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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件中的隔离结构的轮廓控制-CN202210886433.6在审
发明人：李维晋;张哲豪;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成超晶格结构，在第一沉积工艺中围绕超晶格结构和鳍结构沉积氧化物衬垫，在氧化物衬垫上形成掺杂剂源衬垫，在与第一沉积工艺不同的第二沉积工艺中在掺杂剂源衬垫上沉积氧化物填充层，执行掺杂工艺以形成掺杂氧化物衬垫和掺杂氧化物填充层，从超晶格结构的侧壁去除掺杂氧化物衬垫、掺杂氧化物填充层和掺杂剂源衬垫的部分，以及在鳍结构上并围绕第一纳米结构化层形成栅极结构。
半导体器件中的隔离结构轮廓控制

[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910870889.1在审
发明人：蔡宗裔;李宗霖;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了包括不同型态的鳍状场效晶体管所用的隔离衬垫层的集成电路装置与相关的制作方法。例示性的方法包括在基板上进行鳍状物蚀刻制程，以形成多个第一沟槽以定义第一区中的多个第一鳍状物，以及多个第二沟槽以定义第二区中的多个第二鳍状物。形成氧化物衬垫层于第一区中的第一鳍状物与第二区中的第二鳍状物上。形成氮化物衬垫层于第一区与第二区中的氧化物衬垫层上。在自第一区移除氮化物衬垫层之后，形成隔离材料于氧化物衬垫层与氮化物衬垫层上，以填入第一沟槽与第二沟槽中。使隔离材料、氧化物衬垫层、与氮化物衬垫层凹陷，以形成第一隔离结构(隔离材料与氧化物衬垫层)与第二隔离结构(隔离材料、氮化物衬垫层、与氧化物衬垫层)。
集成电路装置形成方法

[发明专利]浅沟道隔离处理的双衬垫氧化物工艺-CN03141564.4有效
发明人：尹德源 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟道隔离处理的双衬垫氧化物的工艺，包含在一硅基底上沉积形成氧化硅层和氮化硅层，而后蚀刻以形成一浅沟道；沉积第一衬垫氧化物在该浅沟道表面；以H₃PO₄蚀回氮化物层；以湿蚀刻移除第一衬垫氧化物；和再沉积第二衬垫氧化物在该浅沟道表面。
沟道隔离处理衬垫氧化物工艺

[发明专利]电气器件以及制造电气器件的方法-CN202211589417.7在审
发明人：布丽吉特·苏利耶;弗雷德里克·瓦龙;朱利安·埃尔萨巴希 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种制造电气器件的方法，包括：对可阳极氧化金属层的部分进行阳极氧化，以获得阳极多孔氧化物区域(101)以及与阳极多孔氧化物区域相邻的可阳极氧化金属区域(100)，阳极多孔氧化物区域比可阳极氧化金属区域厚；在阳极多孔氧化物区域和可阳极氧化金属区域上沉积衬垫材料的层(105)；在衬垫材料的层上沉积填充材料的层(106)以获得具有顶表面的堆叠结构，填充材料与衬垫材料不同；对从堆叠结构的顶表面起直至到达衬垫材料的层的堆叠结构进行平坦化，以暴露位于阳极多孔氧化物区域的至少一部分(112)上方的衬垫材料的部分(111)；去除衬垫材料的暴露部分。
电气器件以及制造方法

