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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜-CN202080061205.4在审
发明人：罗德尼·顺隆·利马;金正倍;王家锐;崔羿;任东吉;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。
用于薄膜晶体管氮化

[发明专利]PIP电容的制作方法-CN201910781804.2有效
发明人：王卉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，衬底分为存储区和逻辑区，在衬底上依次形成耦合氧化物层、浮栅层、第一介质层、控制栅层和浮栅氮化硅；使用浮栅氮化硅的刻蚀版图刻蚀浮栅氮化硅；形成覆盖刻蚀后的浮栅氮化硅外侧的浮栅侧壁，以及形成覆盖浮栅侧壁的浮栅位移侧墙和隧穿氧化层；形成字线；形成保护氮化硅和保护氧化硅覆盖字线；去除逻辑区的保护氮化硅和保护氧化硅，部分刻蚀浮栅氮化硅；在所述逻辑区形成逻辑栅氧化硅覆盖刻蚀后的浮栅氮化硅和字线；形成逻辑栅多晶硅覆盖逻辑栅氧化硅。本发明通过加入浮栅氮化硅的刻蚀版图刻蚀浮栅氮化硅，可以获得平整的多晶硅表面。
pip 电容制作方法

[发明专利]一种低品位硅藻土制备氮化硅陶瓷的方法-CN202110465026.3在审
发明人：姜永久;赵颖;于工;黄旭;王宇;王义鹏;王继涛;王继波 -专利权人：白山市科学技术研究所;临江市宝健纳米复合材料科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种低品位硅藻土制备氮化硅陶瓷的方法，属于氮化硅陶瓷制备技术领域。本发明的低品位硅藻土制备氮化硅陶瓷的方法，先将硅藻土纯化，然后制备氮化硅粉末，再制备氮化硅坯体，最后制备氮化硅陶瓷。本发明的低品位硅藻土制备氮化硅陶瓷的方法用低品位硅藻土代替硅粉做制备氮化硅陶瓷的原材料，不仅成本低，工艺简单，且制备的氮化硅陶瓷性能优异，密度平均值为3.26g/cm3
一种品位硅藻土制备氮化陶瓷方法

[实用新型]双层氮化硅减反膜-CN201220041652.6有效
发明人：吕加先;吴胜勇;宋令枝;张涌 -专利权人：苏州盛康光伏科技有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双层氮化硅减反膜，其特征在于包括第一层氮化硅薄膜（1）和第二层氮化硅薄膜（2），所述第一层氮化硅薄膜（1）位于第二层氮化硅薄膜（2）下方，且所述第一层氮化硅薄膜（1）的硅氮比高于所述第二层氮化硅薄膜本实用新型双层氮化硅减反膜因为第一层氮化硅薄膜的硅氮比高于第二层氮化硅薄膜的硅氮比，因此第一层氮化硅薄膜的折射率高于第二层氮化硅薄膜的折射率，所以增大了对太阳光的光谱段的吸收，可以吸收到高宽的太阳光谱，增强了薄膜的减反射作用，同时第一层氮化硅薄膜折射率较高更有利于对硅片表面的钝化，对太阳光的反射率较低，吸收率较高，太阳电池的光电转换效率较高，具有较好的实用价值。
双层氮化硅减反膜

[发明专利]一种氮化硅抗结圈浇注料及其制造方法-CN201410052042.X在审
发明人：廖良;李学彦;郭宏相;王东明;何贯通;碗扬威;孙永瑞;史才禄;李社鹏 -专利权人：河南省宏达炉业有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅抗结圈浇注料及其制造方法，各原料重量百分比如下：不大于1mm的氮化硅颗粒：8%至30%，1至3mm的氮化硅颗粒：5%至25%，≧320目的氮化硅：10%至30%，1至3mm的特级焦宝石
一种氮化硅抗结圈浇注料及制造方法

