张文博;李争鸣;王勇武;孙晓泉;徐志远;葛强 -专利权人：泸州北方化学工业有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C08G77/06 文献下载
摘要：本发明属于有机硅合成领域，具体涉及一种液态硅树脂及其制备方法和应用，该液态硅树脂尤其适用于代替二甲基硅油作为增塑剂制备硅酮密封胶。本发明液体硅树脂的制备方法，在带有搅拌装置和冷凝回流装置的反应釜中进行，包括如下步骤：a、原料配制：混合甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷，控制反应釜的温度低于5℃；b、滴加反应：向反应釜中滴加浓盐酸，控制反应体系的温度为～5℃；浓盐酸滴加完毕后反应至无气泡产生，将反应体系进行油水分离；c、油层中和：向步骤b分离所得油层中，边搅拌边加入固态的碱性物质中和至油层为中性；d、过滤油层：过滤步骤c得到中性油层，所得滤液为初级液态硅树脂最终经经脱低精制即得精制液态硅树脂。
液态硅树脂油层反应釜制备方法和应用浓盐酸滴加制备精制过滤中和二甲基二氯硅烷控制反应体系冷凝回流装置二甲基硅油硅酮密封胶液体硅树脂滴加反应合成领域混合甲基碱性物质搅拌装置气泡产生三氯硅烷油水分离原料配制有机硅增塑剂

[发明专利]一种液态复相SiBCN陶瓷前驱体及SiBCN陶瓷的制备方法-CN202211193249.X在审
发明人：邱海鹏;陈义;马新;陈明伟;梁艳媛 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种液态复相SiBCN陶瓷前驱体及其制备方法，包括步骤：在惰性气氛保护下，将一定比例的三氯化硼、甲基氢二氯硅烷及二甲基乙烯基氯硅烷混合均匀，得到混合反应物；将过量的六甲基二硅氮烷滴入冷却状态下的混合反应物中，待滴加完毕后在搅拌条件下以第一预设时间进行室温反应；将反应后的溶液经减压蒸馏脱除溶剂和副产物，得到液态的含乙烯基聚硅硼氮烷；在液态的含乙烯基聚硅硼氮烷中加入硼烷三乙胺混合均匀，得到液态复相SiBCN陶瓷前驱体该液态复相SiBCN陶瓷前驱体及其制备方法的目的是解决现有的聚合物前驱体陶瓷不能同时满足陶瓷产率、浸渍效率的问题。
一种液态 sibcn 陶瓷前驱制备方法

[发明专利]一种液态聚硼硅氮烷的制备方法-CN202210360001.1在审
发明人：郑桦;贺卫东;陈丽滨 -专利权人：福建立亚化学有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开一种液态聚硼硅氮烷的制备方法，包括以下步骤：加热反应釜，氮气置换其内气体，保持反应釜为微正压状态；在此条件下，依次加入溶剂、氯化硼气体、氯硅烷和不饱和氯硅烷搅拌反应；再向该混合液中滴加六甲基二硅氮烷反应，最后蒸馏除去溶剂，并加热蒸馏直至无液体流出，将最终产物降温后既得液态聚硼硅氮烷，本发明采用一步共缩合的方法，大大简化先驱体的合成过程，该合成工艺简单，合成产率高，副产物易于去除，产物具有较高的纯度，本发明得到的液态聚硼硅氮烷粘度可调控
一种液态聚硼硅氮烷制备方法

[发明专利]一种环保、高效的聚碳硅烷制备新方法-CN201310585828.3有效
发明人：杜亮;董小虎;冯春祥;田秀梅 -专利权人：宿迁澳鑫斯新材料有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种环保、高效的聚碳硅烷制备方法，包括以下步骤：以反应物二甲基二氯硅烷和金属钠在有机溶剂中反应制得聚硅烷，脱除溶剂和用醇与残余金属钠反应后，直接投入裂解釜制备低分子量液态环状聚硅烷，再由液态环状聚硅烷最终制得聚碳硅烷；该方法特点：避免了现有生产聚碳硅烷工艺路线中，对聚硅烷进行多次水洗和干燥这两个耗时长和产生工业废水的工序，同时在制备液态环状聚硅烷过程中二次回收吸附在聚硅烷中的溶剂和醇。
一种环保高效硅烷制备新方法