[发明专利]一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法-CN202011089756.X在审
发明人：金炫昌;刘金彪;杨涛;贺晓彬;唐波;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：隔离沟槽，包括：在沟槽上的氧化物层，在所述氧化物层内的底部的氮化物衬垫，在所述氮化物衬垫内，且与氮化物衬垫的表面齐平的第一氧化物，以及在所述第一氧化物上的第二氧化物；所述第二氧化物与所述氧化物层的表面齐平通过去除隔离沟槽中的部分沉积物质，再沉积第二氧化物，能够防止变成陷阱的热载流子电子在有源区产生沟道，从而避免热电子穿透效应产生的不良。
一种隔离沟槽制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离的制作方法-CN201110328075.9无效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅沟槽隔离的制作方法，在硅片上依次沉积衬垫氧化层、衬垫氮化层、氧化物硬模和氮化物硬膜；形成贯穿硅片上所述结构和部分硅片的浅沟槽；腐蚀氮化物硬膜、氧化物硬模和衬垫氮化层；在上述结构表面沉积氧化膜本发明采用氮化物硬膜作为浅沟槽隔离刻蚀的硬掩膜，氧化物硬模作为氮化物硬膜的应力释放层以及腐蚀衬垫氮化层的牺牲层，从而减少衬垫氮化层的初始厚度、降低应力，进而减少衬垫氧化层的厚度，改善浅沟槽隔离凹坑的形貌
沟槽隔离制作方法

[发明专利]具有电隔离屏障层的包括由沟槽围绕的阳极多孔区域的设备以及相应的方法-CN202180048955.2在审
发明人：布里吉特·苏利耶;弗雷德里克·瓦龙 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：一种电气设备，包括：金属屏障层(102)；在金属屏障层上的阳极多孔氧化物区域(AAO)；围绕阳极多孔氧化物区域到达金属屏障层的沟槽(104)；至少在阳极多孔氧化物区域的侧面的沟槽的壁(106)上的衬垫(107)，衬垫(107)形成电隔离屏障并且具有在阳极多孔氧化物区域上的开口(109)；设置在沟槽和衬垫上方的硬掩模(108)，硬掩模(108)具有在阳极多孔氧化物区域上的开口(109)。
具有隔离屏障包括沟槽围绕阳极多孔区域设备以及相应方法

[发明专利]非易失性存储装置及其编程方法-CN200810128073.3无效
发明人：成政宪;薛光洙;申雄澈;朴祥珍;崔相武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储装置及其编程方法，其中，电子穿过衬垫氧化物层在电荷捕获层之间移动。非易失性存储装置包括在半导体基底上并存储电子的第一电荷捕获层、在第一电荷捕获层上的衬垫氧化物层以及在衬垫氧化物层上并存储电子的第二电荷捕获层。在写入数据的编程模式下，存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第一边缘和第二电荷捕获层中的第一边缘之间移动，或者存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第二边缘和第二电荷捕获层中的第二边缘之间移动
非易失性存储装置及其编程方法

[发明专利]半导体装置中形成隔离区的方法及所得的结构-CN98102041.0无效
发明人：张世亿;金荣福;吕寅硕;金钟哲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1998-06-01 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：在半导体基板上建构衬垫绝缘体。当给与衬垫绝缘体图形的同时，进行过蚀刻工艺，以使半导体基板凹陷至预定的深度。在衬垫绝缘体图形的侧壁形成绝缘体间隔物之后，热氧化半导体基板的暴露区，以长出氧化物，然后再移除此氧化物以形成一凹陷处。以突破式场氧化与高温场氧化，在凹陷处形成元件隔离膜。所得元件隔离膜可避免场氧化物‘不生长’的现象，缓解了场氧化物变薄，改进了栅氧化物的性质。
半导体装置形成隔离方法所得结构