[发明专利]多晶硅引晶装置及其引晶方法-CN201410350017.X无效
发明人：周社柱;王锋;侯炜强;张瑾;熊鹰 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：包括坩埚（5）、块状原生多晶（3）和碎硅片（2），在坩埚（5）的埚内侧面和埚内埚底面上均匀地设置有氮化硅喷涂层（4），在坩埚（5）的埚内埚底面上设置的氮化硅喷涂层（4）上活动均布有氮化硅球状颗粒（1），在氮化硅球状颗粒（1）上设置有碎硅片层（2），在碎硅片层（2）上设置有块状原生多晶（3）。
多晶硅引晶装置及其方法

[发明专利]一种原子力显微镜氮化硅探针的清洗方法-CN201811435091.6在审
发明人：张丹;甘阳;刘言;张飞虎 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：一种原子力显微镜氮化硅探针的清洗方法，本发明涉及一种原子力显微镜氮化硅探针的清洗方法。本发明的目的是为了解决目前原子力显微镜氮化硅探针的表面污染物难以有效去除的问题，方法为：将原子力显微镜氮化硅探针依次置于不同溶液中超声清洗，氮气吹干，再用空气等离子体清洗器进一步清洗，即得干净无损的探针本发明能有效去除探针表面的颗粒和有机污染物，重复性好，且过程安全、无污染。本发明属于原子力显微镜探针的清洗领域。
原子力显微镜探针氮化硅清洗去除原子力显微镜探针空气等离子体表面污染物有机污染物超声清洗氮气吹干过程安全探针表面清洗器无损

[发明专利]一种具有高效隔绝性能的氮化硅涂层的制备方法-CN201610932534.7在审
发明人：张嵘;刘久明 -专利权人：河北正雍新材料科技有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高效隔绝性能的氮化硅涂层的制备方法，其制备方法如下（1）氮化硅浆料的配制首先称取一定质量的氮化硅粉体加入到超纯水中，机械搅拌10~30min得到均匀的氮化硅浆液；然后将硅溶胶加入到所述浆液中，继续搅拌10~30min得到均匀的氮化硅浆料；（2）氮化硅涂层的喷涂将步骤（1）得到的氮化硅浆料喷涂到坩埚内表面，得到氮化硅涂层；（3）喷涂后涂层的养护将步骤（2）得到的氮化硅涂层烘干，然后用压缩气体吹掉浮粉本发明制备的氮化硅涂层可以高效隔绝坩埚杂质向多晶硅锭的扩散，有效减小硅锭红区宽度，节约生产成本，适合多晶硅铸锭工业规模化应用。
一种具有高效隔绝性能氮化涂层制备方法

[发明专利]一种氮化硅基复合粉末及其制备方法和烧结方法-CN202310627086.X在审
发明人：韩召;刘鹏飞;黄贞益 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅基复合粉末及其制备方法和烧结方法。氮化硅基复合粉末是由氮化硅粉末及其表面包覆的烧结助剂组成，制备方法为，将烧结助剂制备成氨基化合物溶解在液氨溶液中，再将氮化硅及其前驱体粉末与其混合，通过氮化硅及其前驱体粉末的吸附作用实现与烧结助剂的复合，最后将负载有烧结助剂的氮化硅及其前驱体粉末在500～1500℃环境下热解得到氮化硅基复合粉末。其烧结方法为将包覆有低含量烧结助剂的氮化硅基复合粉末为原料，对这种氮化硅基复合粉末在1500～1700℃环境下进行烧结，可以在低烧结助剂含量的条件下，获得致密且力学性能优异的氮化硅烧结体。
一种氮化复合粉末及其制备方法烧结

[发明专利]一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法-CN201410558893.1有效
发明人：胡文波;樊金龙;赵晓磊;吴胜利;张劲涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3-6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。
一种纳米氮化薄膜电子及其制作方法

