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[发明专利]三氯氢硅的提纯方法及多晶硅-CN202310190117.X在审
发明人：吴锋;张正阳;吴冬;赵春梅;田新;蒋文武;徐玲锋;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氯氢硅的提纯方法及多晶硅，将三氯氢硅混料通入反应器中，所述三氯氢硅混料包括三氯氢硅和杂质，所述杂质包括二甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷中的至少之一，所述反应器中放置有催化剂；将反应器加热至反应温度反应预定时间，使得所述二甲基氯硅烷和/或所述甲基二氯硅烷转化为三甲基氯硅烷，得到反应产物；对所述反应产物进行精馏处理，将所述三甲基氯硅烷去除，得到所述三氯氢硅。该方法不仅生产效率高，成本低，并且可以显著提高三氯氢硅提纯率，最终可得到高纯多晶硅产品。
三氯氢硅提纯方法多晶

[发明专利]一种回收再利用氯硅烷渣浆液的工艺-CN201810750518.5在审
发明人：吴梅;吴娟 -专利权人：四川绿源聚能环保科技有限责任公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种回收再利用氯硅烷渣浆液的工艺，属于氯硅烷回收再利用技术领域。本发明将氯硅烷渣浆液输送至固液分离装置进行固液分离，得到液相物料和氯硅烷渣浆液；然后所述氯硅烷渣浆液进入洗涤装置，通过含羟基溶剂和/或稳定剂对所述氯硅烷渣浆液洗涤，得到液相物料和固相物料，将两次液相物料中的氯硅烷进行回收本发明回收再利用氯硅烷渣浆液的工艺，使得参与反应的物料较为单纯，能够有效控制反应速度、副反应以及目标产物的转化率，使得到的目标产物纯度更高，副产物更少，大大降低了副产物的处置费用及环保费用。
氯硅烷渣浆液再利用回收液相物料副产物固液分离装置目标产物纯度含羟基溶剂固相物料固液分离环保费用目标产物洗涤装置有效控制副反应稳定剂次液洗涤

[实用新型]含氯硅烷的渣浆料处理系统-CN201821328848.7有效
发明人：刘铭;朱顺云;胥五一;郑永良;王金宝;刘虹宾;刘永生;孙康;朱发磊;危胜;杜斌功 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型属于多晶硅生产技术领域，涉及含氯硅烷的渣浆料处理系统。本实用新型的含氯硅烷的渣浆料处理系统，包括渣浆料收集罐、过滤器、输送泵、氯硅烷回收装置和洗涤装置；渣浆料收集罐上设置有渣浆料进料口、不同高度的多个氯硅烷出料口以及底部出口；氯硅烷出料口依次通过过滤器和输送泵与氯硅烷回收装置连接本实用新型设备简单，运行稳定可靠，氯硅烷回收率高，回收后的氯硅烷质量较好，能满足电子级多晶硅生产的质量要求。同时投资较低、安全性好、连续运行周期长，后期的运维费用低。
渣浆料氯硅烷本实用新型处理系统含氯硅烷收集罐过滤器底部出口回收装置洗涤装置出料口输送泵电子级多晶硅连续运行周期多晶硅生产运行稳定进料口运维回收率回收投资生产

[发明专利]一种光氯化法制备氯甲基氯硅烷的方法-CN201510160422.X在审
发明人：汪应军;张小玲;黄娣 -专利权人：湖北晶星科技股份有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：一种光氯化法制备氯甲基氯硅烷的方法，采用氯气与甲基氯硅烷反应，同时以光照作为反应条件的方法生产氯甲基氯硅烷，本发明经济性好、反应条件易于控制。
一种氯化法制甲基硅烷方法

[发明专利]一种四氯硅烷氢化系统及其制取三氯硅烷的方法-CN201911283979.7在审
发明人：陶刚义 -专利权人：内蒙古兴洋科技有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种四氯硅烷氢化制取三氯硅烷的系统，其中包括硅粉预处理单元、四氯硅烷加压单元、四氯硅烷换热单元、氢气加压单元、氢气换热单元、汽化换热单元、氢化反应单元、除尘单元和冷凝分离单元，通过上述结构单元相互配合，具有操作简单方便、连续稳定、节能降耗的显著进步；本发明公开的一种四氯硅烷氢化制取三氯硅烷，无需额外添加催化剂，利用四氯硅烷氢化过程生成的的金属氯化物副产物可以达到催化的效果，使转化率可达到25％‑28
一种硅烷氢化系统及其制取方法

[发明专利]三氯硅烷的制造装置和制造方法-CN201010136864.8有效
发明人：斋木涉;T·阿克巴伊 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供有效地抑制三氯硅烷向四氯硅烷的转化反应和聚合物的生成、三氯硅烷的回收率高的三氯硅烷的制造装置和制造方法。三氯硅烷的制造装置具有：将含有四氯硅烷和氢的原料气体转化成反应生成气体的转化炉、为了将含有三氯硅烷的反应生成物回收而对从上述转化炉供给的反应生成气体进行冷却的冷却器，该冷却器具备喷雾冷却液的多个喷嘴。
硅烷制造装置方法

[实用新型]一种氯硅烷样品取样箱-CN202320988750.9有效
发明人：牛云华;沈峰;陈培;蒋文娟;耿全荣;刘亚军;梅世尧;姜硕;陈曦 -专利权人：乐山协鑫新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氯硅烷样品取样箱，包括外部的箱体以及位于箱体内部的胆体；所述胆体内设有用于放置氯硅烷样品瓶的一组腔道；所述的腔道沿纵向开设，顶部开口，底部密封。氯硅烷样品瓶插接在所述的腔道内进行固定，并与胆体一同放置在箱体，实现氯硅烷样品运输途中的稳定。采用双层结构，内胆上具有用于固定氯硅烷样品瓶的腔道，通过将氯硅烷样品瓶插接在所述的腔道内进行固定，并与胆体一同放置在箱体，实现氯硅烷样品运输途中的稳定。
一种硅烷样品取样

