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[发明专利]一种集成可变栅电阻栅极结构-CN201410271507.0有效
发明人：赵佳;张杰;胡爱斌;王海军;吴凯 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明属于半导体场控自关断器技术领域，公开了一种集成可变栅电阻栅极结构,包括：栅极压焊点、栅极总线、有效多晶硅电阻以及备用多晶硅电阻；所述栅极总线环绕在所述栅极压焊点外围；所述有效多晶硅电阻连接在所述栅极总线和所述栅极压焊点之间；所述备用多晶硅电阻置于所述栅极总线和所述栅极压焊点之间，与所述栅极总线相连。本发明通过在栅极压焊点和栅极总线之间连接多个多晶硅电阻实现栅极的保护，同时实现灵活的栅极电阻调节。
一种集成可变电阻栅极结构

[发明专利]一种功率半导体芯片栅电阻-CN201310259231.X有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种功率半导体芯片栅电阻，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻至少包括两个分电阻，每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区，另一端连接所述栅极圈。由于该栅电阻由至少两个分电阻并联，当其中一个分电阻发生损坏，其他分电阻仍能够正常工作，在主栅极区和栅极圈之间传递信号。因此，该栅电阻避免了现有技术中的由于单个电阻串联带来的由于电阻损坏，芯片就面临损坏的风险。
一种功率半导体芯片电阻

[发明专利]一种新型集成栅极电阻的IGBT结构-CN202311055227.1在审
发明人：訾彤彤;袁雄 -专利权人：合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种新型集成栅极电阻的IGBT结构，涉及IGBT结构技术领域，包括栅极金属、栅极电阻和元胞区，元胞区内具有多晶硅栅，栅极电阻位于栅极金属与多晶硅栅之间，栅极金属与栅极电阻之间、栅极电阻与元胞区之间均设置有电介质层，电介质层中设置有用于连接栅极金属和栅极电阻的第一接触孔，以及用于连接栅极电阻和多晶硅栅的第二接触孔；本发明中两层金属结构间隔设置在元胞区的上方，栅极电阻与元胞区不在一个平面上，可以有效降低芯片面积；本发明中栅极金属、栅极电阻和元胞区自上而下依次垂直设置，电流纵向传递，使得电流密度增加，可以提高芯片性能。
一种新型集成栅极电阻 igbt 结构

[发明专利]一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法-CN202310574185.6在审
发明人：吴振兴 -专利权人：北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法，用于栅极电压控制型功率器件，栅极集成电阻包括：设置于栅极PAD和栅极汇流条之间的若干个电阻单元；电阻单元的一端与栅极PAD连接，其另一端通过电阻引出极与栅极汇流条连接或悬空；至少一个电阻引出极与栅极汇流条连接；若干个电阻引出极之间电气隔离，可通过外置导线连接。通过在封装端采用阻值可调的栅极集成电阻的功率器件，在栅极和栅极汇流条之间形成了一个可调可变的内置集成电阻网络，具有电阻调节便利、无需重新进行芯片设计开发、适用频率范围宽、均流效果好等优点。
一种功率器件栅极集成电阻及其制备方法

[发明专利]射频开关装置-CN201910084196.X在审
发明人：赵炳学;白铉;金正勳;金裕桓;罗裕森 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H03K17/284 文献下载
摘要：所述射频开关装置包括：开关电路，包括第一晶体管和第二晶体管；栅极电阻器电路，包括第一栅极电阻器和第二栅极电阻器，第一栅极电阻器连接到第一晶体管的栅极并且第二栅极电阻器连接到第二晶体管的栅极；栅极缓冲器电路，包括第一栅极缓冲器和第二栅极缓冲器，第一栅极缓冲器连接到第一栅极电阻器以通过第一栅极电阻器向第一晶体管提供第一栅极信号，第二栅极缓冲器连接到第二栅极电阻器以通过第二栅极电阻器向第二晶体管提供第二栅极信号；以及延迟电路，用于产生具有第一开关时间的第一栅极信号以及具有不同于第一开关时间的第二开关时间的第二栅极信号。
栅极电阻器晶体管栅极缓冲器栅极信号射频开关装置第一开关电路开关电路延迟电路