[发明专利]高纯免喷涂坩埚的生产工艺-CN201810278215.8有效
发明人：钟伟;陆文研 -专利权人：无锡舜阳新能源科技股份有限公司
申请日： 2018-03-31 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯免喷涂坩埚的生产工艺，包括以下步骤：Ⅰ、配置氮化硅浆料，将氮化硅浆料刷涂在普通石英坩埚的内表面；Ⅱ、将刷涂后的坩埚置于130～200℃下烘干制得内表面具有氮化硅涂层的高纯免喷涂坩埚；其中，按重量百分比计，氮化硅浆料组成包括：30～44%的α相含量≥90%的氮化硅粉、15～22%的硅溶胶和41～48%的去离子水。通过在氮化硅浆料中引入具有高温粘性的硅溶胶，减少氮化硅涂层中的氮化硅含量，减少氮向硅熔体表面的扩散量，同时提高氮化硅涂层的强度、致密度和与普通石英坩埚表面的附着力，降低脱模后硅锭表面氮化硅涂层粘附和脱落的几率
高纯喷涂坩埚生产工艺

[发明专利]一种氮化硅陶瓷加热棒的制备方法-CN202310602326.0有效
发明人：田卓;王哲;曹献莹;马天龙 -专利权人：河北高富氮化硅材料有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅陶瓷加热棒的制备方法，涉及氮化硅陶瓷加工技术领域；该氮化硅陶瓷加热棒的制备方法包括以下步骤:S1、制备氮化硅层；S2、在氮化硅层上粘结电路；S3、制备内芯棒体；S4、通过热压铸工艺将步骤S2制备的氮化硅层和步骤S3制备的内芯棒体组装成型，用氮化硅层包裹内芯棒体，得到氮化硅加热棒坯体；S5、将步骤S4制备的氮化硅加热棒坯体在真空气压炉中进行压力烧结。本发明的氮化硅陶瓷加热棒的制备方法生产效率高，成品强度较高。
一种氮化陶瓷加热制备方法

[发明专利]氮化硅薄膜去除方法及半导体器件的制作方法-CN201610340628.5在审
发明人：纪世良;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅薄膜去除方法，在使用刻蚀工艺去除氮化硅薄膜时，使用可以实现氮化硅对多晶硅和/或磷化硅高选择性的刻蚀气体，其中所述氮化硅对多晶硅和/或磷化硅的选择性高于50。本发明还提出一种半导体器件的制作方法，包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成图形化的氮化硅薄膜；以所述图形化的氮化硅薄膜作为遮蔽层来进行后续工艺；使用本发明提出的氮化硅薄膜去除方法去除所述图形化的氮化硅薄膜本发明提出的氮化硅薄膜的去除方法及半导体器件的制作方法，可以实现氮化硅对多晶硅和/或磷化硅的高选择性，并且可以减少对已形成器件层造成的损伤和损失。
氮化薄膜去除方法半导体器件制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201410365836.1在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底的表面生长垫氧化层；在垫氧化层的表面沉积氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、垫氧化层及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽的底部和侧壁生长衬氧化层；在浅沟槽内及氮化硅层的表面沉积二氧化硅介质层；采用化学机械抛光技术对沉积的二氧化硅介质层进行平坦化处理直至氮化硅层；采用BHF清洗氮化硅层的表面；去除氮化硅层。本发明在化学机械抛光二氧化硅介质层后采用BHF清洗氮化硅层的表面，BHF与二氧化硅化学反应，从而避免了有二氧化硅残留在氮化硅层的表面，确保后续在去除氮化硅层时，氮化硅层能够全部去尽而不会发生氮化硅有残留的现象
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种废弃氮化硅回收提纯的方法-CN202111610803.5在审
发明人：郑海;唐明亮;胡增涵;吴健;程尚栩 -专利权人：南京工业大学东海先进硅基材料研究院
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种的废弃氮化硅回收提纯的方法，得到的高纯氮化硅可用于石英坩埚涂层、耐火材料等。本发明的具体内容为：以废弃石英坩埚内表面的氮化硅涂层为氮化硅原料，含有少量的二氧化硅与单质硅及微量的金属等杂质；氮化硅原料经球磨粉碎后，采用高梯度磁选去除金属杂质，反浮选去除二氧化硅，高温氮化单质硅成氮化硅，得到高纯氮化硅。本发明的方法实现了废弃石英坩埚内表面氮化硅涂层的高纯回收利用，不仅节约了资源，还解决了固体废弃物的污染问题。
一种废弃氮化回收提纯方法

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