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[发明专利]蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法-CN201810734849.X有效
发明人：柳灏成;李浚银;张平和;金容逸;朴镇 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含在半导体制造工序中进行湿法蚀刻时，最小化氧化膜的蚀刻率的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包含利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。
蚀刻组合方法利用半导体器件制造

[发明专利]硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法-CN202010058349.6有效
发明人：柳浩成;金明炫;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明涉及硅基板蚀刻溶液，更详细地，涉及可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(硅)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。
硅基板蚀刻溶液使用半导体器件制造方法

[发明专利]一种“7”形耙式猕猴桃架面及其整形修剪方法-CN202211095492.8在审
发明人：柳士勇;管昌宝;毕玉昌;张尧;周夏;张明;宣自根;张平和;丁健;柳士琳 -专利权人：安徽奥林园艺有限责任公司;安徽欣沃生态园艺有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A01G17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种“7”形耙式猕猴桃架面及其整形修剪方法，包括固定座和固定架，所述固定架的底部与固定座相连接，所述固定架的顶部为“7”形结构，多组所述固定架的顶部横向端通过多根钢丝相串联；如下步骤：将猕猴桃植株引缚到固定架下35cm‑45cm处摘心，形成左右2根新梢；将新梢交叉引缚到左右“7”形固定架的内侧，即靠山坡一侧上固定；将“7”形固定架上两侧的猕猴桃枝蔓上每隔45cm‑55cm培养出一枝结果母枝；本发明利用紧贴于路边陡峭山坡的“7”形架形成的猕猴桃架面，再将猕猴桃母蔓引缚到“7”形架的架面内侧并左右分开，最后在两侧的猕猴桃母蔓上培养出“耙”形结果母枝，最后在猕猴桃结果母枝上培养猕猴桃结果枝结果。
一种形耙式猕猴桃及其整形修剪方法

[发明专利]一种樱桃双碟形树形及栽培方法-CN202211149559.1在审
发明人：柳士勇;管昌宝;毕玉昌;张尧;周夏;张明;宣自根;张平和 -专利权人：安徽奥林园艺有限责任公司;安徽欣沃生态园艺有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种樱桃双碟形树形，该树形结构的树高220‑250cm，树形结构包括有中心干，中心干的上下部位生有两组碟形结果枝组，中心干位于两组碟形结果枝组中间生有小型结果枝组；还公开了该树形结构的栽培方法，本发明通过将树体主要结果枝条安置到上下2个碟形空间里面，上下互不遮光，克服了“开心形”树冠结构平面结果产量低，“纺锤形”树冠结构中间不透光、易生病虫的弊端；能有效利用樱桃树冠的结果空间，最大限度地利用光能，提高樱桃树体的光合作用能力，在确保产量的基础上，保持通风透光，消除樱桃褐腐病、红蜘蛛等病虫的繁殖和发生环境，提高樱桃产量、品质和效益。
一种樱桃双碟形树形栽培方法

[发明专利]一种猕猴桃绿叶反折护芽的嫁接方法-CN202211118682.7在审
发明人：柳士勇;毕玉昌;方琴;张明;张尧;周夏;宣自根;张平和 -专利权人：安徽奥林园艺有限责任公司;安徽欣沃生态园艺有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： A01G2/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种猕猴桃绿叶反折护芽的嫁接方法，包括如下步骤：将绿枝接穗与砧木插接后用塑料带将砧木与绿枝接穗绑缚紧密，并露出芽眼；立即就近选择一片较大猕猴桃叶片，将接穗芽所在的枝头放到叶片背面，将该叶片上面折回来盖住接穗芽所在的伤口，在将叶片两边卷过来用绳子捆起来；待接芽成活并生长到2‑3cm后，解除反折保护的叶片，让接芽正常生长发育；本发明通过绿叶反折包裹嫁接伤口位置，既能给嫁接伤口遮荫，又能保证嫁接伤口附近空间较高的湿度，还能控制嫁接口附近小环境温度不会过度升高，确保绿枝嫁接后伤口能够快速愈合，接芽能够快速发芽生长，大幅度提高绿枝嫁接成活率，节省嫁接直接和间接成本，显著提高生产效益。
一种猕猴桃绿叶反折护芽嫁接方法

[发明专利]硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法-CN201911269619.1有效
发明人：柳浩成;金明炫;文暎善;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。
硅基板蚀刻溶液使用半导体器件制造方法