[实用新型]一种氯硅烷杂质检测的前处理装置-CN202222467636.X有效
发明人：武红元;李日红;侯海波;李向东;袁中华;何鹏 -专利权人：内蒙古通威高纯晶硅有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，属于多晶硅生产技术领域，包括加热装置，加热装置上设有用于放置氯硅烷的盛放装置，盛放装置上方设有石英罩，石英罩与出气管相连，出气管与氢氟酸吸收装置相连。氯硅烷放置在盛放装置，加热装置对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置内吸收，放置污染空气；待氯硅烷挥发完毕后即可得到氯硅烷中的杂质，将该杂质单独除去即可检测
一种硅烷杂质检测处理装置

[发明专利]五氯乙硅烷的制造方法以及采用该方法制造的五氯乙硅烷-CN201580051998.0有效
发明人：八嶋裕之;小塚隆弘;寺崎圣一;J-M·吉拉尔 -专利权人：电化株式会社;乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供五氯乙硅烷的新型制造方法，通过该制造方法的实施，得到纯度为90质量％以上的五氯乙硅烷。该制造方法具备：高温反应工序，其中，在高温下使包含气化的四氯硅烷和氢气的原料气体反应，得到包含三氯硅烷的反应生成气体；五氯乙硅烷生成工序，其中，使高温反应工序中得到的反应生成气体与使通过该反应生成气体的冷却而产生的凝结液循环冷却而得到的冷却液接触而急冷，使五氯乙硅烷在凝结液中生成；和回收工序，其中将生成的五氯乙硅烷回收。
五氯乙硅烷制造方法以及采用

[发明专利]六氯乙硅烷的回收方法及用于该方法的设备-CN200980158582.3有效
发明人：松尾靖史;竹村晃一;杉村真 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及由四氯硅烷和氢气生产三氯硅烷时作为副产物生成的六氯乙硅烷的回收方法，其具有如下工序：在700～1400℃范围的温度下，使含有气化的四氯硅烷和氢气的原料气体发生反应从而得到反应生成气体的工序；将反应生成气体冷却至30～60℃的温度范围从而得到含有六氯乙硅烷的冷凝液的工序；以及从冷凝液中浓缩回收含有六氯乙硅烷的高沸点物的工序。
六氯乙硅烷回收方法用于设备

[发明专利]一种γ-氯丙基三氯硅烷的生产方法-CN201110191579.0无效
发明人：陈俊钢 -专利权人：天津市圣滨化工有限公司
申请日： 2011-07-10 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种γ-氯丙基三氯硅烷的生产方法，原料三氯硅烷和氯丙烯混合料在催化剂的作用下反应生成γ-氯丙基三氯硅烷，所述催化剂为氯铂酸∶二乙烯基四甲基二硅氧烷的重量份数比为2∶1。所述催化剂的用量与三氯硅烷和氯丙烯重量之和的比为1∶100-150。所述三氯硅烷和氯丙烯的摩尔比为1∶1。本发明涉及的γ-氯丙基三氯硅烷(Cl(CH2)3SiCl3)的生产方法反应，反应的催化剂采用全新氯铂酸配位体二乙烯基四甲基二硅氧烷(也可称为：四甲基二乙烯基二硅氧烷)，该催化剂能在室温条件下催化加成反应发生
一种丙基硅烷生产方法

[发明专利]新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途-CN201810547407.4在审
发明人： J.泰赫曼;M.瓦纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。
氯甲硅烷基芳基锗烷制备新型化合物氯锗烷

[发明专利]新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途-CN202210457317.2在审
发明人： J.泰赫曼;M.瓦纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。
新型硅烷基芳基锗烷制备方法及其用途

[发明专利]一种氢化钙还原氯硅烷制备氢硅烷的方法-CN201810045524.0有效
发明人：李永明;陈义;徐彩虹;王新良 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化钙还原氯硅烷制备氢硅烷的方法，属于氯硅烷的还原技术领域，解决了现有技术中CaH₂还原氯硅烷的反应条件苛刻、反应速度慢等问题。在有机溶剂中，在催化剂的催化下，采用氢化钙为还原剂，将氯硅烷还原为氢硅烷；其中，催化剂为硼烷、硼氢化物或氢化铝锂，有机溶剂为四氢呋喃、二乙二醇二甲醚等醚类溶剂。上述方法可用于还原氯硅烷制备氢硅烷。
氯硅烷还原氢硅烷氢化钙制备有机溶剂催化剂二乙二醇二甲醚反应条件还原技术醚类溶剂硼氢化物氢化铝锂四氢呋喃还原剂可用硼烷催化

[发明专利]一种生产及分离苯基三氯硅烷的方法和装置-CN201410452302.2有效
发明人：黄国强;黄友光 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产及分离苯基三氯硅烷的方法和装置；将氯苯和三氯氢硅同时进行气化；气化后的三氯氢硅与氯苯进行反应，以氯化铝或者镍催化剂，反应温度为200‑400℃,反应压力控制在0.1‑0.7MPa；反应后得到的产物进入苯基三氯硅烷脱轻塔，脱去氯化氢、苯、四氯化硅、二氯氢硅的轻组分杂质；除去轻组分杂质后的粗产品再进入苯基三氯硅烷脱轻塔，实现氯苯与苯基三氯硅烷分离，重组分为苯基三氯硅烷产品。单程转化率达到80％，提纯后的苯基三氯硅烷纯度达到99.8％。
一种生产分离苯基硅烷方法装置