[发明专利]具有多衬垫的半导体元件结构及其制备方法-CN202210178450.4在审
发明人：徐嘉祥 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该绝缘体上覆硅区具有一半导体基底；一埋入氧化物层，设置在该半导体基底上；以及一硅层，设置在该埋入氧化物层上。该半导体元件结构亦具有一第一浅沟隔离结构，穿经该硅层与该埋入氧化物层，且延伸进入该半导体基底中。该第一浅沟隔离结构具有一第一衬垫，接触该半导体基底与该硅层；一第二衬垫，覆盖该第一衬垫并接触该埋入氧化物层；以及一第三衬垫，覆盖该第二衬垫。该第一衬垫、该第二衬垫以及该第三衬垫包含不同材料。该第一浅沟隔离结构亦具有一第一沟槽填充层，设置在该第三衬垫上且通过该第三衬垫而与该第二衬垫分隔开。
具有衬垫半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN202211183403.5在审
发明人：张志熏;请求不公布姓名;金东完;朴桐湜;尹灿植;张贤禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括沟槽的衬底；隔离结构，包括堆叠在沟槽中的内壁氧化物层图案、衬垫图案和填充绝缘图案；以及在衬底和隔离结构上的栅极结构，其中内壁氧化物层图案和衬垫图案共形地形成在沟槽的表面上，内壁氧化物层图案的上表面低于衬底的上表面，以及内壁氧化物层图案的上表面和衬垫图案的上表面之间的边界没有台阶差。
半导体器件

[发明专利]形成FinFET栅极氧化物的方法-CN201510811422.1有效
发明人：吴政达;王廷君;陈愿年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体鳍、第一氮化硅基层、衬垫氧化物层、第二氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、邻近顶面的第一侧表面和设置在第一侧表面下方并且邻近第一侧表面的第二侧表面。衬垫氧化物层设置为与第一氮化硅基层共形。第二氮化硅基层设置为与衬垫氧化物层共形。栅极氧化物层设置为与半导体鳍的顶面和第一侧表面共形。本发明的实施例还涉及形成FinFET栅极氧化物的方法。
形成 finfet 栅极氧化物方法

[发明专利]半导体装置制造方法和半导体装置-CN201910921660.6有效
发明人：徐永昌;潘昇良;林焕哲;郭国凭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体装置制造方法，包括蚀刻通孔通过介电层和蚀刻停止层(ESL)到源极/漏极接点、在源极/漏极接点的顶表面中形成凹陷，使得源极/漏极接点的顶表面是凹的、以及在通孔的侧壁上形成氧化物衬垫。氧化物衬垫捕捉藉由蚀刻通过介电层和蚀刻停止层的通孔所留下的杂质，其中蚀刻步骤、形成凹陷的步骤以及形成氧化物衬垫的步骤在第一腔室中执行。半导体装置制造方法更包括执行移除氧化物衬垫的预清洗和在通孔中沉积金属。
半导体装置制造方法

[发明专利]提高横向扩散金属氧化物半导体耐击穿性的退火处理方法-CN200710172730.X无效
发明人：王磊;孙凌 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种提高横向扩散金属氧化物半导体耐击穿性的退火处理方法，应用在沟槽氧化物衬垫形成之后，漂移区轻掺杂工序之前，该方法在一氧化氮气氛中对沟槽氧化物衬垫进行退火处理。本发明提供的一种提高横向扩散金属氧化物半导体耐击穿性的退火处理方法，能够明显改善漏极与体硅PN结的形状，提高横向扩散金属氧化物半导体的耐击穿性能。
提高横向扩散金属氧化物半导体击穿退火处理方法

[发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202210146632.3在审
发明人：薛宇涵 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该绝缘体上覆硅区具有一半导体基底；一埋入氧化物层，设置在该半导体基底上；以及一硅层，设置在该埋入氧化物层上。该半导体元件结构亦具有一第一浅沟隔离结构，穿经该硅层与该埋入氧化物层，且延伸进入该半导体基底中。该第一浅沟隔离结构具有一第一衬垫，接触该半导体基底与该硅层；一第二衬垫，覆盖该第一衬垫并接触该埋入氧化物层；以及一第三衬垫，覆盖该第二衬垫。该第一衬垫、该第二衬垫以及该第三衬垫包含不同材料。该第一浅沟隔离结构亦具有一第一沟槽填充层，设置在该第三衬垫上且借由该第三衬垫而与该第二衬垫分隔开。
半导体元件结构及其制备方法

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