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[发明专利]一种多晶硅铸锭用氮化硅窑具材料及其制备方法-CN201811282135.6在审
发明人：徐恩霞;刘源;徐晗;王长春;刘豪;陈花朵 -专利权人：郑州大学;河南北星精细陶瓷有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅铸锭用氮化硅窑具材料注浆成型方法，将氮化硅粉、硅粉、助烧结剂、粘结剂、分散剂在去离子水中充分混合，制备料浆、注浆、固化脱模、干燥和烧结得到致密氮化硅窑具材料，通过调节PH，调节料浆的以高固含量的料浆，通过注浆工艺，实现氮化硅颗粒的密堆积，再通过烧结制备得到高致密的氮化硅窑具材料，整个生产过程及设备简单，无需加压，且生产成本低、效率高。
窑具材料氮化硅多晶硅铸锭烧结料浆制备氮化硅颗粒生产成本低致密氮化硅充分混合氮化硅粉料浆粘度生产过程制备料浆助烧结剂注浆成型注浆工艺分散剂高致密固含量密堆积粘结剂硅粉水中脱模注浆固化加压离子

[发明专利]一种硅-氮化硅-碳复合材料及制备方法及应用方法-CN201611195176.2有效
发明人：沈龙;马飞;李虹;吴志红;葛传长 -专利权人：上海杉杉科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子二次电池材料技术领域，具体地说是一种硅‑氮化硅‑碳复合材料及制备方法及应用方法，其特征在于，复合材料的结构组成中包括球形纳米硅、氮化硅纳米线及石墨烯包覆层，所述的氮化硅纳米线原位生长在球形纳米硅颗粒的表面，氮化硅纳米线外再修饰石墨烯包覆层，结构组成中的重量百分比为；球形纳米硅40～70％；氮化硅20～40％；石墨烯10～20％。本发明与现有技术相比，硅‑氮化硅‑碳‑复合材料对于提高锂二次电池的能量密度具有关键性的作用；硅‑氮化硅‑碳复合材料通过与石墨复合，具有较高的首次效率、较好的循环性能，0.1C循环500周容量保持率80％
一种氮化复合材料制备方法应用

[实用新型]一种颗粒烧烤炉氮化硅陶瓷加热点火装置-CN202222599532.4有效
发明人：朱诗荣;胡国平;胡耀鹏;迮小平 -专利权人：贺得（上海）实业有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： F23Q7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及加热装置领域，尤其涉及一种颗粒烧烤炉氮化硅陶瓷加热点火装置，包括：固定管，所述固定管的内部安装有氮化硅点火棒，氮化硅点火棒包括氮化硅加热片和导线，所述氮化硅加热片末端与导线相连接，氮化硅点火棒远离燃烧端设有陶瓷法兰组件，陶瓷法兰组件包括陶瓷套管和陶瓷法兰，陶瓷套管设在陶瓷法兰外侧，所述氮化硅加热片与陶瓷法兰之间通过高温胶相连接，所述陶瓷套管与陶瓷法兰之间通过紧定螺钉相连接。
一种颗粒烧烤氮化陶瓷加热点火装置

[发明专利]一种镍-6.5氮化硅伪合金液的搅拌方法-CN201010599495.6无效
发明人：张鹏;杜云慧;刘汉武 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： F27D27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍-6.5氮化硅伪合金液的搅拌方法，属于镍-6.5氮化硅伪合金液搅拌研究领域，本发明采用直叶片坩埚+电磁搅拌的方法，在直叶片长度方向上向前倾斜β为33～35°、宽度方向上向上倾斜γ为81～83°的条件下，对镍-6.5氮化硅伪合金液进行搅拌，可快速实现氮化硅颗粒的均匀分布，搅拌时间可缩短到8分钟。
一种 6.5 氮化合金搅拌方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷的制备方法及由该方法制备的氮化硅陶瓷-CN200810067548.2无效
发明人：郭冉;向其军 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：一种氮化硅陶瓷的制备方法，包括将氮化硅颗粒、烧结添加剂、粘接剂混合得到混合物，将所述混合物注射成型形成坯件，对所述坯件进行脱脂、烧结制得所述氮化硅陶瓷。通过上述方法制备的氮化硅陶瓷的表面粗糙度得到了显著降低，且密度、室温弯曲强度和高温弯曲强度都得到了提高，满足各种对表面粗糙度要求高的复杂零部件的要求。
一种氮化陶瓷制备方法

[发明专利]一种铜-6.5氮化硅伪合金液的搅拌方法-CN201010599587.4无效
发明人：杜云慧;张鹏;刘汉武 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： B01F13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜-6.5氮化硅伪合金液的搅拌方法，属于铜-6.5氮化硅伪合金液搅拌研究领域，本发明采用直叶片坩埚+电磁搅拌的方法，在直叶片长度方向上向前倾斜β为34～36°、宽度方向上向上倾斜γ为80～82°的条件下，对铜-6.5氮化硅伪合金液进行搅拌，可快速实现氮化硅颗粒的均匀分布，搅拌时间可缩短到8分钟。
一种 6.5 氮化合金搅拌方法

[发明专利]用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法-CN201880058122.2有效
发明人： E·库珀;S·比洛迪奥;戴雯华;杨闵杰;涂胜宏;吴幸臻;金西恩;洪性辰 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。
用于蚀刻氮化衬底组合方法