[实用新型]气体供给装置-CN201320615768.0有效
发明人：张海华;高椋敦嗣 -专利权人：德山化工（浙江）有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： B01J19/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气体供给装置，该气体供给装置具有惰性气体配管、分支配管、硅烷传感器、第1阀门、第2阀门、第3阀门。上述惰性气体配管连接供液态氯硅烷流动的氯硅烷配管和惰性气体供给源。上述硅烷传感器设置在上述分支配管上。上述第1阀门设置在上述惰性气体配管上，且配置在上述氯硅烷配管和上述分支配管之间。上述第2阀门设置在上述惰性气体配管上，且配置在上述惰性气体供给源和上述分支配管之间。上述第3阀门设置在上述分支配管上，且配置在上述惰性气体配管和上述硅烷传感器之间。
气体供给装置

[发明专利]一种二环戊基二氯硅烷的合成方法-CN201210346632.4无效
发明人：张卫东 -专利权人：太仓市运通化工厂
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：一种二环戊基二氯硅烷的合成方法，首先制得硅胶负载Pt催化剂；将高压反应釜在120℃烘烤2h，用氮气置换数次，在氮气保护下用干冰乙醇浴冷至-20℃左右；反应釜中加入环戊烯，再将装在端封玻璃管中的催化剂慢慢加入，密闭反应釜，搅拌10min后，用氮气向反应釜压人液态二氯硅烷，二氯硅烷和环戊烯的物质的量比为1.0:1.8～2.8，催化剂用量为0.5～1.8g每摩尔二氯硅烷，通人高纯氮气；使反应釜升至反应所需压力，
一种二环戊基二氯硅烷合成方法

[发明专利]三甲硅烷基胺和分子量高达500g/mol的聚硅氮烷的偶联制备方法-CN201380076904.6有效
发明人： C-F.霍佩;C.格茨;G.于伦布鲁克;H.劳莱德 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C01B21/087 文献下载
摘要：本发明涉及在液相中制备三甲硅烷基胺和聚硅氮烷的方法，其中进料相对一氯硅烷（存在于惰性溶剂中）超化学计量的氨。在这种情况下发生反应，通过该反应产生三甲硅烷基胺以及聚硅氮烷。底部产物混合物从反应器导出通过过滤单元，其中将固体氯化铵分离，并且获得聚硅氮烷和溶剂的液态混合物。将该混合物导入进一步的蒸馏以回收溶剂。通过进料相对一氯硅烷化学计量过量的NH3，使一氯硅烷在反应器中完全反应。由此完全阻止在用于纯化TSA的下游装置部分中一氯硅烷与另外少量形成的二甲硅烷基胺反应形成固体氯化铵。
硅烷分子量高达 500 mol 聚硅氮烷制备方法

[发明专利]一种制备一氯甲基三氯硅烷的方法-CN201510659849.4在审
发明人：马庆宇;李建权;杨冰雪;关瑞芳 -专利权人：济南大学
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备一氯甲基三氯硅烷的方法，属于有机合成技术领域。回流稳定时向CH₃SiCl₃液面以下通氯气；对从蒸发釜出来的混合气体加热，然后使其进入反应区；对反应区进行白光或紫外光光照；从反应区出来的物料经冷凝，高沸点液态物料回流至加热区；当蒸发釜内物料温度达100-108℃时停止反应；反应结束后，关闭填料塔上方的阀门，直接对蒸发釜内的物料进行常压精馏，收集117-118.5℃馏分，即为一氯甲基三氯硅烷。本发明的制备方法，氯气通入至蒸发釜内CH₃SiCl₃的液面以下，能确保氯气与甲基三氯硅烷充分混合，形成混合均匀的混合气体；同时能有效控制Cl₂与CH₃SiCl₃的摩尔比；从而提高一氯甲基三氯硅烷的转化率。
一种制备甲基硅烷方法