[发明专利]硅衬底蚀刻溶液-CN201910573064.3有效
发明人：柳浩成;文暎善;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及硅衬底蚀刻溶液，更加详细地，涉及当蚀刻氮化硅膜时，与氧化硅膜相比可提高对氮化硅膜的蚀刻选择比并提高高温稳定性的硅衬底蚀刻溶液。
衬底蚀刻溶液

[发明专利]硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法-CN201911051517.2有效
发明人：柳浩成;金明炫;文暎善;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用其来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。
硅基板蚀刻溶液利用半导体器件制造方法

[发明专利]一种新型保健酒及制备方法-CN202111426487.6在审
发明人： 张平和;周自勇 -专利权人： 张平和
申请日： 2021-11-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C12G3/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型保健酒及制备方法，包括酒基、药材和食材；本发明通过第一步清洗药材和食材来清除药材和食材上的灰尘和杂质，防止灰尘和杂质进入酒基内导致保健酒生成不合格，通过先将酒基倒入酒缸或酒坛内，方便控制酒基的质量，通过搅拌酒基、药材和食材，能够使其相互之间充分融合，通过在阴凉处静置三个月，能够使药材和食材内的营养物质充分进入酒基内，通过第五步压榨过滤，能够使浸泡后的药材和食材剩余营养物质进入保健酒内。
一种新型保健酒制备方法

[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法-CN202011095759.4在审
发明人：柳浩成;金明炫;梁俊镐;庾煉晳;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。
氮化蚀刻溶液使用半导体器件制备方法

[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法-CN202010974700.6在审
发明人：柳浩成;金明炫;梁俊镐;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及可通过在低温下不易分解而在高温的蚀刻条件下容易分解来防止生长为硅类颗粒，增加氮化硅膜与氧化硅膜的选择比的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法。
氮化蚀刻溶液使用半导体器件制备方法

[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法-CN202010709396.2在审
发明人：柳浩成;金明炫;梁俊镐;李浚银;张平和 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。
氮化蚀刻溶液使用半导体器件制备方法

[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN201810730527.8有效
发明人：柳灏成;李浚银;张平和;金容逸;朴镇 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法：化学式1：在所述化学式1中，n为0至4的整数，R1至R3各自独立地选自由氢、卤素、羟基、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，R1至R3中的一种以上为羟基，R4选自由氢、卤素、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，X1为‑(C(R5)(R6))m‑，m为0至3，R5及R6各自独立地选自由氢、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中。
蚀刻组合利用方法

[发明专利]一种猕猴桃抗伤流嫁接方法-CN201910720135.8在审
发明人：柳士勇;吴成照;王成荣;肖端兰;张平和;费本龙;周夏;柳士琳;宣自根 -专利权人：安徽奥林园艺有限责任公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种猕猴桃抗伤流嫁接方法，包括如下步骤：1)选取合适的砧木，在靠近砧木枝干断面的一边，下刀向内下方斜切下去，形成切口，切口长3—4cm；2)在优良栽培品种的结果树上选取生长健壮、芽眼饱满、无病虫害的一年生枝作为接穗，将接穗枝条在芽眼下方0.5‑1厘米处的两侧削成倾斜舌面；3)将接穗的舌面插入砧木的切口内，并使接穗的舌面皮层和砧木的切口皮层靠一边对齐，用塑料薄膜将砧木切口和接穗包扎紧密，不留缝隙；4)包扎完成后，采用牙签在嫁接口的下部且位于切口的两侧靠下方位置的塑料薄膜外的每侧扎两个出水孔；本发明通过在嫁接后留出水孔的方法，达到方便排水的目的，提高猕猴桃苗的成活率。
接穗砧木猕猴桃嫁接舌面芽眼塑料薄膜皮层出水孔包扎斜切牙签靠下方位置接穗枝条一年生枝栽培品种砧木切口对齐下刀向内枝干成活率病虫害排水生长

[发明专利]蚀刻用组合物及利用其的半导体器件的制备方法-CN201811547804.8在审
发明人：柳灏成;李浚银;张平和;韩承弦 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻用组合物及利用其的半导体器件的制备方法。本发明涉及包含由下列化学式1表示的氨基‑硅氧烷化合物及溶剂的蚀刻用组合物，本发明的蚀刻用组合物可将氧化膜的蚀刻率最小化，而且可以选择性地除去氮化膜，对抑制对器件特性产生坏影响的微粒的产生其效果卓越。化学式1：
蚀刻半导体器件制备硅氧烷化合物氨基器件特性氮化膜蚀刻率氧化膜最小化溶剂

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