[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法-CN202010974700.6在审
发明人：柳浩成;金明炫;梁俊镐;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及可通过在低温下不易分解而在高温的蚀刻条件下容易分解来防止生长为硅类颗粒，增加氮化硅膜与氧化硅膜的选择比的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法
氮化蚀刻溶液使用半导体器件制备方法

[发明专利]用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法-CN200710120612.4有效
发明人：闫发旺;高海永;樊中朝;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖;王军喜;张扬 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
用于氮化物外延生长纳米图形衬底制作方法

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201911397828.4在审
发明人：李星;王晨;何华锋;郁夏盈;史经深;孙金涛 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、催化剂、稳定剂、氧化剂、氮化硅抑制剂、水、以及pH调节剂。本发明提供了一种可以同时抛光金属钨、氧化硅和氮化硅的化学机械抛光组合物，该抛光液具有很高的钨抛光速率和中等的二氧化硅抛光速率，同时在具有很低的氮化硅抛光速度，起到在不影响前二者速度的情况下保护底层材料氮化硅的作用
一种化学机械抛光

[发明专利]一种氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法-CN202010181325.X在审
发明人：梁汉鑫 -专利权人：泉州市泉石通智能科技有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C04B35/586 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法，氮化硅结合碳化硅耐火材料的原料组成为：氮化硅、碳化硅、菱苦土、改性陶瓷颗粒、玻璃纤维、凹凸棒石、滑石、石墨烯、硅酸铝；本发明氮化硅结合碳化硅耐火材料具有较好的耐火性能和耐腐蚀性
一种氮化结合碳化硅耐火材料及其制备方法

[实用新型]氮化硅粉末加工用除杂装置-CN202123156196.8有效
发明人：刘海青;刘浩;慕瑞民;曹雪敏 -专利权人：安阳市世鑫氮化制品有限责任公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B03C1/30 文献下载
摘要：氮化硅粉末加工用除杂装置，涉及氮化硅粉末加工技术领域，包括除杂箱，除杂箱的顶部设置有进料口，除杂箱内部设置有过滤网，过滤网上方平行于过滤网设置有丝杆，丝杆转动连接在除杂箱内部，丝杆外壁螺旋连接有螺母套，丝杆上方平行于丝杆设置有滑杆，滑杆固定连接在除杂箱内部，本实用新型通过过滤网对氮化硅粉末进行过滤除去氮化硅粉末中较大的颗粒物和杂质，且可对过滤网的清理，避免长时间使用造成过滤网堵塞，提高过滤网的过滤效率；又通过磁辊的转动将氮化硅粉末中的铁粉吸附，提高氮化硅粉末的除杂效果，且除杂后的氮化硅粉末从出料管排出，氮化硅粉末从出料管排出后，通过清理组件可对磁辊表面吸附发铁粉进行清理，方便下次使用。
氮化粉末工用装置

[发明专利]一种用于电池材料烧结的匣钵及其制备方法和应用-CN202211551863.9在审
发明人：林伟;陈念;武则龙;唐堃 -专利权人：山西华钠碳能科技有限责任公司;北京中科海钠科技有限责任公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/577 文献下载
摘要：所述匣钵的主材包括碳化硅、氮化硅、硅粉和助剂；所述氮化硅位于所述碳化硅的颗粒空隙以及颗粒表面，所述硅粉位于所述碳化硅的颗粒空隙中；所述氮化硅在碳化硅表面形成保护层；所述匣钵的主材的原料包括硅粉、碳化硅、添加剂和结合剂；所述碳化硅在所述匣钵的主材的原料中的质量占比≥91％。本发明提供了一种以碳化硅、硅粉和氮化硅为主材的且三者相互复合的匣钵，其导热性能优良，抗热震性能好，耐腐蚀效果好，抗氧化性能比较高，其应用范围更广泛，当其应用于钠离子电池负极材料的高温炭化过程时，传热更好
一种用于电池材料烧结匣钵及其制备方法应用

[发明专利]氮化硅微晶板及其生产工艺-CN202210596507.2在审
发明人：徐德军;沈韦;吴明 -专利权人：宜兴市拓邦耐火科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供氮化硅微晶板及其生产工艺，涉及氮化硅微晶板生产工艺技术领域。该氮化硅微晶板及其生产工艺，其组成为含S i C98％的粗、中、细颗粒S i C和含S i大于98％，颗粒小于10μm，且颗粒最大不大于20μm的工业硅粉为原料，包括以下步骤：S1.准备好含S i C98％的粗、中、细颗粒S i C和含S i大于98％,颗粒小于10μm，且颗粒最大不大于20μm的工业硅粉，进行配料，得到混料。通过控制氮化硅微晶板生产所需的原材料的基础上、严格把控氮化硅微晶板从配料、混料、成型、干燥、烧成和检测的每一个生产工艺流程，既缩减了其烧结的难度，也极大避免生产工艺中存在的不稳定变量因素，有利于提高增产效益和节能降耗效益
氮化硅微晶板及其生产工艺

[发明专利]一种多晶硅铸锭方法-CN201410414388.X在审
发明人：陈伟;肖贵云;陈志军;林瑶;徐志群;金浩;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，通过两层氮化硅来保护底部粘锅和形核，第一层氮化硅主要保护部分形核源过渡熔化而与石英坩埚粘连裂锭，第二层氮化硅主要用来保护双层氮化硅夹层中的形核源不被熔化达到有效形核。在第一层氮化硅的保护下，可以通过不断改变形核源的类型、颗粒度、重量等来优化晶锭底部初始形核，避免因形核源和熔化工艺研发过程中而带来的粘锅、裂锭。
一种多晶铸锭方法