[发明专利]一种聚碳硅烷材料及其制备方法-CN202011327276.2在审
发明人：黄清芊;陈智林;陈柏林;刘周东;陈杰华;谢丹松 -专利权人：福建立亚化学有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚碳硅烷材料及其制备方法，制备步骤如下：取100份氯化钠进行电解并油浴加热，经过提纯成型，后再往熔融的金属钠中加入二甲基二氯硅烷进行反应，高温下搅拌熟化；在反应物中加入无水乙醇，控制温度并持续搅拌，提取氯化钠进行重新回收利用，后进行真空抽滤；在混合物中分别加入纯净水和无水乙醇进行多次清洗，以获得纯净的聚二甲基硅烷；将纯净的聚二甲基硅烷进行真空干燥；将真空干燥后的聚二甲基硅烷进行裂解反应，即得液态聚碳硅烷；再将液态聚碳硅烷在高温高压下进行合成得到聚碳硅烷；该聚碳硅烷材料的软化点为180℃～235℃，数均分子量为1000～1400，氧含量为：0.2％～0.5％，并且该聚碳硅烷在氮气中加热到1000℃的陶瓷产率为
一种硅烷材料及其制备方法

[发明专利]碳纳米管增韧SiBCN(O)金属基陶瓷涂层及其制法-CN201710839455.6有效
发明人：王斌;冯颖 -专利权人：中科院广州化学有限公司南雄材料生产基地;中科院广州化学有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管增韧的SiBCN(O)金属基陶瓷涂层及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：乙烯基氯硅烷和苯基氯硅烷被氨气氨解后反应1～3h；蒸除溶剂后得到液态聚硅氮烷，滴加硼烷二甲基硫醚继续反应本发明碳纳米管增韧的SiBCN(O)金属基陶瓷涂层以乙烯基氯硅烷、苯基氯硅烷和硼烷二甲基硫醚合成的聚硼硅氮烷为原料，并添加碳纳米管制得浆料，浸渍涂敷后高温裂解得到耐高温、耐腐蚀的陶瓷涂层。
金属基陶瓷涂层聚硼硅氮烷硼烷二甲基硫醚乙烯基氯硅烷苯基氯硅烷碳纳米管浆料涂敷增韧制备氨气浸渍碳纳米管溶液液态聚硅氮烷聚合物浆料高温裂解工艺操作基底表面陶瓷涂层蒸除溶剂烧结耐腐蚀耐高温碳纳米氨解滴加裂解能耗合成管制节约

[实用新型]一种冷氢化渣浆处理系统-CN202320630749.9有效
发明人：崔祥超;周迎春;王正云;高小银;陈朝霞 -专利权人：宁夏润阳硅材料科技有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：蒸馏罐将液态轻组分中的氯硅烷蒸出，实现氯硅烷的回收利用，避免氯硅烷浪费，干燥后得到硅泥通过硅泥出口排出，通过对硅泥回收，实现硅粉的回收，避免硅粉浪费，本技术方案能够回收渣浆中的氯硅烷和硅粉，避免渣浆直接外排或简单干燥水解处理造成资源浪费
一种氢化处理系统

[发明专利]一种超重力法生产乙烯基三乙氧基硅烷的方法-CN202210934213.6在审
发明人：周强;周黎炀;雷俊;张军良;胡广利;李锋 -专利权人：浙江锦华新材料股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种超重力法生产乙烯基三乙氧基硅烷的方法，本发明将液态乙烯基三氯硅烷与气态的乙醇通入超重力反应器中，通过超重力反应器提升反应过程中物质传质传热的效果，通过该方法制备的乙烯基三乙氧基硅烷具有能耗低
一种重力生产乙烯基三乙氧基硅烷方法