[发明专利]开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法、装置及电路-CN202210364016.5在审
发明人：石宏康;秦飞祥;李俊龙 -专利权人：安徽威灵汽车部件有限公司;广东威灵汽车部件有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法、装置及电路，其中，方法包括：将获取到的总开通时间和开通驱动电压输入第一开通栅极电阻模型，获得栅极驱动电阻的开通阻值上限，将获取到的最大母线电压和相电压变化率输入第二开通栅极电阻模型，获得栅极驱动电阻的开通阻值下限，将最大母线电压和相电压变化率输入关断栅极电阻模型，获得栅极驱动电阻的关断阻值下限，并通过开通阻值上限和开通阻值下限确定栅极驱动电阻的开通阻值区间，以及开通阻值上限和关断阻值下限确定栅极驱动电阻的关断阻值区间，再通过开通阻值区间和关断阻值区间较准确地确定栅极驱动电阻的阻值，能够降低开关损耗，提高电机的安全性、稳定性。
开关栅极驱动电阻参数确定方法装置电路

[发明专利]用于功率转换装置的栅极驱动电路-CN201780045108.4有效
发明人：卢俊诚;H.白 -专利权人：黑拉有限责任两合公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种装置包括栅极驱动电路和GaN HEMT开关，其中栅极驱动电路具有栅极驱动输出以响应于栅极控制信号产生栅极驱动信号。所述开关具有通过栅极驱动电阻器被连接到栅极驱动电路的栅极。所述栅极驱动电路包括NPN（或NMOS）接通晶体管和PNP（或PMOS）关断晶体管。所述栅极驱动电路包括被耦合到接通晶体管的、具有第一电阻的接通电阻器和被耦合到关断晶体管的、具有第二电阻的关断电阻器。所述接通和关断晶体管、栅极驱动电阻器、开关器件，但不是接通和关断电阻器被布置在集成电路中以减少栅极驱动环路电感。所述第一和第二电阻可以是不同的，以调整所述开关器件的接通和关断速度。
用于功率转换装置栅极驱动电路

[发明专利]一种功率半导体芯片栅极区-CN201310259611.3有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体芯片栅极区，所述栅极区包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条，位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区，其中，所述栅电阻内设置有至少两个并联的子电阻，所述子电阻的一端与所述主栅极区连接，所述子电阻的另一端与所述第一栅极条连接。该栅极区结构避免了因一个栅电阻损坏，整个芯片不能正常工作或者损坏的风险。而且采用多个电阻并联的结构可以极大地降低由于栅电阻的误差所带来的电阻阻值巨大变化，保证了芯片间的开关速度的均匀性及芯片间的均流特性。
一种功率半导体芯片栅极

[发明专利]一种IGBT开关动态调节的栅极电阻电路及切换方法-CN202210898830.5在审
发明人：冯静波;贺之渊;客金坤;白建成;关兆亮;许航宇 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT开关动态调节的栅极电阻电路及切换方法，电路包括：可编程逻辑控制器、栅极开关电阻阵列、栅极电压调节电阻及对应的切换控制开关，栅极开关电阻阵列分别与IGBT的栅极及对应的切换控制开关连接；栅极电压调节电阻分别与IGBT的发射极及对应的切换控制开关连接；可编程逻辑控制器分别与栅极开关电阻阵列、栅极电压调节电阻对应的切换控制开关连接，按照时序逻辑控制控制栅极开关电阻阵列、栅极电压调节电阻的投切该电路切换方法可以精准的调节控制IGBT开通关断电阻的投切过程，有效抑制关断电压过冲、开通电流过冲，实现IGBT开关轨迹动态调节和各特征量的协同优化，提升IGBT安全运行裕度，为IGBT的可靠运行提供保障
一种 igbt 开关动态调节栅极电阻电路切换方法

[发明专利]一种栅极电极及其制备方法-CN201310259631.0有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅极电极及其制备方法，该栅极电极包括形成在多晶硅层的第一区域上方的金属硅化物层，该金属硅化物层至少包括两个子区域。该金属硅化物层在功能上作为栅极电极的栅极电阻，该金属硅化物层的每个子区域相当于栅极电阻的一个分电阻，本发明将至少两个子区域并联起来从而实现了在主栅极区和栅极条之间形成由多个分电阻并联形成栅极电阻的目的。该栅极电极能够克服单个电阻串联在栅焊盘区和栅汇流条所带来的缺点：栅极电阻损坏，整个芯片就可能损坏的风险。同时，该栅极电极能够改善芯片间的均流特性和开关控制特性。
一种栅极电极及其制备方法

[发明专利]开关装置、电力转换装置、控制装置以及记录介质-CN201910130842.1有效
发明人：高尾和人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：通过简易的结构将栅极电阻设定为适当的电阻值。实施方式的开关装置具备开关晶体管、电阻部、切换控制部、目标值取得部、计算部和电阻值设定部。栅极电阻部包含电阻值能够变更的第一电阻以及第二电阻。切换控制部在作为关断期间的前一半的第一期间使第一电阻连接于输入端子与栅极之间，在作为关断期间的后一半的第二期间使第二电阻连接于输入端子与栅极之间。计算部基于目标电压上升速度以及第一运算式来计算第一栅极电阻值，基于允许最大电压值以及第二运算式来计算第二栅极电阻值。电阻值设定部基于第一栅极电阻值以及第二栅极电阻值来设定第一电阻以及第二电阻的电阻值。
开关装置电力转换控制以及记录介质

[实用新型]一种可调节电阻的功率模块-CN201922036724.2有效
发明人：林志龙;敖利波;史波;曹俊 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可调节电阻的功率模块，包括功率模块主体、可调电阻和栅极本体，栅极本体分别连接发射极引脚、集电极引脚和栅极引脚。其中，发射极引脚和集电极引脚分别与功率模块主体连接。栅极引脚和栅极本体通过可调电阻连接。本实用新型提供的可调节电阻的功率模块，能够极其方便地根据实际需要来调整栅极电阻，使得功率模块的栅极电阻与开启阈值电压和开通关断延迟时间很好地匹配。
一种调节电阻功率模块

[发明专利]一种栅极电阻可调型超结功率器件及其制造方法-CN202110271644.4在审
发明人：胡玮 -专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极电阻可调的超结型功率器件及其制造方法，涉及功率器件半导体制造领域，包括如下步骤：A、超结型功率器件元胞结构的制备；B、接触通孔的制备；C、金属导线层的制备；D、钝化层的制备。本发明通过设计可调节型栅极电阻结构实现该器件在应用中可基于应用需求在一定栅极电阻范围内对栅极电阻进行灵活的调整，进一步提高器件的应用范围。通过栅极电阻控制极分别对每个独立的栅极电阻进行开路控制以实现对栅极电阻的调整，避免了因不同的栅极电阻应用需求导致的栅极、接触通孔、金属导线层版图变更和重新制作掩模版，减少成本支出，提高器件的通用性。
一种栅极电阻可调型超结功率器件及其制造方法

[发明专利]一种具有栅极电阻的半导体结构制备方法和半导体结构-CN202211514848.7在审
发明人：张海鸥;王学毅;蔡胜冬;魏久雲 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供具有栅极电阻的半导体结构制备方法和半导体结构，所述方法包括：在半导体衬底上制备栅极电阻的材料层，并对所述材料层进行光刻及刻蚀使在半导体衬底上的栅极电阻区形成栅极电阻；在半导体衬底上的栅极区制备栅极结构，得到半导体结构；本发明解决了现有技术中在制备栅极电阻时存在提高了半导体结构整体高度的问题，本发明中的栅极电阻和栅极结构都是以半导体衬底作为基面进行制备完成，降低了半导体结构的整体高度，从而也降低了后续制备接触孔的工艺难度
一种具有栅极电阻半导体结构制备方法

[发明专利]IGBT芯片及其制作方法-CN201110170508.2有效
发明人：陈宏;胡少伟;卢烁今;吴振兴;朱阳军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极电阻，该补偿电阻的大小可根据IGBT芯片的需求进行调整，以避免IGBT模块电路中的自激振荡。由于该补偿电阻区位于栅极焊盘下方，不会占用IGBT芯片内部的面积、体积，并且该补偿电阻区是在IGBT芯片生产过程中集成在芯片内部的，在IGBT芯片生产时只需增加补偿电阻区的形成过程即可，因此该IGBT芯片的制作方法工艺简单易行
igbt 芯片及其制作方法

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